nv SRAM SPI nv SRAM I 2 C

nv. SRAM ポートフォリオ 高密度 | 高速 SPI nv. SRAM I 2 C nv. SRAM CY 14 V 116 F/G 16 Mb； 3. 0、1. 8 V I/O 30 ns；ONFI 3 1. 0 x 8, x 16; Ind 1 CY 14 B 116 R/S 16 Mb； 3. 0 V 25, 45 ns; x 32; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 108 K/L 8 Mb； 3. 0 V 25, 45 ns; x 8; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 108 M/N 8 Mb； 3. 0 V 25, 45 ns; x 16; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 116 K/L 16 Mb； 3. 0 V 25, 45 ns; x 8; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 116 M/N 16 Mb； 3. 0 V 25, 45 ns; x 16; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 104 K/LA 4 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns; x 8; Ind 1 RTC 2 CY 14 V 104 LA 4 Mb； 3. 0、1. 8 V I/O 25, 45 ns; x 8; Ind 1 CY 14 B 104 M/NA 4 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns; x 16; Ind 1 RTC 2 CY 14 V 104 NA 4 Mb； 3. 0、1. 8 V I/O 25, 45 ns; x 16; Ind 1 CY 14 B 101 P 1 Mb； 3. 0 V 40 MHz SPI; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 101 I 1 Mb； 3. 0 V 3. 4 MHz I 2 C; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 101 KA/LA 1 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns; x 8; Ind 1 RTC 2 CY 14 V 101 LA 1 Mb； 3. 0、1. 8 V I/O 25, 45 ns; x 8; Ind 1 CY 14 B 101 MA/NA 1 Mb； 3. 0 V 25, 45 ns; x 16; Ind 1 RTC 2 CY 14 V 101 NA 1 Mb； 3. 0、1. 8 V I/O 25, 45 ns; x 16; Ind 1 CY 14 B 512 P 512 Kb； 3. 0 V 40 MHz SPI; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 512 I 512 Kb； 3. 0 V 3. 4 MHz I 2 C; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 256 KA/LA 256 Kb; 3. 0 V 25, 45 ns; x 8; Ind 1 RTC 2 CY 14 V/U 256 LA 256 Kb； 3. 0、1. 8 V I/O 35 ns; x 8; Ind 1 CY 14 E 256 LA 256 Kb; 5. 0 V 25, 45 ns; x 8; Ind 1 STK 14 C 88 -5 256 Kb; 5. 0 V 35, 45 ns; x 8; Mil 4 CY 14 B 256 P 256 Kb； 3. 0 V 40 MHz SPI; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 256 I 256 Kb； 3. 0 V 3. 4 MHz I 2 C; Ind 1 RTC 2 STK 11 C 68 -5 64 kb； 5. 0 V 35, 55 ns; x 8; Mil 4 STK 12 C 68 -5 64 kb； 5. 0 V 35, 55 ns; x 8; Mil 4 CY 14 B 064 P 64 kb； 3. 0 V 40 MHz SPI; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 064 I 64 kb； 3. 0 V 3. 4 MHz I 2 C; Ind 1 RTC 2 64 Kb～ 256 Kb 512 Kb～ 16 Mb パラレルnv. SRAM 1 業用グレード− 40℃～+85℃ 4軍用グレード− 55℃～+125℃ 2リアルタイム 5クワッドSPIインターフェース クロック 3オープンNANDフラッシュ インターフェース規格 001 -92287 Rev *A オーナー：RHOE 技術指導者：TUP QSPI 5の計画 nv. SRAM 入手にNDAが必要 16 Mb nv. SRAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 量産中 開発／企画中 新製品 8

nv. SRAM製品セレクタ ガイド 16 Mb nv. SRAM 部品番号 CY 14 B 116 L-ZS 25 XI インターフェース バス 幅 x 8 電源 電圧 3. 0 V I/O 電圧 3. 0 V RTC 非同期パラレル アクセス 時間 25 ns CY 14 E 116 L-ZS 25 XI 無 温度 -40～ 85°C パッケージ 54 TSOP II 非同期パラレル 25 ns x 8 5. 0 V 無 -40～ 85°C 54 TSOP II CY 14 B 116 K-ZS 25 XI 非同期パラレル 25 ns x 8 3. 0 V 有 -40～ 85°C 54 TSOP II CY 14 B 116 N-Z 30 XI 非同期パラレル 30 ns x 16 3. 0 V 無 -40～ 85°C 48 TSOP I CY 14 B 116 N-Z 45 XI 非同期パラレル 45 ns x 16 3. 0 V 無 -40～ 85°C 48 TSOP I CY 14 E 116 N-Z 30 XI 非同期パラレル 30 ns x 16 5. 0 V 無 -40～ 85°C 48 TSOP I CY 14 B 116 N-ZSP 25 XI 非同期パラレル 25 ns x 16 3. 0 V 無 -40～ 85°C 54 TSOP II CY 14 V 116 F 7 -BZ 30 XI 非同期パラレル ONFI 1. 0 45 ns 30 ns x 8 3. 0 V 1. 8 V 無 -40～ 85°C 165 -FBGA CY 14 V 116 G 7 -BZ 30 XI ONFI 1. 0 30 ns x 16 3. 0 V 1. 8 V 無 -40～ 85°C 165 -FBGA CY 14 B 116 N-BZ 25 XI 非同期パラレル 25 ns x 16 3. 0 V 無 -40～ 85°C 165 -FBGA CY 14 B 116 M-BZ 45 XI 非同期パラレル 45 ns x 16 3. 0 V 有 -40～ 85°C 165 -FBGA CY 14 B 116 S-BZ 25 XI CY 14 B 116 N-ZSP 45 XI 非同期パラレル 25 ns x 32 3. 0 V 無 -40～ 85°C 165 -FBGA CY 14 B 116 S-BZ 45 XI 非同期パラレル 45 ns x 32 3. 0 V 無 -40～ 85°C 165 -FBGA CY 14 E 116 S-BZ 25 XI 非同期パラレル 25 ns x 32 5. 0 V 無 -40～ 85°C 165 -FBGA 16 Mb nv. SRAMの部品番号解説 CY 14 X 116 X X – XXX XX X X 温度範囲： I = 業用 鉛含有：X = 無鉛 アクセス時間： 25 = 25 ns、30 = 30 ns、45 = 45 ns パッケージ：ZS = 44 -TSOP II、Z = 48 -TSOP I、ZSP = 54 -TSOP II、BZ = 165 -FBGA インターフェース：空白 = 非同期パラレル、7 = ONFI 1. 0 バス幅：L = x 8 、N = x 16 、S = x 32 、F = x 8 NAND 、G = x 16 NAND メモリ容量： 116 = 16 Mb nv. SRAM 電圧：B = 3. 0 V 、E = 5. 0 V 、V = 3. 0 V 、1. 8 V I/O マーケティング コード： 14 = nv. SRAM 会社ID：CY = Cypress 001 -92287 Rev *A オーナー：RHOE 技術指導者：TUP 16 Mb nv. SRAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 12