Tranzystory cele wykadu Celem wykadu jest przedstawienie dziaania
![Tranzystory - cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: • działania tranzystora bipolarnego • polaryzacji Tranzystory - cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: • działania tranzystora bipolarnego • polaryzacji](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-1.jpg)
![Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-2.jpg)
![Tranzystory - rodzaje Wyróżnia się dwie główne grupy tranzystorów, które różnią się zasadniczo zasadą Tranzystory - rodzaje Wyróżnia się dwie główne grupy tranzystorów, które różnią się zasadniczo zasadą](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-3.jpg)
![Tranzystory (ang. TRANSISTOR = TRANSfer res. ISTORs) Podział Tranzystory bipolarne i unipolarne BIPOLARNE (BJT Tranzystory (ang. TRANSISTOR = TRANSfer res. ISTORs) Podział Tranzystory bipolarne i unipolarne BIPOLARNE (BJT](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-4.jpg)
![Tranzystory - zastosowania Tranzystor ze względu na swoje właściwości wzmacniające znajduje bardzo szerokie zastosowanie. Tranzystory - zastosowania Tranzystor ze względu na swoje właściwości wzmacniające znajduje bardzo szerokie zastosowanie.](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-5.jpg)
![Tranzystory Tranzystory](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-6.jpg)
![Tranzystory (ang. TRANSISTOR = TRANSfer res. ISTORs) Podział Tranzystory (ang. TRANSISTOR = TRANSfer res. ISTORs) Podział](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-7.jpg)
![Tranzystory PODSTAWY ELEKTRONIKI – Jakub Dawidziuk 20 października 2006 Tranzystory PODSTAWY ELEKTRONIKI – Jakub Dawidziuk 20 października 2006](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-8.jpg)
![](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-9.jpg)
![](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-10.jpg)
![Symbol graficzny tranzystora bipolarnego npn Symbol graficzny tranzystora bipolarnego npn](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-11.jpg)
![Budowa tranzystora bipolarnego npn Budowa tranzystora bipolarnego npn](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-12.jpg)
![Symbol graficzny tranzystora bipolarnego pnp Symbol graficzny tranzystora bipolarnego pnp](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-13.jpg)
![](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-14.jpg)
![Zastosowania tranzystorów Zastosowania tranzystorów](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-15.jpg)
![Zastosowania tranzystorów: łącznik Zastosowania tranzystorów: łącznik](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-16.jpg)
![Zastosowania tranzystorów: wzmacniacz Zastosowania tranzystorów: wzmacniacz](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-17.jpg)
![Łącznik tranzystorowy (npn) Łącznik tranzystorowy (npn)](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-18.jpg)
![Łącznik tranzystorowy (pnp) Łącznik tranzystorowy (pnp)](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-19.jpg)
![„Tranzystorowy człowiek” „Tranzystorowy człowiek”](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-20.jpg)
![Tranzystor bipolarny (BJT) npn – układy połączeń Tranzystor bipolarny (BJT) npn – układy połączeń](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-21.jpg)
![Tranzystor bipolarny (BJT) pnp – układy połączeń Tranzystor bipolarny (BJT) pnp – układy połączeń](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-22.jpg)
![Stany pracy tranzystora Rozróżnia się cztery stany pracy tranzystora bipolarnego: • stan zatkania (odcięcia): Stany pracy tranzystora Rozróżnia się cztery stany pracy tranzystora bipolarnego: • stan zatkania (odcięcia):](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-23.jpg)
![Obszary pracy tranzystora npn Obszary pracy tranzystora npn](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-24.jpg)
![Tranzystor bipolarny – zasada działania O, już słyszę ten jęk: "Ale czy to w Tranzystor bipolarny – zasada działania O, już słyszę ten jęk: "Ale czy to w](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-25.jpg)
