Dr in Krzysztof Waczyski Instytut Elektroniki Politechnika lska

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY p-n-p n-p-n KOLEKTOR BAZA EMITER

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY Prąd nasycenia Nośniki mniejszościowe P np 0 E n pn 0

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY Prąd płynący przez złącze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym zależy od koncentracji nośników mniejszościowych po obu stronach złącza

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY np 0 pn 0 Wzrost koncentracji nośników mniejszościowych skutkuje wzrostem wartości prądu nasycenia IS P E n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. 2. Jak zwiększyć koncentrację nośników mniejszościowych docierających do obszaru złącza p-n? Poprzez wywołanie zjawiska generacji par elektron dziura Poprzez „dobudowanie”, spolaryzowanego w kierunku przewodzenia, złącza p-n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne hf hf TRANZYSTOR BIPOLARNY P Generacja par elektron-dziura n np 0 np>np 0

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY n v P n v np 0 np>np 0

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY E emiter n v B C baza kolektor n p v

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY C n-p-n B p-n-p E C (KOLEKTOR) n p n B (BAZA) E (EMITER) B (BAZA) B C E C (KOLEKTOR) p n p E (EMITER)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TR. BIPOLAR. – ZASADA DZIAŁANIA (BEZDRYFTOWY) E złącze E-B B n v p złącze B-C E v C n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TR. BIPOLAR. – ZASADA DZIAŁANIA (BEZDRYFTOWY) E złącze E-B B n v p złącze B-C E v C n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TR. BIPOLAR. – ZASADA DZIAŁANIA (BEZDRYFTOWY) E złącze E-B B n v p złącze B-C E v C n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TR. BIPOLAR. – ZASADA DZIAŁANIA (BEZDRYFTOWY) E złącze E-B B n v p złącze B-C E v C n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TR. BIPOLAR. – ZASADA DZIAŁANIA (BEZDRYFTOWY) E złącze E-B B n v p złącze B-C E v C n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TR. BIPOLAR. – ZASADA DZIAŁANIA (DRYFTOWY) E złącze E-B B n v E złącze B-C E v C n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY– ZASADA DZIAŁANIA 1. 2. 3. Złącze E-B, spolaryzowane w kierunku przewodzenia, wprowadza do obszaru bazy nośniki mniejszościowe Nośniki te dyfundują, poprzez bazę, w tranzystorze bezdryftowym, lub są unoszone w tranzystorze dryftowym Po dotarciu do, spolaryzowanego w kierunku zaporowym, złącza B-C, nośniki są unoszone przez obszar złącza

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY E n UBE IE B C IC p n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY IE IC UBE Napięcie bazaemiter (UBE ) steruje prądem kolektora ( IC)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY WZMACNIACZ

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – WZMACNIACZ „Wzmacniacz jest przyrządem umożliwiającym sterowanie większej mocy – mniejszą” Do uzyskania efektu wzmocnienia konieczne są dwie rzeczy: - źródło energii, - przyrząd do sterowania przepływu tej energii „wzmacniacz”

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – WZMACNIACZ Załóżmy, że spolaryzowane w kierunku przewodzenia złącze EMITER-BAZA jest reprezentowane przez rezystor o wartości 100Ω Wartość prądu: 10 V 0. 1 A 100Ω Rozpraszana moc:

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – WZMACNIACZ Załóżmy, że spolaryzowane w kierunku zaporowym złącze BAZA -KOLEKTOR jest reprezentowane przez rezystor o wartości 10 kΩ Wartość prądu: 0. 1 A 10 kΩ Rozpraszana moc:

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – WZMACNIACZ W rezultacie, tracąc 1 W mocy tranzystor pozwala na sterowanie sygnałem o mocy 100 W 1 W E B emiter baza n p C kolektor n 100 W

