Polovodie typu N a P Autor Luk Polk

  • Slides: 9
Download presentation
Polovodiče typu N a P Autor: Lukáš Polák Pokračovat

Polovodiče typu N a P Autor: Lukáš Polák Pokračovat

Polovodičové materiály, vlastnosti n n křemík Si arsenid galitý Ga. As selenid kademnatý Cd.

Polovodičové materiály, vlastnosti n n křemík Si arsenid galitý Ga. As selenid kademnatý Cd. Se sulfid kademnatý Cd. S Si Elektrické vlastnosti polovodičů závisí na: teplotě osvětlení čistotě látky Zpět Pokračovat

Vznik polovodiče typu N a P Přidáním některých prvků do křemíku polovodič N příměsí

Vznik polovodiče typu N a P Přidáním některých prvků do křemíku polovodič N příměsí např. arsenu As vznikají volné elektrony po připojení zdroje napětí způsobí elektrický proud N – negativní, záporný - polovodič P příměsí např. india In se polovodič může chovat, jako kdyby byl elektrický proud způsoben kladnými částicemi P – pozitivní, kladný + Zpět Pokračovat

Křemík Si Si Vazbu zprostředkují elektrony z obalu atomu: pevná vazba Si Si Si

Křemík Si Si Vazbu zprostředkují elektrony z obalu atomu: pevná vazba Si Si Si Zpět Pokračovat

Křemík Si Si Si K uvolnění elektronu z vazby je potřeba velká energie. Při

Křemík Si Si Si K uvolnění elektronu z vazby je potřeba velká energie. Při nízkých teplotách obsahuje velmi málo elektronů uvolněných z vazeb. velký elektrický odpor Zahřáním získá energii potřebnou k uvolnění elektronu z vazby. Při zvyšování teploty se jeho odpor snižuje. Zpět Pokračovat

Příměsi v křemíku z V. A skupiny Si Si Si Příměs arsenu As Arsen

Příměsi v křemíku z V. A skupiny Si Si Si Příměs arsenu As Arsen má v obalu pět elektronů, z nichž se čtyři Si Si As + - podílí na vazbě v křemíku. Pátý je vázán slabě a k jeho odtržení od atomu stačí As Si Si energie mnohem menší než k uvolnění z vazby. K odtržení elektronu stačí již pokojová teplota a ten se pak může v krystalu volně pohybovat. Vedení elektrického proudu je volný elektron způsobeno volnými elektrony. Polovodič typu N Zpět Pokračovat

Příměsi v křemíku z III. A skupiny Si In Si Příměs india In Indium

Příměsi v křemíku z III. A skupiny Si In Si Příměs india In Indium má v obalu tři elektrony. Ve vazbě se Si Si Si + - sousedními atomy jeden elektron chybí. Vznikne volné místo, které In Si Si může zaplnit elektron od sousedního atomu. Tím se volné místo přemístí, volné místo se pohybuje opačně než elektron. Vedení elektrického proudu je díra způsobeno děrami. Polovodič typu P Zpět Pokračovat

Zápisky n Krystal křemíku má při nízkých teplotách velký elektrický odpor. Jeho odpor se

Zápisky n Krystal křemíku má při nízkých teplotách velký elektrický odpor. Jeho odpor se dá snížit nahrazením několika atomů křemíku atomy jiných vhodných prvků. Vznikne buď polovodič typu N nebo polovodič typu P. Zpět Pokračovat

Použité materiály n Kolářová R. , Bohuněk J. , Fyzika pro 6. ročník základní

Použité materiály n Kolářová R. , Bohuněk J. , Fyzika pro 6. ročník základní školy, ISBN 80 -7196 -246 -5 n Kolářová R. , Bohuněk J. , Fyzika pro 7. ročník základní školy, ISBN 80 -7196 -265 -1 n Kolářová R. , Bohuněk J. , Fyzika pro 8. ročník základní školy, ISBN 80 -7196 -149 -3 n Kolářová R. , Bohuněk J. , Fyzika pro 9. ročník základní školy, ISBN 80 -7196 -193 -0 n n n Bohuněk J. , Sbírka úloh z fyziky pro ZŠ, 1. díl, ISBN 80 -85849 -06 -2 Bohuněk J. , Sbírka úloh z fyziky pro ZŠ, 2. díl, ISBN 80 -85849 -15 -1 Bohuněk J. , Sbírka úloh z fyziky pro ZŠ, 3. díl, ISBN 80 -85849 -82 -8 Zpět Konec