![Aby tranzystor znajdował się w stanie normalnej pracy to muszą być spełnione następujące warunki: Aby tranzystor znajdował się w stanie normalnej pracy to muszą być spełnione następujące warunki:](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-26.jpg)
![Tranzystor pracujący w układzie wzmacniacza. Złącze kolektor-baza jest spolaryzowane zaporowo (bateria EC), natomiast złącze Tranzystor pracujący w układzie wzmacniacza. Złącze kolektor-baza jest spolaryzowane zaporowo (bateria EC), natomiast złącze](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-27.jpg)
![Charakterystyki tranzystora Prąd kolektora IC jest tu funkcją napięcia bazaemiter UBE. Charakterystyka ta ma Charakterystyki tranzystora Prąd kolektora IC jest tu funkcją napięcia bazaemiter UBE. Charakterystyka ta ma](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-28.jpg)
![Charakterystyki U-I tranzystora npn w konfiguracji OE UCEsat - parametr katalogowy, podawany przy określonej Charakterystyki U-I tranzystora npn w konfiguracji OE UCEsat - parametr katalogowy, podawany przy określonej](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-29.jpg)
![Charakterystyki wyjściowe tranzystora npn (przykłady OB i OE) OB OE Charakterystyki wyjściowe tranzystora npn (przykłady OB i OE) OB OE](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-30.jpg)
![Tranzystor bipolarny w konfiguracji OE – obszary pracy Tranzystor bipolarny w konfiguracji OE – obszary pracy](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-31.jpg)
![Parametry graniczne tranzystora przekroczenie grozi uszkodzeniem UCE 0 max - maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter Parametry graniczne tranzystora przekroczenie grozi uszkodzeniem UCE 0 max - maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-32.jpg)
![Parametry tranzystora BC 211 Parametry tranzystora BC 211](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-33.jpg)
![Parametry tranzystora BC 211 Parametry tranzystora BC 211](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-34.jpg)
- Slides: 34
![Tranzystory cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie działania tranzystora bipolarnego polaryzacji Tranzystory - cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: • działania tranzystora bipolarnego • polaryzacji](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-1.jpg)
Tranzystory - cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: • działania tranzystora bipolarnego • polaryzacji i zakresów pracy tranzystora • konfiguracji połączeń • zależności opisujących prądy w tranzystorze • punktu pracy tranzystora • obszaru pracy bezpiecznej ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA– Jakub Dawidziuk Wednesday, March 3, 2021
![Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego Nazwa tranzystor pochodzi z Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-2.jpg)
Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer resistor", który oznacza element transformujący rezystancję.
![Tranzystory rodzaje Wyróżnia się dwie główne grupy tranzystorów które różnią się zasadniczo zasadą Tranzystory - rodzaje Wyróżnia się dwie główne grupy tranzystorów, które różnią się zasadniczo zasadą](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-3.jpg)
Tranzystory - rodzaje Wyróżnia się dwie główne grupy tranzystorów, które różnią się zasadniczo zasadą działania: 1. Tranzystory bipolarne, w których prąd wyjściowy jest funkcją prądu wejściowego (sterowanie prądowe). 2. Tranzystory unipolarne (tranzystory polowe), w których prąd wyjściowy jest funkcją napięcia (sterowanie napięciowe). Jakub Dawidziuk Wednesday, March 3, 2021
![Tranzystory ang TRANSISTOR TRANSfer res ISTORs Podział Tranzystory bipolarne i unipolarne BIPOLARNE BJT Tranzystory (ang. TRANSISTOR = TRANSfer res. ISTORs) Podział Tranzystory bipolarne i unipolarne BIPOLARNE (BJT](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-4.jpg)
