Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise 1. Ein pn-Übergang leitet, der andere sperrt
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise 1. 2. Ein pn-Übergang leitet, der andere sperrt Die p-Basis wird von Minoritätsladungsträgern (n) überschwemmt
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise 1. 2. 3. Ein pn-Übergang leitet, der andere sperrt Die p-Basis wird von Minoritätsladungsträgern (n) überschwemmt Die Basis ist sehr dünn (10µm), die Elektronen gelangen zur Basis. Kollektor-Sperrschicht, bevor sie in der Basis rekombinieren
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise 1. 2. 3. 4. Ein pn-Übergang leitet, der andere sperrt Die p-Basis wird von Minoritätsladungsträgern (n) überschwemmt Die Basis ist sehr dünn (10µm), die Elektronen gelangen zur Basis. Kollektor-Sperrschicht, bevor sie in der Basis rekombinieren Für Elektronen (Minoritäts-LT!) ist diese Sperrschicht durchlässig, sie gelangen zum Kollektor – es fließt ein Kollektorstrom
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise 1. 2. 3. 4. 5. Ein pn-Übergang leitet, der andere sperrt Die p-Basis wird von Minoritätsladungsträgern (n) überschwemmt Die Basis ist sehr dünn (10µm), die Elektronen gelangen zur Basis. Kollektor-Sperrschicht, bevor sie in der Basis rekombinieren Für Elektronen (Minoritäts-LT!) ist diese Sperrschicht durchlässig, sie gelangen zum Kollektor – es fließt ein Kollektorstrom Es ist nur ein kleiner Basisstrom nötig, um den np-Übergang zwischen Emitter und Basis in Durchlassrichtung zu erhalten
Bipolartransistoren Aufbau und Wirkungsweise 1. 2. 3. 4. 5. 6. Ein pn-Übergang leitet, der andere sperrt Die p-Basis wird von Minoritätsladungsträgern (n) überschwemmt Die Basis ist sehr dünn (10µm), die Elektronen gelangen zur Basis. Kollektor-Sperrschicht, bevor sie in der Basis rekombinieren Für Elektronen (Minoritäts-LT!) ist diese Sperrschicht durchlässig, sie gelangen zum Kollektor – es fließt ein Kollektorstrom Es ist nur ein kleiner Basisstrom nötig, um den np-Übergang zwischen Emitter und Basis in Durchlassrichtung zu erhalten Ein kleiner Basisstrom steuert großen Kollektorstrom -> Verstärker!
Bipolartransistoren Grundschaltungen
Bipolartransistoren Grundschaltungen
Bipolartransistoren Grundschaltungen
Bipolartransistoren Ausgangskennlinie
Bipolartransistoren
Bipolartransistoren Dimensionierung eines Kleinsignalverstärkers
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 1. Widerstandsgerade bestimmen
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 1. Widerstandsgerade bestimmen
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 1. Widerstandsgerade bestimmen
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 1. Widerstandsgerade bestimmen
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 1. Widerstandsgerade bestimmen - evtl. fehlende PV -Kurve erzeugen
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 1. Widerstandsgerade bestimmen WG einzeichnen, PV tangierend ICmax= 360 m. A
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 2. Kollektorwiderstand berechnen
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 2. Kollektorwiderstand berechnen 3. Arbeitspunkt festlegen etwa in die Mitte der Widerstandsgeraden
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 4. Basisvorwiderstand berechnen
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 5. Verstärkungsfaktoren bestimmen - dazu AP aussteuern,
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 5. Verstärkungsfaktoren bestimmen - dazu AP aussteuern, - Spannungen und Ströme ablesen DIC= -140 m. A DIB= -2 m. A; DUCE= 2, 6 V; UBE= 0, 05 V
Bipolartransistoren Kleinsignalverstärker mit Basisvorwiderstand 5. Verstärkungsfaktoren bestimmen DIC= -140 m. A DIB= -2 m. A; DUCE= 2, 6 V; UBE= 0, 05 V
Bipolartransistoren Transistorschalter Relaisbetrieb Relais geschlossen: Relais offen:
Bipolartransistoren Transistorschalter Relaisbetrieb Relais geschlossen: 1. T sperrt, Relais offen:
Bipolartransistoren Transistorschalter Relaisbetrieb Relais geschlossen: 1. T sperrt, Relais offen 2. T leitet, Relais geschlossen Relais offen:
Bipolartransistoren Transistorschalter Relaisbetrieb Relais geschlossen: 1. T sperrt, Relais offen 2. T leitet, Relais geschlossen 3. RC bestimmen Relais offen:
Bipolartransistoren Transistorschalter Relaisbetrieb Relais geschlossen: Übersteuerung des Transistors T leitet dadurch schneller Relais offen:
Bipolartransistoren Transistorschalter 8 V Relaisbetrieb Relais geschlossen: Übersteuerung des Transistors T leitet dadurch schneller Höhere Betriebsspannung WG kann Verlustleistungshyperbel schneiden Relais offen:
Bipolartransistoren Transistorlogik (DTL)
Bipolartransistoren Transistorlogik (DTL)
Bipolartransistoren Transistorlogik (DTL)
Bipolartransistoren Transistorlogik (DTL) Diode vor T ist logisch unwirksam; sorgt dafür, dass nicht schon die Diodenflussspannung T öffnet.
