Type Of Memory Access Type Access Time Word

Type Of Memory • Access Type Access Time = Word Select Tome + Read/Write time • RAM(랜덤 액세스 메모리) : Access time이 일정 • SAM(Sequectial Access Momory) Access time 이 데이터의 위치에 따라 가변(Magnetic Tape) • 정보 저장 Type • Volatile Memory(휘발성 메모리) : RAM • Non. Vilatile Memory(비휘발성 메모리) : ROM • Read 후 정보 손실 • Destructive read-out memory • Nondestructive read-out memory 2

Type Of Memory • Operation 방식에 따라 • Static RAM(SRAM) • Flip-flop 으로 이진정보 저장 • Read/Write time이 빠르다 • Cashe memory에 사용 • Dynamic RAM(DRAM) • Capacitor에 충전된 전기로 이진정보 저장 • 주기적으로 재충전(refreshing)이 필요 • Power 소비가 적다 • Memory의 집적도가 높다(bit당 transistor 수가 적다) 3

에러 검출과 수정(Hamming Code) 8 -bit 데이터 워드 =>11000100 비트 위치 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 P 1 P 2 1 P 4 1 0 0 P 8 0 1 0 0 P 1=XOR of bits(3, 5, 7, 9, 11)=0 (XOR 는 기함수임. ) P 2=XOR of bits(3, 6, 7, 10, 11)=0 P 4=XOR of bits(5, 6, 7, 12)=1 P 8=XOR of bits(9, 10, 11, 12)=1 메모리에서 비트 위치 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 001110010 1 0 0 12비트가 메모리에서 읽혀질 때, 4개의 검증 비트는 C 1=XOR of bits (1, 3, 5, 7, 9, 11) C 2=XOR of bits (2, 3, 6, 7, 10, 11) C 3=XOR of bits (4, 5, 6, 7, 12) C 4=XOR of bits (8, 9, 10, 11, 12) 13

조합회로 구현 ‘ 1’ ‘ 0’ A 7(I 4, I 3, I 2, I 0)=최소항의 합(0, 2, 3, …, 29) Input->00011(3) Others-> all ’ 0’ Output->10110010 19

예제 (PAL) 26