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY W rzeczywistości, część nośników (elektronów) rekombinuje z dziurami w obszarze bazy, co, ze względu na neutralność elektryczną obszaru bazy, wymusza dopływ niewielkiego prądu dziurowego do bazy emiter Strumień elektronów baza IE n Strumień dziur kolektor IC p IB n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY-ZALEŻNOŚCI EB C IE IC IB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY- DEFINICJE PARAMETRÓW Wzmocnienie prądowe (dla prądu stałego) – parametr βDC Stosunek prądu kolektora do prądu emitera (dla prądu stałego) – parametr αDC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY-ZALEŻNOŚCI EB C IE IC IB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY-ZALEŻNOŚCI EB C IE IC IB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY WYKRESY PASMOWE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY- WYKRES PASMOWY n n n W WC WF Wi WV P n n x

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY- WYKRES PASMOWY UE n W WC WF Wi WV P n P UC n n q. UE q. UC x

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY UKŁADY POLARYZACJI (WSPÓLNA BAZA)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁADY POLARYZACJI WB UE < U B < U C IE E n n p IB B C IC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁADY POLARYZACJI WB UE > U B > U C IE E p p n IB B C IC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW STRUMIENIA NOŚNIKÓW PRZEZ TRANZYSTOR BIPOLARNY

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRZEPŁYW STRUMIENIA NOSNIKÓW PRZEZ STRUKTURĘ TRANZYSTORA emiter baza n p 100% kolektor n 92%÷ 98% 2%÷ 8% Strumień elektronów WB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY UKŁADY POLARYZACJI (WSPÓLNY EMITER)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁADY POLARYZACJI WE IC RC UBB RB IB B p n C n E IE UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁADY POLARYZACJI WE IC RC UBB RB IB B n p C p E IE UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRZEPŁYW STRUMIENIA NOSNIKÓW PRZEZ STRUKTURĘ TRANZYSTORA WE 2%÷ 8% emiter n p baza Strumień elektronów kolektor 92%÷ 98% n 100%

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – STANY PRACY Ponieważ każde złącze może być polaryzowane na dwa sposoby: Złącze B-E(kier. przewodzenia) UBE(+) Złącze B-E(kierunek zaporowy) UBE(-) Złącze B-C(kier. przewodzenia) UBC(+) Złącze B-C(kierunek zaporowy) UBE(-) istnieją cztery stany pracy tranzystora

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne (+)UBC (-)UBE aktywny inwersyjny przewodzenie TRANZYSTOR BIPOLARNY – STANY PRACY (+)UBE przewodzenie zatkania (-)UBC zaporowy nasycenia aktywny normalny

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY CZWÓRNIK

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK NIELINIOWY I 2 I 1 U 1 CZWÓRNIK NIELINIOWY U 2

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK NIELINIOWY I 2 I 1 U 1 CZWÓRNIK NIELINIOWY Równania impedancyjne U 2

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK NIELINIOWY I 2 I 1 U 1 CZWÓRNIK NIELINIOWY Równania admitancyjne U 2

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK NIELINIOWY I 2 I 1 U 1 CZWÓRNIK NIELINIOWY Równania mieszane U 2

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTKI TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI układ WB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI WB I 2=IC I 1=IE E C B B Charakterystyka wejściowa U 1=UEB B U 2=UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WB) Charakterystyka wejściowa: podobna kształtem do charakterystyki złącza p-n spolaryzowanego w kierunku przewodzenia -IE [m. A] 12 WEJŚCIOWA UCB=5 -UCB=0 8 4 0. 3 UEB=f(IE) dla UCB=const 0. 6 UEB [V]

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI WB I 2=IC I 1=IE E C B B Charakterystyka wyjściowa U 1=UEB B U 2=UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WB) Charakterystyka wyjściowa: podobna kształtem do charakterystyki złącza p-n spolaryzowanego w kierunku zaporowym -IC [m. A] WYJŚCIOWA IE=9 [m. A] IE=6 [m. A] IE=3 [m. A] 2 4 IC=f(UCB) dla IE=const 6 8 -UCB [V]

