1 95 6 1925 Julius Edgar Lilienfeld 1

Ιστορικά Στοιχεία Νό μ πε λ 1 95 6 • 1925: Julius Edgar Lilienfeld – 1η Πατέντα (FET=Field-Effect-Transistor) • 1947: Bardeen, Shockley, Brattain - Διπολικό Τρανζίστορ

Παραδείγματα 1. 18 million 42 million 1989: Intel 80486 2000: Intel Pentium 4 1. 4 billion 2012: Intel Ivy Bridge Core i 7

Προτάσεις New Geometries 3 -D Multi-gate Devices

Fin. FETs Multi-Gate Transistors Nanowire Transistors

Fin. FETs: • • Source Drain Fins (channel) Gates

Φυσική: • Natural Length:

Κατασκευή: CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) • Fin Formation • Gate Stack Formation • Source and Drain Extension Implant • Spacer Formation • Epitaxial Raised Source/Drain Formation • Deep Source/Drain Implantation and Activation Anneal

Fin Height/Pitch:

Nanowire Transistors: • • • Source Drain Silicon Nanowire Gate Oxide

Fabrication: 3 Πύλες → Top, Right, Left

n-type p-type

Εφαρμογές: • Nanowire Transistor ακόμα σε ερευνητικό στάδιο • Fin. FET: • Intel Ivy Bridge 22 nm CPUs (2012) Intel Ivy Bridge 22 nm • 2002 → 2012 • Tri-Gate FET (3 κανάλια + 3 πύλες) • Up to 37% higher speed • Up to 50% less power consumption

Colinge, J. P. - Fin. FETs and Other Multi-Gate Transistors (Springer) Colinge, J. P. - Nanowire Transistors without Junctions (Nature Nanotechnology) Τσουκαλάς, Δ. - Σημειώσεις Φυσικής Μικροηλεκτρονικών Διατάξεων Θαναηλάκης, Α. - Θεωρία και Τεχνολογία Ημιαγωγών Kasap, S. O. - Αρχές Ηλεκτρονικών Υλικών και Διατάξεων (Παπασωτηρίου) Nanohub. org (Mug. FET & OMEN Nanowire Tools) Sung G. Kim - Mu. GFET: First-Time User Guide Saumitra R. Mehrotra - Nanowire: First-Time User Guide Wikipedia. org Hobs, Chris - CMOS Scaling Beyond Fin. FETs: Nanowires and TFETs (SEMATECH) Colinge, J. P. - The SOI MOSFET: from Single Gate to Multigate (Euro. SOI) Lee, Jong-Ho - Fabrication and Characterization of bulk Fin. FETs for Future Nano-Scale CMOS Technology • Fabio D’ Agostino, Daniele Quercia - Short-Channel Effects in MOSFETs • • •