Tranzystory (ang. TRANSISTOR = TRANSfer res. ISTORs) Podział Tranzystory bipolarne i unipolarne BIPOLARNE (BJT – Bipolar Junction Transistor) STEROWANE PRĄDOWO, czyli aby IC ≠ 0 musi IB ≠ 0 UNIPOLARNE (FET – Field Effect Transistor) STEROWANE POLEM ELEKTRYCZNYM występującym pomiędzy bramką i źródłem, czyli napięciem UGS wytwarzającym to pole, ale IG ≈ 0
![Tranzystory zastosowania Tranzystor ze względu na swoje właściwości wzmacniające znajduje bardzo szerokie zastosowanie Tranzystory - zastosowania Tranzystor ze względu na swoje właściwości wzmacniające znajduje bardzo szerokie zastosowanie.](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-5.jpg)
Tranzystory - zastosowania Tranzystor ze względu na swoje właściwości wzmacniające znajduje bardzo szerokie zastosowanie. Jest oczywiście wykorzystywany do budowy wzmacniaczy różnego rodzaju: różnicowych, operacyjnych, mocy (akustycznych), selektywnych, pasmowych. Jest kluczowym elementem w konstrukcji wielu układów elektronicznych, takich jak źródła prądowe, lustra prądowe, stabilizatory, przesuwniki napięcia, przełączniki, przerzutniki oraz generatory. Ponieważ tranzystor może pełnić rolę przełącznika, z tranzystorów buduje się także bramki logiczne realizujące podstawowe funkcje boolowskie, co stało się motorem do bardzo dynamicznego rozwoju techniki cyfrowej w ostatnich kilkudziesięciu latach. Tranzystory są także podstawowym budulcem wszelkiego rodzaju pamięci półprzewodnikowych
![Tranzystory Tranzystory](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-6.jpg)
Tranzystory
![Tranzystory ang TRANSISTOR TRANSfer res ISTORs Podział Tranzystory (ang. TRANSISTOR = TRANSfer res. ISTORs) Podział](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-7.jpg)
Tranzystory (ang. TRANSISTOR = TRANSfer res. ISTORs) Podział
![Tranzystory PODSTAWY ELEKTRONIKI Jakub Dawidziuk 20 października 2006 Tranzystory PODSTAWY ELEKTRONIKI – Jakub Dawidziuk 20 października 2006](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-8.jpg)
Tranzystory PODSTAWY ELEKTRONIKI – Jakub Dawidziuk 20 października 2006
![](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-9.jpg)
![](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-10.jpg)
![Symbol graficzny tranzystora bipolarnego npn Symbol graficzny tranzystora bipolarnego npn](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-11.jpg)
Symbol graficzny tranzystora bipolarnego npn
![Budowa tranzystora bipolarnego npn Budowa tranzystora bipolarnego npn](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-12.jpg)
Budowa tranzystora bipolarnego npn
![Symbol graficzny tranzystora bipolarnego pnp Symbol graficzny tranzystora bipolarnego pnp](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-13.jpg)
Symbol graficzny tranzystora bipolarnego pnp
![](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-14.jpg)
![Zastosowania tranzystorów Zastosowania tranzystorów](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-15.jpg)
Zastosowania tranzystorów
![Zastosowania tranzystorów łącznik Zastosowania tranzystorów: łącznik](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-16.jpg)
Zastosowania tranzystorów: łącznik
![Zastosowania tranzystorów wzmacniacz Zastosowania tranzystorów: wzmacniacz](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-17.jpg)
Zastosowania tranzystorów: wzmacniacz
![Łącznik tranzystorowy npn Łącznik tranzystorowy (npn)](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-18.jpg)
Łącznik tranzystorowy (npn)
![Łącznik tranzystorowy pnp Łącznik tranzystorowy (pnp)](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-19.jpg)
Łącznik tranzystorowy (pnp)
![Tranzystorowy człowiek „Tranzystorowy człowiek”](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-20.jpg)
„Tranzystorowy człowiek”
![Tranzystor bipolarny BJT npn układy połączeń Tranzystor bipolarny (BJT) npn – układy połączeń](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-21.jpg)
Tranzystor bipolarny (BJT) npn – układy połączeń
![Tranzystor bipolarny BJT pnp układy połączeń Tranzystor bipolarny (BJT) pnp – układy połączeń](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-22.jpg)
