Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat Penguiat Tegangan n

Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat

Penguiat Tegangan n Menggunakan RD untuk mengubah arus menjadi tegangan

VTC n Saat input v. GS kurang dari Vt FET cut-off n Saat input v. GS melampaui Vt FET arus mulai mengalir VD turun MOSFET masuk mode saturasi n Saat input v. GS naik dan v. DS turun hingga v. DS sama v. OV MOSFET masuk mode trioda

Tegangan Bias untuk Penguat Linier n Pilih titik kerja DC pada keadaan arus tidak ditentukan tegangan drain-source (saturasi)

Penguatan Tegangan Sinyal Kecil

Penguatan Tegangan Sinyal Kecil n Bila vgs kecil maka vds dapat mendekati proposi dari vgs Penguatan di titik kerja n penguatan negatif sebanding resistansi dan transkonduktansi Arus DC n penguatan menjadi

Contoh 5. 9 n Penguat MOSFET mempunyai Vt 0, 4 V, kn’ 0, 4 m. A/V 2, W/L 10, dan l=0. Bila VDD 1, 8 V, RD 17, 5 k. W, dan VGS 0, 6 V, tentukan VOV, ID, VDS, dan Av dan berapa swing maksimum simetri pada drain serta swing pada gatenya

Contoh 5. 9 n Arus drain DC n Tegangan drain-source n Penguatan

Contoh 5. 9 n n n Tegangan DC drain source VDS 0, 4 V dan VOV 0, 2 V maka agar MOSFET masih saturasi VDS minimum 0, 2 V atau magnituda swing output 0, 2 V Perhitungan amplituda tegangan swing input kasar Perhitungan lebih baik bila vgs diperhitungkan saat menentukan batas saturasi

Contoh 5. 9 n Perhitungan lebih teliti dari batas saturasi

VTC dengan Analisis Grafis n Persamaan arus tegangan

Menentukan Tegangan Maksimum dan Minimum n Batas tegangan output maksimum saat Cut-off n Batas tegangan output maksimum saat Trioda

Menentukan Titik Kerja Q n Untuk VGS sama – Resistansi tinggi cenderung mendekati trioda – Resistansi rendah cenderung mendekati cut-off