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI WB I 2=IC I 1=IE E C B B Charakterystyka przejściowa U 1=UEB B U 2=UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WB) Charakterystyka przejściowa: Przedstawia zależności pomiędzy prądami na wejściu i wyjściu czwórnika -IC [m. A] PRZEJŚCIOWA 9 |-UCB|>0 V 6 UCB=0 V 3 3 IC=f(IE) dla UCB=const 6 9 IE [m. A]

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI WB I 2=IC I 1=IE E C B B Charakterystyka sprzęż. zwrotnego U 1=UEB B U 2=UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WB) Charakterystyka sprzężenia zwrotnego: przedstawia wpływ napięcia wyjściowego na napięcie wejściowe UBE [V] 0. 6 SPRZĘŻENIA ZWROTNEGO 0. 4 IE=12 m. A IE=6 m. A IE=0 m. A 0. 2 2 4 6 UBE=f(UCB) dla IE=const 8 10 -UCB [V]

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WB) IE=-10 m. A PRZEJŚCIOWA IC [m. A] UCB =0 V 10 8 6 4 IE [m. A] 2 UCB =5 V -10 -5 -200 -400 -600 UCB =0 V UCB =5 V WEJŚCIOWA -800 UEB [m. V] WYJŚCIOWA IE=-8 m. A IE=-6 m. A IE=-4 m. A IE=-2 m. A 2 4 6 IE=-1 m. A IE=-3 m. A IE=-5 m. A IE=-10 m. A 8 UCB [V] ZWROTNA

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTKI TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI układ WE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI WE I 2=IC I 1=IB B C B E Charakterystyka wejściowa U 1=UBE E U 2=UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WE) Charakterystyka wejściowa: podobna kształtem do charakterystyki złącza p-n spolaryzowanego w kierunku przewodzenia -IB [µA] 120 WEJŚCIOWA UCE=0 UCE>0 80 40 0. 3 UBE=f(IB) dla UCE=const 0. 6 UBE [V]

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI WE I 2=IC I 1=IB B C B E Charakterystyka wyjściowa U 1=UBE E U 2=UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WE) Charakterystyka wyjściowa: podobna kształtem do charakterystyki złącza p-n spolaryzowanego w kierunku zaporowym -IC [m. A] WYJŚCIOWA IB=60 [μA] IB=40 [μA] IB=20 [μA] 2 4 IC=f(UCE) dla IB=const 6 8 -UCE [V]

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI WE I 2=IC I 1=IB B C B E Charakterystyka przejściowa U 1=UBE E U 2=UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WE) Charakterystyka przejściowa: Przedstawia zależności pomiędzy prądami na wejściu i wyjściu czwórnika -IC [m. A] PRZEJŚCIOWA 9 |-UCE|>0 V 6 UCE=0 V 3 20 60 IC=f(IB) dla UCE=const 100 IB [μA]

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI WE I 2=IC I 1=IB B C B E Charakterystyka sprzęż. zwrotnego U 1=UBE E U 2=UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WE) Charakterystyka sprzężenia zwrotnego: przedstawia wpływ napięcia wyjściowego na napięcie wejściowe UBE [V] 0. 6 SPRZĘŻENIA ZWROTNEGO IB=120μA 0. 4 IB=40μA 0. 2 IB=0 2 4 6 UBE=f(UCE) dla IB=const 8 10 -UCE [V]

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WE) IB=1. 00 m. A IC [m. A] PRZEJŚCIOWA UCE =2 V 100 80 60 40 IB [m. A] 20 UCE =10 V 1. 0 0. 5 WYJŚCIOWA IB=0. 75 m. A IB=0. 50 m. A IB=0. 25 m. A IB=0 m. A 0. 2 2 4 6 8 UCE [V] 0. 4 0. 6 UCE =2 V 0. 8 UCE =10 V WEJŚCIOWA UEB [m. V] IB=0. 2 m. A IB=1. 0 m. A ZWROTNA

