Vlastn vodivost Shockleyho model Zvislost odporu na teplot
- Slides: 28
Vlastní vodivost
Shockleyho model
Závislost odporu na teplotě
Vodivost N
Model
Vodivost P
Model
Přechod PN: polovodičová dioda
Přechod PN
Přechod PN
Přechod PN
VA charakteristika diody
1. Usměrňování • Hrotová dioda • Plošná dioda
Usměrňování • Jednocestné • Dvojcestné – Grätzův můstek
2. stabilizace obvodů – Zenerova dioda
Stabilizace obvodů • Zenerova dioda
3. Řízení odporu • Dioda PIN
3. Řízení odporu • Dioda PIN Užívá se v oblasti centimetrových vln jako řízený odpor nebo spínač. Skládá se ze dvou silně legovaných oblastí P+ a N+ a oblasti vlastního (intrinzického) polovodiče I. Pro funkci diody je rozhodující vlastnost vrstvy I. Přiloží-li se na PIN diodu napětí v přímém směru, dojde k injekci nosičů do obou konců oblasti I a její odpor se zmenšuje v závislosti na procházejícím proudu. Vzhledem ke značné časové konstantě rekombinace (asi 1 μs) a velké době potřebné k extrakci těchto nosičů z vrstvy I nestačí se při vyšších kmitočtech oblast I vyprázdnit v průběhu záporné půlperiody. Proto se při harmonickém průběhu vf. napětí ustálí střední hodnota nosičů v oblasti I a dioda z vysokofrekvenčního hlediska představuje nízkou impedanci, ve velkém rozsahu nezávislou na přenášeném výkonu. Při závěrně polarizované PIN diodě dojde k odčerpání náboje z objemu vrstvy I a vytvoří se oblast prostorového náboje (tloušťka závisí na přiloženém napětí). Dioda se chová jako kondenzátor, jehož hodnota klesá. Přivedeme-li vf. napětí, nestačí se vrstva I v průběhu kladné půlperiody zaplnit nosiči a dioda vykazuje vysokou impedanci s malou závislostí na přivedeném výkonu.
4. Diody s optickými vlastnostmi • LED dioda
4. Diody s optickými vlastnostmi • Fotodioda
Bipolární tranzistor
Bipolární tranzistor • Střední část krystalu je báze B a přechody PN ji oddělují od oblastí s opačným typem vodivosti – kolektoru C a emitoru E. • V praxi bývá plocha kolektoru podstatně větší, než plocha emitoru, dotace emitoru příměsemi bývá vyšší a dotace kolektoru nižší.
Zapojení se společnou bází
Zapojení se společnou bází
Zapojení se společným emitorem
Unipolární tranzistor (řízený polem) MOSFET (metal-oxid-semiconductor-field-effect-transistor)
Unipolární tranzistor (řízený polem) MOSFET (metal-oxid-semiconductor-field-effect-transistor)
Tyristor
- Elektrická vodivost kovů
- Nevlastní vodivost polovodiče
- Závislost odporu na vlastnostech vodiče
- Proudový dělič
- Shockleyho rovnice
- Výpočet odporu
- Závislost elektrického odporu na vlastnostech vodiče
- Výpočet celkového odporu
- Sector and multiple nuclei model
- Taba 1962
- Power model vs exponential model
- Mapping of er model to relational model
- Quantum mechanical model atom
- Bohr
- Nativization meaning
- Contoh kasus motivasi dalam organisasi
- Model ekspositori
- Model pelatihan
- Motif utama pembuatan model perilaku konsumen adalah
- Model model etika profesi
- Keuntungan teknik dokumentasi por adalah
- Jack rothman model
- Billiard model international relations
- Compare and contrast bohr model to quantum model
- Vector vs raster gis
- Bohr-rutherford diagram
- Atomic theory graphic organizer
- Heliocentric vs geocentric
- Osi model vs internet model