Prototypen Tests fr ATLAS Pixel Sensoren Upgrades Supervisor

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Prototypen Tests für ATLAS Pixel Sensoren Upgrades Supervisor: Karola Dette Teilnehmer: Niklas Heinrich

Prototypen Tests für ATLAS Pixel Sensoren Upgrades Supervisor: Karola Dette Teilnehmer: Niklas Heinrich

2 Agenda I. ATLAS-Experiment II. Halbleitersensoren III. Tests mit Glasplättchen

2 Agenda I. ATLAS-Experiment II. Halbleitersensoren III. Tests mit Glasplättchen

3 I. ATLAS-Experiment

3 I. ATLAS-Experiment

4 ATLAS Experiment

4 ATLAS Experiment

5 ATLAS Experiment

5 ATLAS Experiment

6 ATLAS Experiment

6 ATLAS Experiment

7 Pixel Detektor

7 Pixel Detektor

8 IBL (Insertable B-Layer)

8 IBL (Insertable B-Layer)

9 IBL (Insertable B-Layer) Strahlrohr • Neues, dünneres Strahlrohr (29 mm 25 mm) •

9 IBL (Insertable B-Layer) Strahlrohr • Neues, dünneres Strahlrohr (29 mm 25 mm) • Zusätzliche Detektorschicht • Näher am Wechselwirkungspunkt (5, 05 cm 3, 27 cm) • Höhere Auflösung, besseres Tracking • Strahlenhärtere Sensoren • Schnellere Auslese IBL Innerste Schicht des vorherigen Detektors

10 IBL Transport zu ATLAS

10 IBL Transport zu ATLAS

11 IBL Transport zu ATLAS

11 IBL Transport zu ATLAS

12 IBL Transport zu ATLAS

12 IBL Transport zu ATLAS

13 II. Halbleitersensoren

13 II. Halbleitersensoren

14 Bändermodell

14 Bändermodell

15 Siliziumkristall

15 Siliziumkristall

16 Dotieren =Einbringen von Fremdatomen p-Dotierung Die freie Stelle am Bor-Atom wird von anderen

16 Dotieren =Einbringen von Fremdatomen p-Dotierung Die freie Stelle am Bor-Atom wird von anderen Elektronen aufgefüllt. Dabei entstehen an anderer Stelle neue Löcher. Diese Leerstellen wandern entgegengesetzt zum Elektronenfluss und können als positive „Ladungsträger“ betrachtet werden. n-Dotierung Das Phosphor-Atom gibt sein 5. Elektron ab, das keine Bindung eingehen kann. Es dient als freier Ladungsträger.

18 Verarmungszone, Raumladungszone • Ladungsträgerverarmte Zone entsteht (Raumladungszone = RLZ) durch Rekombination • Gleichgewicht

18 Verarmungszone, Raumladungszone • Ladungsträgerverarmte Zone entsteht (Raumladungszone = RLZ) durch Rekombination • Gleichgewicht aus Diffusionskraft und elektrischer Kraft • Diode: Durchlassrichtung und Sperrrichtung

19 Spannung in Sperrrichtung Das Kräftegleichgewicht wird verschoben. Die Verarmungszone wächst!

19 Spannung in Sperrrichtung Das Kräftegleichgewicht wird verschoben. Die Verarmungszone wächst!

20 Halbleitersensor

20 Halbleitersensor

21 Halbleitersensor

21 Halbleitersensor

22 Bump Bonds

22 Bump Bonds

23 Kapazitive Kopplung • Tritt zwischen benachbarten Leitern unterschiedlichen Potentials auf • Leiteroberflächen können

23 Kapazitive Kopplung • Tritt zwischen benachbarten Leitern unterschiedlichen Potentials auf • Leiteroberflächen können als Kondensatorplatten betrachtet werden • Ladungsverschiebung zwischen Leitern • Starke Frequenz- und Abstandsabhängigkeit (nur bei kleinen Abständen)