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE TRANZYSTOR BIPOLARNY PARAMETRY STATYCZNE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE Charakterystyki prądowonapięciowe tranzystora pozwalają na określenie parametrów statycznych

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA TRANZYSTORA W UKŁADZIE WB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE Parametry statyczne ukazują ograniczenia dozwolonego obszaru pracy aktywnej tranzystora bipolarnego IC WB IE=4 m. A IE=3 m. A IE=2 m. A IE=1 m. A UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 1. Moc admisyjna P=U·I IC WB IE=4 m. A IE=3 m. A P=IU IE=2 m. A IE=1 m. A UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 2. Prąd maksymalny ICmax IC WB IE=4 m. A ICmax IE=3 m. A P=IU IE=2 m. A IE=1 m. A UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 3. Napięcie maksymalne UCBmax IC WB IE=4 m. A ICmax IE=3 m. A P=IU IE=2 m. A IE=1 m. A UCBmax UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 4. Prąd „zerowy” ICB 0 IC WB IE=4 m. A ICmax IE=3 m. A P=IU IE=2 m. A UCBmax IE=1 m. A ICBO UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 5. Napięcie nasycenia UCB=0 IC WB IE=4 m. A ICmax IE=3 m. A P=IU UCB=0 IE=2 m. A UCBmax IE=1 m. A ICBO UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE Obszary pracy tranzystora –aktywny, odcięcia, nasycenia NASYCENIE IC WB IE=4 m. A IE=3 m. A IE=2 m. A AKTYWNY ODCIĘCIE IE=1 m. A ICBO UCB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA TRANZYSTORA W UKŁADZIE WE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE Parametry statyczne ukazują ograniczenia dozwolonego obszaru pracy aktywnej tranzystora bipolarnego IC WE IB=50μA IB=30μA IB=20μA IB=10μA UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 1. Moc admisyjna P=U·I IC WE IB=50μA IB=30μA P=IU IB=20μA IB=10μA UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 2. Prąd maksymalny ICmax IC WE IB=50μA ICmax IB=30μA P=IU IB=20μA IB=10μA UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 3. Napięcie maksymalne UCEmax IC WE IB=50μA ICmax IB=30μA P=IU IB=20μA IB=10μA UCEmax UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 4. Prąd „zerowy” ICE 0 IC WE IB=50μA ICmax IB=30μA P=IU IB=20μA UCEmax IB=10μA ICEO UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE 5. Napięcie nasycenia UCEsat IC WE IB=50μA ICmax IB=30μA P=IU UCEsat IB=20μA UCEmax IB=10μA ICEO UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE Obszary pracy tranzystora –aktywny, odcięcia, nasycenia NASYCENIE IC WE IB=50μA IB=30μA IB=20μA AKTYWNY ODCIĘCIE IB=10μA ICEO UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRĄDY ZEROWE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRĄDY ZEROWE PRĄD ICB 0 B C ICB 0 RC E

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRĄDY ZEROWE PRĄD ICB 0 C n B p E n

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRĄDY ZEROWE PRĄD ICE 0 B C ICE 0 RC E

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRĄDY ZEROWE PRĄD ICE 0 C n B p E n ICB 0 βICB 0 ICE 0

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRĄDY ZEROWE PRĄD ICE 0

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY UKŁAD POLARYZACJI TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁAD POLARYZACJI WE RC RB B UBB C E UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁAD POLARYZACJI WE IC RC RB B UBB IB C E UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁAD POLARYZACJI WE IC RC UCB RB B UBB IB UBE C E UCC UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁAD POLARYZACJI WE IC RC UCB RB UCE UBB IB UBE IE UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – RÓWNANIA

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – RÓWNANIA Dla tranzystora krzemowego

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – RÓWNANIA

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY KSZTAŁT CHARAKTERSYTYKI WYJŚCIOWEJ TRANZYSTORA PRACUJĄCEGO W UKŁADZIE WE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY– IC=f(UCE) RC n C UBB RB p B n E UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) Charakterystyka wyjściowa IC B C określony prąd bazy IB A 0. 7 V Obszar nasycenia UCEmax Obszar aktywny UCE Obszar przebicia

