1 Chapter 7 Electronic Device Floyd Ch 7
- Slides: 32
1 Chapter 7 전계 효과 트랜지스터 Electronic Device (Floyd )- Ch. 7
10 VGS = 0 V일 때 JFET 동작 특성 Electronic Device (Floyd )- Ch. 7
12 VGS 에 의한 ID의 변화 Electronic Device (Floyd )- Ch. 7
24 7 -4. MOSFET • 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터( Metal Oxide Semiconductor Field Eeffect Ttransistor ; MOSFET)는 FET의 두번째 형태 • pn 접합 구조가 아니라는 면에서 JFET와 상이 • MOSFET의 게이트는 산화실리콘(Sio 2) 층에 의해 채널과 격리 • MOSFET는 공핍형(depletion MOSFET ; D-MOSFET)과 증가형 (enhancement MOSFET ; E-MOSFET) • E-MOSFET는 채널의 형성되어있지 않음. D-MOSFET의 구조 Electronic Device (Floyd )- Ch. 7 D-MOSFET의 기호
32 Electronic Device (Floyd )- Ch. 7
