3 Memory SRAM kuic kyonggi ac krdssung 3

제 3장 Memory - SRAM

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung 3. 2 RAM (Random Access Memory) -> RAM의 특징 : Random Access Memory ? ? ? Random Access Memory - 동일한 memory device의 경우 memory location 위치와 관계없이 access time이 일정하다. Sequential Access Memory - memory location 위치에 따라 access time이 다르다. ROM의 경우도 Random Access Memory

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung -> RAM의 특징 : Read/Write Memory ? ? ? Read/Write Memory - CPU가 정보를 Read 또는 Write 할 수 있는 메모리 소자 ROM, PROM, EPROM의 경우 - CPU가 정보를 read만 가능 EEPROM, Flash Memory : CPU가 정보를 직접 Read/Wite 가능 -> RAM의 특징 : Volatile Memory 전원의 공급 없이는 정보를 보존할 수 없는 메모리 소자 = Volatile Memory

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung 3. 4 Consideration Factor (설계에서 메모리 선택 시 고려사항) (1). Speed (속도) Access Time -> the time elapsing from moment we present a stable address until the memory responds with stable data. Cycle Time -> how fast we can access memory on a continuous basis some memory need additional time for recovery after an access (2). Density (집적도) (3). Power Dissipation (전력 소비) Operating Power - Memory 소자가 사용 중에 소비하는 전력 Standby Power - Memory 소자가 사용 중이 아닐 때 소비하는 전력

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung 3. 5 SRAM (Static RAM) Data Address CS# Chip Select OE# Output Enable WE# Write Enable CS# OE# WE# Read 0 0 1 Write 0 1 0 Vcc GND

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung 216 -1 번지 A 15 -A 0 64 KB SRAM D 7 -D 0 64 KB의 Address Space 216 0 번지 8 bit 216 X 8 bit SRAM = 64 KB SRAM

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung A 15 -A 0 16 X 216 Decoder 216 23 D 7 -D 0

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung Address CS# WE# OE# Data

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung Address CS# WE# OE# Data Access Time

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung SRAM 1에 있는 정보를 읽고, 이어서 SRAM 2에 있는 정보를 읽을 때 SRAM 1 SRAM 2 Data Bus

kuic. kyonggi. ac. kr/~dssung Bus Contention without OE* Address CS# WE# OE# Data