Bipolartransistoren Transistorlogik (TTL) T 1 - Multiemittertransistor
Bipolartransistoren Transistorlogik (TTL) T 1 - Multiemittertransistor
Bipolartransistoren Transistorlogik (TTL) T 1 - Multiemittertransistor T 2 - Treiberstufe
Bipolartransistoren Transistorlogik (TTL) T 1 - Multiemittertransistor T 2 - Treiberstufe T 3, T 4 – Gegentaktendstufe (Verstärker)
Bipolartransistoren Astabiler Multivibrator Funktionsweise: T 1 und T 2 schalten sich wechselseitig ein (T leitet) und aus (T sperrt).
Bipolartransistoren Astabiler Multivibrator 1. Sei zu Beginn T 1 gerade leitend. Dann hat der Ausgang UA 1 tiefes Potential und die Basis von T 2 ebenfalls. Somit sperrt T 2 und der Ausgang UA 2 hat hohes Potential.
Bipolartransistoren Astabiler Multivibrator 2. Über den Basisvorwiderstand RB 2 wird der Kondensator C 2 aufgeladen, die Spannung UBE 2 steigt an.
Bipolartransistoren Astabiler Multivibrator Nach t 2 = RB 2 C 2 ln 2 folgt: 3. Bei UBE 2 > 0, 5 V steuert T 2 durch, die Spannung UA 2 sinkt auf die Flussspannung UCES =0, 2 V, ebenso die Spannung UBE 1. Folglich sperrt T 1 und UA 1 wird hohes Potential, weil der Kondensator C 2 über RC 1 aufgeladen wird.
Bipolartransistoren Astabiler Multivibrator 4. Über RB 1 wird C 1 aufgeladen, die Spannung UBE 1 steigt an, bis nach der Haltezeit t 1 = RB 1 C 1 ln 2 der Transistor T 1 leitend wird, somit T 2 sperrt. Der Ausgang UA 1 wird auf tiefes Potential gestellt, der Ausgang UA 2 auf hohes Potential weil der Kondensator C 1 über RC 2 aufgeladen wird.
Bipolartransistoren Astabiler Multivibrator C 1 = C 2 = 35 n. F; RB 1 = ? ; RB 2 = ? ; RC 2 = ? t 1 = 4, 5 ms t 2 = 17 ms
Bipolartransistoren Astabiler Multivibrator C 1 = C 2 = 35 n. F; RC 2 = ? Spannungsanstieg UA 2 wird durch Aufladen des Kondensators C 1 über RC kontrolliert
Bipolartransistoren Astabiler Multivibrator C 1 = C 2 = 35 n. F; RC 2 = ? Bestimmung der Zeitkonstante t :
Bipolartransistoren Astabiler Multivibrator C 1 = C 2 = 35 n. F; RC 2 = ? Bestimmung der Zeitkonstante t : Ablesen des Zeitintervalls t = 0, 12 m
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