Kwantowy laser kaskadowy z pionow wnk rezonansow Tomasz








































































![QC VCSEL z siatką podfalową G [cm-1] QC VCSEL z siatką podfalową G [cm-1]](https://slidetodoc.com/presentation_image_h2/735a1df2918792de3c47e15cf7aad520/image-73.jpg)
- Slides: 73
Kwantowy laser kaskadowy z pionową wnęką rezonansową Tomasz Czyszanowski Politechnika Łódzka
Kwantowy laser kaskadowy z pionową wnęką rezonansową 1) Laser krawędziowy - laser powierzchniowy 2) Laser kaskadowy Własności emisyjne i spektralne Zastosowania 3) Powierzchniowy kwantowy laser kaskadowy 4) Siatka podfalowa 5) VCSEL z siatką podfalową 6) QC VCSEL z siatką podfalową
Laser krawędziowy http: //www. learnabout-electronics. org
http: //www. learnabout-electronics. org Energy valence band conduction band distance Laser krawędziowy
Laser krawędziowy http: //www. learnabout-electronics. org
Laser krawędziowy http: //www. learnabout-electronics. org
Laser krawędziowy http: //www. learnabout-electronics. org
Laser krawędziowy http: //www. learnabout-electronics. org
Laser krawędziowy http: //www. learnabout-electronics. org
Laser krawędziowy http: //www. learnabout-electronics. org
Laser krawędziowy http: //www. learnabout-electronics. org http: //www. laserfocusworld. com
Laser powierzchniowy (VCSEL) Zalety : • niski prąd progowy • wąskie spektrum • • wysoka częstotliwość modulacji kołowa wiązka matryce 2 D łatwa charakteryzacja Wady: • wstrzykiwanie prądu • DBR
Kwantowy laser kaskadowy http: //www. learnabout-electronics. org mod TE E
Kwantowy laser kaskadowy http: //www. learnabout-electronics. org E mod TM
conduction band Advanced Optical Technologies M. Pfeffer Energy distance Kwantowy laser kaskadowy
Kwantowy laser kaskadowy
Kwantowy laser kaskadowy E E mod TM
Własności emisyjne i spektralne
Własności emisyjne i spektralne Jakość wiązki 5 – 10 o 30 – 50 o
Własności emisyjne i spektralne Jakość wiązki
Własności emisyjne i spektralne Widmo emisji l l
Własności emisyjne i spektralne Modulacja l M. Cooke „Intel takes further step toward Tbit/s data transmission” Semiconductor today, 2010
Zastosowania Ryoko Yoshimura et al. "Highly Sensitive Laser Based Trace-gas Sensor Technology and Its Application to Stable Isotope Ratio Analysis" NTT Technical Review FP QCL F. K. Tittel „Mid-IR Semiconductor Lasers Enable Sensors for Trace-Gas-Sensing Applications” Photonics Spectra, 56289, 2014
Zastosowania 03 DARPA ORCA Official Concept Art created c. 2008 Szybkość transmisji < 10 Gb/s
- dobra jakość wiązki - wąskie widmo emisji l l - duża szybkość modulacji M. Cooke „Intel takes further step toward Tbit/s data transmission” Semiconductor today, 2010
- dobra jakość wiązki - wąskie widmo emisji - duża szybkość modulacji
Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser - dobra jakość wiązki - wąskie widmo emisji - duża szybkość modulacji http: //www. dukedesign. com
Powierzchniowy kwantowy laser kaskadowy kz Hy Ex
Powierzchniowy kwantowy laser kaskadowy kz Ey Hx
Powierzchniowy kwantowy laser kaskadowy kz Ey Hx E
Introduction Siatka podfalowa 31 d d>l Photonics West
Introduction Siatka podfalowa 32 d d>l Photonics West
Introduction Siatka podfalowa 33 d d << l Photonics West
Siatka podfalowa d destructive interference d<l C. J. Chang-Hasnain and W. Yang High-contrast gratings for integrated optoelectronics, Adv. Opt. Photonics 4(3), 379– 440 (2012) Photonics West
