Y X layer 1 Xstrips layer 0 layer

Y X

layer 1 X_strips 有磁场

无磁场 layer 0 layer 1 layer 2 XV_type t. Rising_sheet 0( ns) t. Falling_sheet 0( ns) t. Rising_sheet 1( ns) t. Falling_sheet 1( ns) X 154. 8 299. 8 V 157. 5 296. 6 X 154. 1 298. 2 V 158. 7 299. 5 X 153. 9 299. 4 V 159. 9 300. 2

有磁场 layer 0 layer 1 layer 2 XV_type t. Rising_sheet 0( ns) t. Falling_sheet 0( ns) t. Rising_sheet 1( ns) t. Falling_sheet 1( ns) X 154. 3 295. 4 V 156. 6 299. 4 X 152. 7 295. 5 V 156. 3 301. 7 X 153. 7 294. 6 V 156. 1 301. 2

第一层探测器X_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 XCluster. Lay 1 -MC_X_Lay 1 Q_threshold=0 T_threshold=1 mm 有磁场 XCluster. Lay 1 -MC_X_Lay Q_threshold=0 T_threshold=1

第一层探测器X_Cluster位置分辨对比 无磁场 （单位：mm） XCluster. Lay 1 -MC_X_Lay 1 左上：n. XStrips=3 左下：n. XStrips=4 右上：n. XStrips=5 右下：n. XStrips=6 mm

第一层探测器X_Cluster位置分辨对比 有磁场 （单位：mm） XCluster. Lay 1 -MC_X_Lay 1 左上：n. XStrips=4 左下：n. XStrips=5 右上：n. XStrips=6 右下：n. XStrips=7

第一层探测器 V_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 VCluster. Lay 1 -MC_V_Lay 1 Q_threshold=0 T_threshold=1 有磁场 VCluster. Lay 1 -MC_V_Lay 1 Q_threshold=0 T_threshold=1

第一层探测器V_Cluster位置分辨对比 无磁场 （单位：mm） VCluster. Lay 1 -MC_V_Lay 1 左上：n. VStrips=3 左下：n. VStrips=4 右上：n. VStrips=5 右下：n. VStrips=6

无磁场 左上：n. VStrips=7 左下：n. VStrips=8 右上：n. VStrips=9 右下：n. VStrips=10

第一层探测器V_Cluster位置分辨对比 有磁场 （单位：mm） VCluster. Lay 1 -MC_V_Lay 1 左上：n. VStrips=3 左下：n. VStrips=4 右上：n. VStrips=5 右下：n. VStrips=6

有磁场 左上：n. VStrips=7 左下：n. VStrips=8 右上：n. VStrips=9 右下：n. VStrips=10

第二层探测器 X_Cluster位置分辨对比 mm mm 无磁场 XCluster. Lay 2 -MC_X_Lay 2 有磁场 XCluster. Lay 2 -MC_X_Lay 2

第二层探测器 V_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 VCluster. Lay 2 -MC_V_Lay 2 有磁场 VCluster. Lay 2 -MC_V_Lay 2

第三层探测器 X_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 XCluster. Lay 3 -MC_X_Lay 3 mm 有磁场 XCluster. Lay 3 -MC_X_Lay 3

第三层探测器 V_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 VCluster. Lay 3 -MC_V_Lay 3 mm 有磁场 VCluster. Lay 3 -MC_V_Lay 3