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) Punkt -A RC UCB n C UBB przewodzenie p B przewodzenie n E RB UBE 0. 7 V UCC=0

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) 1. Napięcie UBB jest na tyle duże, ze wywołuje przepływ prądu IB. Napięcie UCC jest równe zero. 2. Oba złącza BAZA-EMITER i BAZA-KOLEKTOR są spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Ponieważ potencjał na BAZIE jest równy 0. 7 V, a potencjały EMITERA i KOLEKTORA wynoszą 0 V 3. Ze względu na mniejszą rezystancję ścieżki prąd bazy zamyka się przez złącze BAZA-EMITER 4. W rezultacie prąd kolektora: 5. IC=0

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) STAN PRACY: NASYCENIE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) Charakterystyka wyjściowa IC B C określony prąd bazy IB A 0. 7 V Obszar nasycenia UCEmax Obszar aktywny UCE Obszar przebicia

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY– IC=f(UCE) mniejszy niż na bazie A-B UCB RC n C UBB przew. p B przew. n E RB UBE 0. 7 V UCE UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) WYSOKI NISKI Potencjał Baza Złącze EMITERBAZA przewodzenie P Złącze BAZAKOLEKTOR przewodzenie n Kolektor n Emiter

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) 1. Napięcie UBB pozostaje na niezmienionym poziomie, Napięcie UCC zaczyna wzrastać, ale potencjał KOLEKTORA jest stale niższy niż potencjał BAZY 2. Oba złącza BAZA-EMITER i BAZA-KOLEKTOR są nadal spolaryzowane w kierunku przewodzenia (ponieważ potencjał na BAZIE jest równy 0. 7 V, potencjał EMITERA wynosi 0 V, a potencjał kolektora jest niższy niż BAZY) 3. Oba złącza, EMITER-BAZA i BAZA-KOLEKTOR wprowadzają nośniki (elektrony) do obszaru bazy 4. W rezultacie prąd kolektora IC rośnie wraz ze wzrostem napięcia UCC (UCE)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) STAN PRACY: AKTYWNY

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) Charakterystyka wyjściowa IC B C określony prąd bazy IB A 0. 7 V Obszar nasycenia UCEmax Obszar aktywny UCE Obszar przebicia

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY– IC=f(UCE) B-C RC UCB n UBB zaporowy p B przew. n E RB UBE C 0. 7 V UCE UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) NISKI Potencjał WYSOKI Kolektor Złącze BAZAKOLEKTOR zaporowy Baza n P Złącze EMITERBAZA przewodzenie n Emiter

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) 1. Napięcie UBB pozostaje na niezmienionym poziomie, Napięcie UCC wzrasta i przewyższa potencjał BAZY 2. Gdy napięcie UCE przekroczy wartość 0. 7 V następuje przełączenie złącza KOLEKTOR-BAZA z polaryzacji w kierunku przewodzenia na kierunek zaporowy 3. W tym momencie tranzystor wchodzi w aktywny stan pracy 4. W tym stanie pracy duże zmiany napięcia UCE nie wpływają już znacząco na wartość prądu kolektora IC, ponieważ o jego wartości decyduje teraz złącze BAZA-KOLEKTOR spolaryzowane w kierunku zaporowym (prąd płynący przez złącze spolaryzowane w kierunku zaporowym nie zależy od wartości napięcia polaryzującego w szerokim zakresie tego napięcia)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) STAN PRACY: PRZEBICIE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) Charakterystyka wyjściowa IC B C określony prąd bazy IB A 0. 7 V Obszar nasycenia UCEmax Obszar aktywny UCE Obszar przebicia