VCSEL z. Introduction siatką podfalową 35 M. C. Y. Huang, Y. Zhou and C. J. Chang-Hasnain“ Nat. Photon. 1, 119 -122 (2007) Air Al. Ga. As membrane DBR 35 pairs 5 – 10 mm substrate Markus Amann Nat. Photon. vol. 2 p. 134 (2008) Photonics West
VCSEL z. Introduction siatką podfalową 36 low refractive index substrate Photonics West
Monolithic high contrast grating VCSEL z siatką podfalową Al. Ox Ga. As h. HCG hclad 37
Monolithic high contrast grating VCSEL z siatką podfalową Al. Ox Ga. As h. HCG hclad 38
Monolithic high contrast grating VCSEL z siatką podfalową Al. Ox Ga. As h. HCG hclad 39
Monolithic high contrast grating VCSEL z siatką podfalową 40 h. HCG Ga. As Siatka monolityczna Photonics West
Mirror reflectance VCSEL z monolityczną siatką podfalową 41 Photonics West
Mirror reflectance VCSEL z monolityczną siatką podfalową 42 Electron beam litography + Reactive ion etching 549. 4 nm 160 nm 270. 6 nm Photonics West
Mirror reflectance VCSEL z monolityczną siatką podfalową 43 photodetector polarizer monochromator beam spliter tunable source AR coating Ga. As Photonics West
Mirror reflectance VCSEL z monolityczną siatką podfalową 44 Photonics West
Mirror reflectance VCSEL z monolityczną siatką podfalową 45 20 – 30 mm
VCSEL z monolityczną siatką podfalową
VCSEL z monolityczną siatką podfalową 1 mm
VCSEL z monolityczną siatką podfalową
VCSEL z monolityczną siatką podfalową
VCSEL z monolityczną siatką podfalową d destructive interference d<l C. J. Chang-Hasnain and W. Yang High-contrast gratings for integrated optoelectronics, Adv. Opt. Photonics 4(3), 379– 440 (2012)
VCSEL z monolityczną siatką podfalową grating cavity DBR
QC VCSEL z siatką podfalową HCG Hx kx Hz TE Ey Ey kz kz Ey DBR Hx z x y
QC VCSEL z siatką podfalową HCG Ex kx Ez TM Hy Hy kz kz Hy DBR Ex z x y
QC VCSEL z siatką podfalową a F = 0. 1 10 L F = a/L h [mm] h Ga. As l = 9 mm 0 3. 0 L [mm] 9. 0
QC VCSEL z siatką podfalową a F = 0. 2 10 L F = a/L h [mm] h Ga. As l = 9 mm 0 3. 0 L [mm] 9. 0
QC VCSEL z siatką podfalową a F = 0. 3 10 L F = a/L h [mm] h Ga. As l = 9 mm 0 3. 0 L [mm] 9. 0
QC VCSEL z siatką podfalową a F = 0. 4 10 L F = a/L h [mm] h Ga. As l = 9 mm 0 3. 0 L [mm] 9. 0
QC VCSEL z siatką podfalową a F = 0. 5 10 L F = a/L h [mm] h Ga. As l = 9 mm 0 3. 0 L [mm] 9. 0
QC VCSEL z siatką podfalową a F = 0. 6 10 L F = a/L h [mm] h Ga. As l = 9 mm 0 3. 0 L [mm] 9. 0
QC VCSEL z siatką podfalową a F = 0. 7 10 L F = a/L h [mm] h Ga. As l = 9 mm 0 3. 0 L [mm] 9. 0
QC VCSEL z siatką podfalową a F = 0. 8 10 L F = a/L h [mm] h Ga. As l = 9 mm 0 3. 0 L [mm] 9. 0
QC VCSEL z siatką podfalową a F = 0. 9 10 L F = a/L h [mm] h Ga. As l = 9 mm 0 3. 0 L [mm] 9. 0
QC VCSEL z siatką podfalową Ga. As Al. Ga. As 40 L DBR
QC VCSEL z siatką podfalową 40 L DBR I = E x * + E y *+ E z *
QC VCSEL z siatką podfalową Ey Ey *
QC VCSEL z siatką podfalową Ez Ez *
QC VCSEL z siatką podfalową 50 nm M 1 300 nm M 2 M 3 300 nm M 4 M 5 QC Au Ga. As n++ Al 0. 9 Ga 0. 1 As
QC VCSEL z siatką podfalową M 1 M 2 M 3 M 4 M 5 I = E x * + E y *+ E z * QC Au Ga. As n++ Al 0. 9 Ga 0. 1 As
QC VCSEL z siatką podfalową M 1 M 2 M 3 M 4 M 5 I = E x * + E y *+ E z * QC Au Ga. As n++ Al 0. 9 Ga 0. 1 As
QC VCSEL z siatką podfalową M 1 M 2 M 3 M 4 M 5 I = E x * + E y *+ E z * QC Au Ga. As n++ Al 0. 9 Ga 0. 1 As
QC VCSEL z siatką podfalową M 1 M 2 M 3 M 4 M 5 I = E x * + E y *+ E z * QC Au Ga. As n++ Al 0. 9 Ga 0. 1 As
QC VCSEL z siatką podfalową M 5 DBR Ph. ML Ez Ez * QC Au Ga. As n++ Al 0. 9 Ga 0. 1 As
QC VCSEL z siatką podfalową G [cm-1]









































































