MODELES ASYMPTOTIQUES ET CARACTERISATION ELECTROMAGNETIQUE DUNE COLLECTION DINCLUSIONS

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MODELES ASYMPTOTIQUES ET CARACTERISATION ELECTROMAGNETIQUE D’UNE COLLECTION D’INCLUSIONS ENFOUIE EN ESPACE STRATIFIE H. Ammari

MODELES ASYMPTOTIQUES ET CARACTERISATION ELECTROMAGNETIQUE D’UNE COLLECTION D’INCLUSIONS ENFOUIE EN ESPACE STRATIFIE H. Ammari 1, E. Iakovleva 1, 2, D. Lesselier 2 1 CMAP 2 DRE/L 2 S (CNRS-X), Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau cedex (SUPELEC-CNRS-UPS), 3 rue Joliot-Curie, 91192 Gif-sur-Yvette cedex

INTRODUCTION Ø Motivations: formation d’images de petits objets enfouis dans un milieu stratifié à

INTRODUCTION Ø Motivations: formation d’images de petits objets enfouis dans un milieu stratifié à partir de données électromagnétiques Ø Méthodes: Ø formulation asymptotique des champs électromagnétiques résultant du phénomène de diffraction Ø algorithme d’identification non itératif : Multiple-Signal Classification (MUSIC) (A. Devaney, 2000) Ø Un point clé: milieu contenant la collection est non borné –tandis que la plupart des études se font pour les milieux bornés (A. Freidman, M. Vogelius, 1989; H. Ammari, H. Kang, 2004)

PROBLEME INVERSE 2 -D émetteur (aq) récepteur x 2 (ap) Problème inverse de diffraction

PROBLEME INVERSE 2 -D émetteur (aq) récepteur x 2 (ap) Problème inverse de diffraction 2 -D: Déterminer les positions à partir de mesures α x 1 d’Amplitudes de Diffraction: à fréquence fixée pour un nombre fini de Directions d’incidence: et de Directions d’observation: numéro d’antennes: n

FORMULATION DIFFERENTIELLE émetteur x 2 récepteur ücondition de rayonnement à l’infini x 1 ücondition

FORMULATION DIFFERENTIELLE émetteur x 2 récepteur ücondition de rayonnement à l’infini x 1 ücondition de transmission aux frontières des inclusions et sur l’interface x 2=0:

TENSEUR DE POLARISATION Le tenseur de polarisation associé au domaine perméabilité magnétique est donné

TENSEUR DE POLARISATION Le tenseur de polarisation associé au domaine perméabilité magnétique est donné par où est la solution unique du b Si a est elliptique alors: de

AMPLITUDE DE DIFFRACTION Pour x assez loin des inclusions, où est indépendant de

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AMPLITUDE DE DIFFRACTION Pour x assez loin des inclusions, où est indépendant de Définissons l’Amplitude de Diffraction Pour tout : :

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AMPLITUDE DE DIFFRACTION Pour x assez loin des inclusions, où x 2 est indépendant de x 1 Pour tout :

Décomposition de la Matrice de Diffraction 2 où la matrice , est définie comme:

Décomposition de la Matrice de Diffraction 2 où la matrice , est définie comme:

Décomposition de la Matrice de Diffraction 2 où la matrice , est définie comme:

Décomposition de la Matrice de Diffraction 2 où la matrice , est définie comme: : Inclusions Diélectriques : Inclusions Magnétiques : Inclusions Diélectriques et Magnétiques

Décomposition de la Matrice de Diffraction où la matrice , est définie comme: :

Décomposition de la Matrice de Diffraction où la matrice , est définie comme: : Inclusions Diélectriques

MUltiple SIgnal Classification (MUSIC) Proposition: Pour tout SVD de A la carte de ,

MUltiple SIgnal Classification (MUSIC) Proposition: Pour tout SVD de A la carte de ,

Inclusions diélectriques ou magnétiques ( k+ < k- ) Image de Wc(x) pour tout

Inclusions diélectriques ou magnétiques ( k+ < k- ) Image de Wc(x) pour tout x dans Ω Ø c = e 3 ε 1=2 ε 2=4 ε 3=3 Ø c = e 1 + 5 e 2 μ 1=2 μ 2=4 μ 3=3

Inclusions diélectriques et magnétiques ( k+ < k- ) Image de Wc(x) pour tout

Inclusions diélectriques et magnétiques ( k+ < k- ) Image de Wc(x) pour tout x dans Ω Ø c = e 3 Ø c = e 1 + e 2 + 5 e 3 ε 1 = μ 1 =2 ε 2 = μ 2 =4 ε 3= μ 3 =3 ε

Inclusions diélectriques ( k+ = k- ou k+ < k- ) Ø k+ =

Inclusions diélectriques ( k+ = k- ou k+ < k- ) Ø k+ = k - : Ø k+ < k - : Images des amplitudes de produits scalaires des vecteurs singuliers u 1, u 2, u 3 (ordonnés de gauche à droite) avec gz pour tout z dans Ω.

PERSPECTIVES Ø Maxwell 3 -D Ø Inclusions proches entre elles Tenseurs de Polarisation et/ou

PERSPECTIVES Ø Maxwell 3 -D Ø Inclusions proches entre elles Tenseurs de Polarisation et/ou d’interface d l