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) 1. Zbyt wysoka wartość napięcia UCC powoduje pojawienie się przebicia złącza p-n (spolaryzowanego w kierunku zaporowym złącza BAZA-KOLEKTOR), co w konsekwencji prowadzi do gwałtownego wzrostu wartości prądu IC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERSYTYKA WYJŚCIOWA TRANZYSTORA UKŁAD WE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) Obszar nasycenia ICmax Obszar aktywny Obszar odcięcia IB 6 IB 5 IB 4 IB 3 IB 2 IB 1 IB 0 UCEmax IB 6> IB 5> IB 4> IB 3> IB 2> IB 1> IB 0 Obszar przebicia IC Charakterystyka wyjściowa UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) PROSTA OBCIĄŻENIA

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) RC WE RB B UBB C E IC UCE UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) 1 2

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) IC UCC IC = RC 1 współczynnik kierunkowy prostej IB 4 IB 3 m=-1/RC IB 2 2 IC=0 UCE=0 IB 1 UCE=UCC UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) Zmiana prądu bazy, czyli „przejście” na charakterystykę IC=f(UCE) odpowiadającą danej wartości IB pozwala na przesuwanie punktu pracy z obszaru odcięcia, poprzez zakres aktywny normalny do obszaru nasycenia

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) IC IB 4 ICmax IB 3 IB 2 UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) IC IB 4 ICmax IB 3 IB 2 IC 1 UCE 1 UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) IC IB 4 ICmax IB 3 IB 2 IC 2 UCE 2 UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) IC IB 4 ICmax IC 3 IB 2 UCE 3 UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) IC IB 4 ICmax IC 4 IB 3 IB 2 UCE 4 UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) IC IB 5 IB 4 ICmax IC 5 IB 3 IB 2 UCE 5 UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) IC IB 5 IB 4 ICmax IC(sat) IB 3 IB 2 UCE(sat) UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) Dalsze zwiększanie prądu bazy, czyli „przechodzenie” na kolejne charakterystyki IC=f(UCE) dla IB=const nie powoduje już widocznego przesunięcia punktu pracy

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE) Obserwujemy sytuację, gdy ustala się prąd kolektora na poziomie zbliżonym do maksymalnej wartości prądu kolektora: a napięcie UCE osiąga minimalną wartość określaną jako „napięcie nasycenia”:

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY - KLUCZ PRZEŁĄCZANIE TRANZYSTORA PRACA TRANZYSTORA BIPOLARNEGO W CHARAKTERZE „KLUCZA”

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – KLUCZ IC IB 4 ICmax IB 3 IB 2 odcięcie UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – KLUCZ IC IB 4 ICmax IB 3 IB 2 odcięcie UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – KLUCZ IC IB 4 ICmax nasycenie IB 3 IB 2 odcięcie UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – KLUCZ IC IB 4 ICmax nasycenie IB 3 IB 2 odcięcie UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – KLUCZ IC IB 4 ICmax nasycenie IB 3 IB 2 odcięcie UCC IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – ODCIĘCIE (CUTOFF) PRZEŁĄCZANIE TRANZYSTORA PRACA TRANZYSTORA W OBSZARZE ODCIĘCIA (CUTOFF)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – ODCIĘCIE (CUTOFF) RC WE RB B C ICE 0 UCE= UCC IB=0 E UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – ODCIĘCIE (CUTOFF) 1. Jeżeli wartość prądu bazy IB=0 – tranzystor jest w obszarze (w stanie) odcięcia (cutoff) 2. W tym stanie pracy oba złącza (B-E i B-C) są spolaryzowane zaporowo 3. Przez strukturę płynie niewielki prąd ICE 0 (na skutek generacji termicznej nośników), który może być pominięty 4. W rezultacie napięcie UCE=UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – ODCIĘCIE (CUTOFF) UCC RB B we IB=0 RC C IC=0 UCE= UCC wy E UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – ODCIĘCIE (CUTOFF) UCC IC=0 IB=0 UCE=UCC we we wy 0 1 niskie wysokie wy

