Tehnologia realizrii circuitelor integrate Handout 5 Litografia Un

  • Slides: 16
Download presentation
Tehnologia realizării circuitelor integrate 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Tehnologia realizării circuitelor integrate 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Litografia • Un circuit integrat este o colecţie de dispozitive active şi componente pasive

Litografia • Un circuit integrat este o colecţie de dispozitive active şi componente pasive interconectate electric, realizate pe acelaşi substrat de siliciu. • Componenta de bază a circuitelor integrate este tranzistorul. Iniţial BIPOLAR apoi MOS în final Bi. CMOS. • Indiferent de tipul de tranzistor, acesta se compune dintro succesiune de straturi diferit impurificate. • Procedeul tehnic folosit pentru realizarea acestor straturi succesive şi a legăturilor dintre ele este LITOGRAFIA mai precis FOTOLITOGRAFIA • Fotolitografia se bazează pe acoperirea siliciului cu o substanţă fotosensibilă şi expunerea selectivă la ultraviolete prin nişte măşti. 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Minimum pattern dimension (mm) Evoluţia dimensiunii detaliului minim dintr-o mască IC for pocket calculator

Minimum pattern dimension (mm) Evoluţia dimensiunii detaliului minim dintr-o mască IC for pocket calculator 4 K memory 16 K memory 64 K memory 256 M memory 1 G memory Year 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

www. semiconductorfabtech. com/. . . / lithography/7. 147. f 8 c. jp 奈米科技與應用 Handout

www. semiconductorfabtech. com/. . . / lithography/7. 147. f 8 c. jp 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Limita rezoluţiei • Limita rezoluţiei unui sistem de expunere optic este : unde: •

Limita rezoluţiei • Limita rezoluţiei unui sistem de expunere optic este : unde: • k 1 este un parametru de proces (uzual 0. 4~0. 8); • NA este apertura numerică a sistemului de lentile (uzual între 0. 16~0. 6); · l este lungimea de undă a luminii utilizate. 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Lungimea de undă a surselor de lumină folosite în litografie Extreme UV (13. 5

Lungimea de undă a surselor de lumină folosite în litografie Extreme UV (13. 5 nm) ) Deep UV light F 2 7 5 1 nm ( 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Structura unui tranzistor MOS cu poartă de polisiliciu 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Structura unui tranzistor MOS cu poartă de polisiliciu 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Fotolitografia • Utilizează lumină pentru a expune un strat de fotorezist depus pe substrat

Fotolitografia • Utilizează lumină pentru a expune un strat de fotorezist depus pe substrat prin intermediul unei măşti. • Masca este o placă de 2 mm de sticlă, pe care sunt depuse regiuni opace de film de câţiva mm sau chiar mai puţin. • Fotorezistul este un polimer sensibil la lumina ultravioletă. Expunerea la lumină determină fie creşterea (rezist pozitiv) fie reducerea solubilităţii (rezist negativ) în anumiţi solvenţi. • Rezistul pozitiv asigură rezoluţie mai bună, cel negativ aderă mai bine la metal şi la Si. O 2. 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Fundamentals of Modern Manufacturing, by Mikell P. Groover 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Fundamentals of Modern Manufacturing, by Mikell P. Groover 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Tehnici de expunere Prin contact • Rezoluţie bună • Uzura măştii datorită contactului Prin

Tehnici de expunere Prin contact • Rezoluţie bună • Uzura măştii datorită contactului Prin proiecţie (preferată) Prin proximitate • Rezoluţia bună • Rezoluţie mai mică • Lipsa uzurii • Masca nu se uzează • Sistem optic sofisticat Fundamentals of Modern Manufacturing, by Mikell P. Groover 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Secvenţa proceselor fotolitografice Fundamentals of Modern Manufacturing, by Mikell P. Groover 奈米科技與應用 Handout 5

Secvenţa proceselor fotolitografice Fundamentals of Modern Manufacturing, by Mikell P. Groover 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Tehnologia bipolara si CMOS 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄

Tehnologia bipolara si CMOS 奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