Y X layer 1 Xstrips layer 0 layer
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Y X
layer 1 X_strips 有磁场
无磁场 layer 0 layer 1 layer 2 XV_type t. Rising_sheet 0( ns) t. Falling_sheet 0( ns) t. Rising_sheet 1( ns) t. Falling_sheet 1( ns) X 154. 8 299. 8 V 157. 5 296. 6 X 154. 1 298. 2 V 158. 7 299. 5 X 153. 9 299. 4 V 159. 9 300. 2
有磁场 layer 0 layer 1 layer 2 XV_type t. Rising_sheet 0( ns) t. Falling_sheet 0( ns) t. Rising_sheet 1( ns) t. Falling_sheet 1( ns) X 154. 3 295. 4 V 156. 6 299. 4 X 152. 7 295. 5 V 156. 3 301. 7 X 153. 7 294. 6 V 156. 1 301. 2
第一层探测器X_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 XCluster. Lay 1 -MC_X_Lay 1 Q_threshold=0 T_threshold=1 mm 有磁场 XCluster. Lay 1 -MC_X_Lay Q_threshold=0 T_threshold=1
第一层探测器X_Cluster位置分辨对比 无磁场 (单位:mm) XCluster. Lay 1 -MC_X_Lay 1 左上:n. XStrips=3 左下:n. XStrips=4 右上:n. XStrips=5 右下:n. XStrips=6 mm
第一层探测器X_Cluster位置分辨对比 有磁场 (单位:mm) XCluster. Lay 1 -MC_X_Lay 1 左上:n. XStrips=4 左下:n. XStrips=5 右上:n. XStrips=6 右下:n. XStrips=7
第一层探测器 V_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 VCluster. Lay 1 -MC_V_Lay 1 Q_threshold=0 T_threshold=1 有磁场 VCluster. Lay 1 -MC_V_Lay 1 Q_threshold=0 T_threshold=1
第一层探测器V_Cluster位置分辨对比 无磁场 (单位:mm) VCluster. Lay 1 -MC_V_Lay 1 左上:n. VStrips=3 左下:n. VStrips=4 右上:n. VStrips=5 右下:n. VStrips=6
无磁场 左上:n. VStrips=7 左下:n. VStrips=8 右上:n. VStrips=9 右下:n. VStrips=10
第一层探测器V_Cluster位置分辨对比 有磁场 (单位:mm) VCluster. Lay 1 -MC_V_Lay 1 左上:n. VStrips=3 左下:n. VStrips=4 右上:n. VStrips=5 右下:n. VStrips=6
有磁场 左上:n. VStrips=7 左下:n. VStrips=8 右上:n. VStrips=9 右下:n. VStrips=10
第二层探测器 X_Cluster位置分辨对比 mm mm 无磁场 XCluster. Lay 2 -MC_X_Lay 2 有磁场 XCluster. Lay 2 -MC_X_Lay 2
第二层探测器 V_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 VCluster. Lay 2 -MC_V_Lay 2 有磁场 VCluster. Lay 2 -MC_V_Lay 2
第三层探测器 X_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 XCluster. Lay 3 -MC_X_Lay 3 mm 有磁场 XCluster. Lay 3 -MC_X_Lay 3
第三层探测器 V_Cluster位置分辨对比 mm 无磁场 VCluster. Lay 3 -MC_V_Lay 3 mm 有磁场 VCluster. Lay 3 -MC_V_Lay 3
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