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – NASYCENIE (SATURATION) PRZEŁĄCZANIE TRANZYSTORA PRACA TRANZYSTORA W OBSZARZE NASYCENIA (SATURATION)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – NASYCENIE (SATURATION) RC WE UBB RB IB B C IC UCE= UCC - ICRC E UCC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – NASYCENIE (SATURATION) 1. Złącze BAZA-EMITER jest polaryzowane w kierunku przewodzenia 2. Rośnie prąd bazy IB 3. Wzrost prądu bazy wywołuje prąd kolektora IC=βIB 4. Wzrost prądu kolektora powoduje spadek napięcia UCE=UCC-ICRC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – NASYCENIA (SATURATION) 5. Spadek napięcia UCE doprowadza do sytuacji przełączenia złącza BAZAKOLEKTOR w kierunku przewodzenia. Ma to miejsce wówczas gdy UCE=UCE(sat). Tranzystor wchodzi w stan nasycenia 6. W stanie nasycenia prąd kolektora nie wzrasta osiągając maksymalną wartość: IC=(UCC-UCE(sat))/RC=UCC/RC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – NASYCENIE (SATURATION) 5. Jeżeli tranzystor znajduje się w stanie nasycenia, wówczas dalsze zwiększanie prądu bazy IB nie powoduje już wzrostu prądu kolektora – ponieważ w obszarze nasycenia nie obowiązuje zależność IC=βIB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – NASYCENIE (SATURATION) UCC RB B we IB RC C IC UCE= 0 E IE UCC IC=UCC/RC wy RC

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – NASYCENIE (SATURATION) UCC IC IB UCE=0 wy we IE we 1 wysokie wy 0 niskie

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – KLUCZ IC Klucz zamknięty nasycenie ICmax IB 4 IB 3 Klucz otwarty odcięcie UCC IB 2 IB 1 IB 0 UCE

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK LINIOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY CZWÓRNIK LINIOWY

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK LINIOWY Analiza pracy tranzystora bipolarnego dla prądu zmiennego jest złożona Przyjęto, że dla małych amplitud prądu zmiennego parametry tranzystora nie zależą od amplitudy tego prądu

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK LINIOWY Tranzystor bipolarny – czwórnik liniowy i 2 i 1 u 1 CZWÓRNIK LINIOWY i 1, i 2, u 1, u 2 – chwilowe wartości prądów i napięć małych sygnałów zmiennych u 2

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK LINIOWY i 2 i 1 u 1 CZWÓRNIK LINIOWY Równania impedancyjne u 2

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK LINIOWY i 2 i 1 u 1 CZWÓRNIK LINIOWY Równania admitancyjne u 2

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK LINIOWY i 2 i 1 u 1 CZWÓRNIK LINIOWY Równania mieszane (hybrydowe) u 2

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK LINIOWY i. B u. B i. C B C E E Równania mieszane (hybrydowe) u. C

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY hij OKREŚLANIE PARAMETRÓW TYPU hij

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 11 e (WE) PARAMETR h 11 e IMPEDANCJA WEJŚCIOWA (UKŁAD WE)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 11 e i. B u. B

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 11 e (WE) -IB [µA] 120 WEJŚCIOWA UCE=0 UCE>0 80 40 ΔIB ΔUBE 0. 3 h 11 e – kilka kiloomów 0. 6 UBE [V] Sposób wyznaczania impedancji wejściowej z charakterystyk wejściowych tranzystora UBE=f(IB) dla UCE=const

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 12 e (WE) PARAMETR h 12 e WSPÓŁCZYNNIK SPRZĘŻENIA ZWROTNEGO (UKŁAD WE)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 12 e i. B=0 u. B u. C

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 12 e (WE) UBE [V] 0. 6 SPRZĘŻENIA ZWROTNEGO IB=120μA 0. 4 IB=40μA 0. 2 IB=0 4 h 12 e – (0. 1÷ 8) 10 ΔUBE ΔUCE 2 -4 6 8 10 -UCE [V] Sposób wyznaczania współczynnika sprzężenia zwrotnego z charakterystyk sprzężenia zwrotnego UBE=f(UCE) dla IB=const

