Utilizacin de detectores de silicio con pistas para

Utilización de detectores de silicio con pistas para el estudio de la desintegración beta de núcleos exóticos ricos en neutrones. Manuel Fernández Ordóñez 11/12/2002

Núcleos 1. -Estructura Nuclear. Exóticos 2. -Test del Modelo Standard 3. -Astrofísica Nuclear

Experimental Implantation Setup

Experimental Implantation Setup - Detector de Silicio de 233. 0 mg/cm 2 (1 mm de espesor). - El detector consiste en 4 planos de 16 x 16 pixels. - Cada pixel cubre un área de 9. 765 mm 2 (3. 125 mm lado). - Se cubre todo el área del plano focal S 4 (200 cm 2).

Simulación - Código Montecarlo. - Sección eficaz de producción en el blanco (EPAX). - Propagación a través del separador de masas FRS. - Trasmisión. - Pérdidas de energía dentro del FRS (AMADEUS). - Pérdidas de energía en el stopper de aluminio. PEDRA extremadamente lento. AMADEUS sobreestima las interaccione a baja energía, pero podemos escalar p un valor.

- Pérdidas de energía para la implantación en el Silicio (SRIM 2000 - Elección del espesor del stopper en la realidad: Rango de los electrones Energía Rango Energía Depositada ------------------------------1 Me. V 2. 3 mm 178 Ke. V 2 Me. V 5. 2 mm 182 Ke. V emitidos 3 Me. V 7. 8 mm 190 Ke. V 4 Me. V 10. 3 mm 198 Ke. V ------------------------------

Simulación para el 202 Ir Núcleos con estados de carga 0 – 0: Núcleo Posición(um) Energía(Me. V/u) Tasa Implante(n/s) -------------------------------------------200 Os 933. 21 66. 4 1. 7 x 10 -5 200 Ir 900. 4 -975. 4 63. 2 4. 3 x 10 -4 201 Ir 724. 7 -790. 1 53. 9 3. 1 x 10 -4 202 Ir 456. 0 -548. 2 39. 3 7. 1 x 10 -5 203 Ir 178. 0 16. 2 1. 5 x 10 -5 202 Pt 336. 4 -416. 2 31. 3 2. 3 x 10 -3 203 Pt 181. 6 -273. 9 20. 2 1. 2 x 10 -3 Núcleos con estados de carga 1 – 0: Núcleo Posición(um) Energía(Me. V/u) Tasa Implante(n/s) -------------------------------------------196 Ir 690. 7 -780. 4 66. 4 3. 4 x 10 -4 197 Ir 397. 4 -461. 3 63. 2 1. 5 x 10 -3 198 Ir 109. 4 53. 9 3. 0 x 10 -4

Núcleos con estados de carga 0 – 1: Núcleo Posición(um) Energía(Me. V/u) Tasa Implante(n/s) -------------------------------------------204 Pt 640. 2 47. 8 2. 5 x 10 -5 205 Pt 356. 6 30. 1 1. 6 x 10 -5 Núcleos con estados de carga 1 – 1: Núcleo Posición(um) Energía(Me. V/u) Tasa Implante(n/s) -------------------------------------------197 Os 992. 3 69. 2 1. 1 x 10 -5 199 Ir 755. 8 -869. 1 57. 4 7. 1 x 10 -5 200 Ir 598. 9 45. 7 3. 0 x 10 -5 199 Pt 573. 0 -688. 5 48. 1 2. 4 x 10 -4 200 Pt 262. 3 -347. 9 26. 9 3. 2 x 10 -4

Probabilidad de Multi-implantación en un pixel - Intensidad de 108. - Suma total de secciones eficaces. - Tasa de implantación ~60 núcelos/s. - Distribucion de Poisson: - μ tasa de núcleos implantados. - t ventana de tiempo. - núcleos implantados en 1 pixel.

Conclusiones - Realización de un código Montecarlo que simula el setup experim - Reacciones en el blanco (EPAX). - Transmisión en el FRS. - Stopper. - Implantación en el detector de Silicio. - Simulaciones de casos físicos realistas: - Núcleos implantados. - Tasas de implantación. - Estados de carga.