Tranzystor bipolarny (BJT) pnp – układy połączeń
![Stany pracy tranzystora Rozróżnia się cztery stany pracy tranzystora bipolarnego stan zatkania odcięcia Stany pracy tranzystora Rozróżnia się cztery stany pracy tranzystora bipolarnego: • stan zatkania (odcięcia):](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-23.jpg)
Stany pracy tranzystora Rozróżnia się cztery stany pracy tranzystora bipolarnego: • stan zatkania (odcięcia): złącza BE i CB spolaryzowane są w kierunku zaporowym, • stan nasycenia: złącza BE i CB spolaryzowane są w kierunku przewodzenia, • stan aktywny: złącze BE spolaryzowane w kierunku przewodzenia, zaś złącze CB zaporowo, • stan aktywny inwersyjny (krócej: inwersyjny): BE zaporowo, CB w kierunku przewodzenia (odwrotnie niż stanie aktywnym). Stan aktywny tranzystora jest podstawowym stanem pracy wykorzystywanym we wzmacniaczach; w tym zakresie pracy tranzystor charakteryzuje się dużym wzmocnieniem prądowym (kilkadziesiątkilkaset). Stany nasycenia i zaporowy stosowane są w technice impulsowej, jak również w układach cyfrowych. Stan aktywny inwersyjny nie jest powszechnie stosowanych, ponieważ ze względów konstrukcyjnych tranzystor charakteryzuje się wówczas gorszymi parametrami niż w stanie aktywnym (normalnym), m. in. mniejszym wzmocnieniem prądowym.
![Obszary pracy tranzystora npn Obszary pracy tranzystora npn](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-24.jpg)
Obszary pracy tranzystora npn
![Tranzystor bipolarny zasada działania O już słyszę ten jęk Ale czy to w Tranzystor bipolarny – zasada działania O, już słyszę ten jęk: "Ale czy to w](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-25.jpg)
Tranzystor bipolarny – zasada działania O, już słyszę ten jęk: "Ale czy to w ogóle można zrozumieć ? !" No cóż, po wykonaniu wielu doświadczeń (na ludziach) jestem skłonny twierdzić, że można. Oczywiście nie od razu w całej pełni, rozumienie wszystkich subtelnych zjawisk zachodzących w tranzystorach to przywilej nielicznych, ale większość zainteresowanych elektroniką może opanować tę sprawę na tyle, żeby opracowywać własne układy. Tylko nie trzeba zaczynać od strasznie dłuuugich wzorów z baaardzo mądrych książek. Spróbujmy zacząć od dość ważnego, a zwykle pomijanego stwierdzenia: tranzystor nie działa, jakby to rzec, sam z siebie. Działa, kiedy konstruktorzy technolodzy dołożą odpowiednio wielu starań, żeby działał. Właściwie tak samo jest ze wszystkimi rzeczami: np. rower daje się używać, kiedy kółka obracają się na kulkowych łożyskach, a nie są np. przyspawane do ramy. Dlatego nie jest tak, że wystarczy sklecić ze sobą trzy warstwy półprzewodnika o odpowiednich przewodnościach i już będzie tranzystor. Ciąg dalszy pod poniższym adresem: http: //www. eres. alpha. pl/elektronika/readarticle. php? article_id=7
![Aby tranzystor znajdował się w stanie normalnej pracy to muszą być spełnione następujące warunki Aby tranzystor znajdował się w stanie normalnej pracy to muszą być spełnione następujące warunki:](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-26.jpg)
Aby tranzystor znajdował się w stanie normalnej pracy to muszą być spełnione następujące warunki: • dla tranzystora npn potencjał kolektora musi być wyższy od potencjału emitera, • dla tranzystora pnp potencjał kolektora musi być niższy od potencjału emitera, • „dioda” baza-emiter musi być spolaryzowana w kierunku przewodzenia, a „dioda” kolektor-baza w kierunku zaporowym, • nie mogą zostać przekroczone maksymalne wartości IC, IB, UCE, moc wydzielana na kolektorze IC· UCE, temperatura pracy czy też napięcie UBE. npn pnp Jeżeli tranzystor jest w stanie normalnej pracy czyli spełnia powyższe warunki to z dobrym przybliżeniem prawdziwą jest zależność, którą warto zapamiętać: IC=h. FE· IB=b·IB gdzie h. FE jest współczynnikiem wzmocnienia prądowego nazywanego również betą. Współczynnik ten może przyjmować wartości od 50 do 300 A/A dla tego samego typu tranzystora, a więc nie jest dobrym parametrem na którym można opierać parametry projektowanego układu.