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 21 e (WE) PARAMETR h 21 e ZWARCIOWY WSPÓŁCZYNNIK WZMOCNIENIA PRĄDOWEGO (UKŁAD WE)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 21 e i. B i. C u. C=0

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 21 e (WE) -IC [m. A] PRZEJŚCIOWA 9 |-UCE|>0 V 6 ΔIC UCE=0 V 3 h 21 e – 20÷ 200 ΔIB 20 60 100 IB [μA] Sposób wyznaczania zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego z charakterystyk przejściowych tranzystora IC=f(IB) dla UCE=const

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY –PARAMETR h 22 e (WE) PARAMETR h 22 e ADMITANCJA WYJŚCIOWA (UKŁAD WE)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 22 e i. C i. B=0 u. C

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h 22 e (WE) -IC [m. A] WYJŚCIOWA IB=60 [μA] IB=20 [μA] h 22 e – (10÷ 100) μS IB=0 ΔUCE 2 4 ΔIC 6 8 -UCE [V] Sposób wyznaczania admitancji wyjściowej z charakterystyk wyjściowych tranzystora IC=f(UCE) dla IB=const

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY hij PARAMETRY TYPU hij Symbol h 11 hi h 12 hr h 21 hf h 22 ho Opis Impedancja wejściowa (input impedance) Wsp. sprzężenia zwrot. (voltage ratio) Wsp. wzmocnienia prąd. (forward current gain) Admitancja wyjściowa (output admitance)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY hij PARAMETRY TYPU hij WE WB WC układ pracy wspólny emiter wspólna baza e b c parametry h hie, hre, hfe, hoe, hib, hrb, hfb, hob, wspólny kolektor hic, hrc, hfc, hoc,

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY hij PARAMETRY TYPU hij Wspólny emiter Wspólna baza Wspólny kolektor

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY PORÓWNANIE PARAMETRÓW βDC I βac IC ICQ 0 IC Q IBQ ΔIC IB 0 Q (IC, IB) ΔIB IB

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORA BIPOLARNEGO WYKORZYSTUJĄCY PARAMETRY TYPU h

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY - OGÓLNY hi iwe hruwy hf iwe ho uwy

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY – UKŁAD WE baza kolektor hie i. B hfe i. B hreu. C emiter hoe u. C

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY – UKŁAD WB emiter kolektor hib i. E hfb i. E hrbu. C baza hob u. C

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTOR BIPOLARNY PARAMETRY TYPU „r”

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY parametr opis αac Parametr alfa (ac) (i. C/i. E) βac Parametr beta (ac) (i. C/i. B) r`e Rezystancja emitera (ac) r`b Rezystancja bazy (ac) r`c Rezystancja kolektora (ac)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl) Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORA BIPOLARNEGO WYKORZYSTUJĄCY PARAMETRY TYPU „r”

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl)r Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY rc ` Emiter αac ie re ` ie ib rb` Baza Kolektor

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl)r Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY Uproszczenie schematu zastępczego: 1. Ze względu na niewielkie wartości rezystancji bazy, można „rezystor bazowy” w schemacie zastępczym pominąć (zwarcie) 2. Ze względu na duże, rzędu setek kiloomów wartości rezystancji kolektora, można „rezystor kolektorowy” pominąć (rozwarcie)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl)r Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY Emiter re ` αac ie=βac ib Kolektor Baza rb` - zwarcie, rc` - rozwarcie

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl)r Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY Rezystancja emitera re` O wartości tej rezystancji decyduje rezystancja (różniczkowa) złącza p-n spolaryzowanego w kierunku przewodzenia, dla określonego punktu pracy IE (T=300 K)

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44 -100 Gliwice (email: Krzysztof. Waczynski@polsl. pl)r Elementy Elektroniczne TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY C C βac ib B B re ` E ib re ` E