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被測定容量エリアの使い方の例 adr 1 adr 2 Meas x x x wires com DUT 2 DUT

被測定容量エリアの使い方の例 adr 1 adr 2 Meas x x x wires com DUT 2 DUT 3 DUT 1 com floating capacitors 0. 1 Vpp adr 17 adr 18 adr 19 adr 20 Meas CBCM法を用い、0. 001 f. F分解能、浮遊容量分離型、 400個の容量TEGマトリクス・テスト・ストラクチャの提案 sub Meas x x replica 5 wires replica 4 sub com DUT 5 x DUT 5 Meas wires com Meas x x DUT 6 Meas x wires Meas wires com adr 15 adr 16 Meas x replica 3 Meas adr 9 adr 10 adr 11 adr 12 wires Meas x 1 Vpp replica 2 1 Vpp adr 7 adr 8 DUT 4 2013/1/21 Meas x adr 3 adr 4 replica 1 1 Vpp wires • 50μm× 100μmエリ アに、4アドレス付の 4 容量計測点がある • レプリカを含め、任 意に割り当て可能 14 DUT 7 sub

被測定容量へ 100 m. V振幅印加技術 • 2002年に、上下Pch MOSスイッチを使って、 Vcap-Vo=100 m. Vを 実現した例。(V 1, V 2

被測定容量へ 100 m. V振幅印加技術 • 2002年に、上下Pch MOSスイッチを使って、 Vcap-Vo=100 m. Vを 実現した例。(V 1, V 2 はVoより負) • 2008年に上下Nch MOSスイッチを使った 例もあった B. Sell, et al: “Charge-Based Capacitance Measurements (CBCM) on MOS Devices ” IEEE Tran. Devices & Materials Reliability, Vol 2, No 1, 2002 レプリカ T. Sutory, et al: “C-V CHARACTERIZATION OF NONLINEAR CAPACITORS USING CBCM METHOD” International Conference Mixed Design, 21 -23, 2007 レプリカ 2013/1/21 20 CBCM法を用い、0. 001 f. F分解能、浮遊容量分離型、 400個の容量TEGマトリクス・テスト・ストラクチャの提案