24 III. Tests mit Glasplättchen

24 III. Tests mit Glasplättchen

25 Vermessung • Vermessung der einzelnen Glasplättchen und der Paare • Unregelmäßigkeiten in der

25 Vermessung • Vermessung der einzelnen Glasplättchen und der Paare • Unregelmäßigkeiten in der Dicke der Glasplättchen im Mikrometerbereich

26 Kleben • Auftragen des Klebstoffs • Zusammenkleben zweier Plättchen • Mehrere Messreihen mit

26 Kleben • Auftragen des Klebstoffs • Zusammenkleben zweier Plättchen • Mehrere Messreihen mit verschiedenen Klebstoffmengen

27 Kleben

27 Kleben

28 Kleben

28 Kleben

29 Erneute Vermessung der Paare • Gleichmäßige Verteilung des Klebstoffs überprüfen

29 Erneute Vermessung der Paare • Gleichmäßige Verteilung des Klebstoffs überprüfen

30 Protokollierung der Messergebnisse

30 Protokollierung der Messergebnisse

31 Grafische Auswertung

31 Grafische Auswertung

32 Grafische Auswertung

32 Grafische Auswertung

33 Grafische Auswertung

33 Grafische Auswertung

34 Vielen Dank für die Aufmerksamkeit und die interessanten zwei Wochen!

34 Vielen Dank für die Aufmerksamkeit und die interessanten zwei Wochen!

35 Textquellen (1) (2) (3) (4) http: //www. halbleiter. org/grundlagen/ https: //cds. cern. ch/record/1460889/files/ATL-INDET-SLIDE-2012

35 Textquellen (1) (2) (3) (4) http: //www. halbleiter. org/grundlagen/ https: //cds. cern. ch/record/1460889/files/ATL-INDET-SLIDE-2012 -428. pdf http: //de. academic. ru/dic. nsf/dewiki/1066693 http: //de. wikipedia. org/wiki/Kapazitive_Kopplung Letzter Aufruf jeweils am 07. 05. 14

36 Grafikquellen (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12)

36 Grafikquellen (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) http: //www. atlas. ch/photos/atlas_photos/selected-photos/detector-site/surface/9906026 -A 4 -at-144 -dpi. jpg http: //wallpoper. com/images/00/37/09/29/atlas-cern_00370929. jpg http: //www. hep. physik. uni-siegen. de/pics/atlasdetector_cs. jpg http: //li 5. ziti. uni-heidelberg. de/atlas/pixel_det 3. png http: //inspirehep. net/record/928247/files/IBLphotos. png http: //li 5. ziti. uni-heidelberg. de/atlas/ibl 1. png http: //www. halbleiter. org/img/grundlagen/leiter/baendermodell. gif http: //www. bibianatroost. de/Webcard/elektronik/grundlagen/bilder/Siliziumkristall 2. gif http: //upload. wikimedia. org/wikipedia/commons/e/e 9/Silicon. Croda. jpg http: //www. halbleiter. org/img/grundlagen/dotieren/p-dotieren. gif http: //www. halbleiter. org/img/grundlagen/dotieren/n-dotieren. gif http: //upload. wikimedia. org/wikipedia/commons/thumb/3/3 e/Pn_Junction_Diffusion_and_Drift. svg/1000 px. Pn_Junction_Diffusion_and_Drift. svg. png http: //upload. wikimedia. org/wikipedia/commons/thumb/9/92/Pn-Uebergang_mit_Banddiagramm. svg/620 px. Pn-Uebergang_mit_Banddiagramm. svg. png http: //www. halbleiter. org/grundlagen/p-n/#p-n-Uebergang_mit_angelegter_elektrischer_Spannung http: //www. physics. ucdavis. edu/alumnewsletters/fall 1996/Fig. gif http: //upload. wikimedia. org/wikipedia/commons/thumb/8/87/Prinzip_Kapazitive_Kopplung. svg/330 px. Prinzip_Kapazitive_Kopplung. svg. png Letzter Aufruf jeweils am 07. 05. 14