![Tranzystor pracujący w układzie wzmacniacza Złącze kolektorbaza jest spolaryzowane zaporowo bateria EC natomiast złącze Tranzystor pracujący w układzie wzmacniacza. Złącze kolektor-baza jest spolaryzowane zaporowo (bateria EC), natomiast złącze](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-27.jpg)
Tranzystor pracujący w układzie wzmacniacza. Złącze kolektor-baza jest spolaryzowane zaporowo (bateria EC), natomiast złącze baza-emiter w kierunku przewodzenia (bateria EB) Rozpływ prądu w tranzystorze npn. Ponieważ złącze baza-emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia to istnieje przepływ dziur z obszaru p do obszaru n oraz przepływ elektronów z obszaru n do obszaru p. Elektrony wprowadzane z emitera do bazy stają się tam nośnikami mniejszościowymi i drogą dyfuzji oddalają się od złącza emiterowego. Część tych elektronów łączy się z dziurami, których w bazie jest bardzo dużo (obszar p). Wszystkie elektrony, które dotrą w pobliże złącza kolektor-baza są unoszone do obszaru kolektora. Dla niedużej szerokości obszaru p (bazy) praktycznie wszystkie elektrony wstrzykiwane przez emiter do bazy dotrą do kolektora. Bardzo ważnym jest aby strata elektronów w bazie była jak najmniejsza.
![Charakterystyki tranzystora Prąd kolektora IC jest tu funkcją napięcia bazaemiter UBE Charakterystyka ta ma Charakterystyki tranzystora Prąd kolektora IC jest tu funkcją napięcia bazaemiter UBE. Charakterystyka ta ma](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-28.jpg)
Charakterystyki tranzystora Prąd kolektora IC jest tu funkcją napięcia bazaemiter UBE. Charakterystyka ta ma charakter wykładniczy. Dla tranzystora współczynnik korekcyjny m jest praktycznie równy jeden i wzór opisujący charakterystykę przejściową można z dobrym przybliżeniem przedstawić jako: Charakterystyka wyjściowa tranzystora, która przedstawia zależność prądu kolektora IC od napięcia kolektor-emiter UCE przy doprowadzonym napięciu wejściowym baza-emiter UBE. Zauważmy, że: • powyżej pewnego napięcia prąd kolektora prawie nie zależy od napięcia UCE, • do wywołania dużej zmiany prądu kolektora IC wystarczy mała zmiana napięcia baza-emiter UBE. Punkt, w którym następuje zagięcie charakterystyki wyjściowej nazywany jest napięciem nasycenia kolektor-emiter UCEsat.
![Charakterystyki UI tranzystora npn w konfiguracji OE UCEsat parametr katalogowy podawany przy określonej Charakterystyki U-I tranzystora npn w konfiguracji OE UCEsat - parametr katalogowy, podawany przy określonej](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-29.jpg)
Charakterystyki U-I tranzystora npn w konfiguracji OE UCEsat - parametr katalogowy, podawany przy określonej wartości IC oraz IB. UCEsat = 0, 2 ÷ 2 V Tranzystory mocy małej mocy
![Charakterystyki wyjściowe tranzystora npn przykłady OB i OE OB OE Charakterystyki wyjściowe tranzystora npn (przykłady OB i OE) OB OE](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-30.jpg)
Charakterystyki wyjściowe tranzystora npn (przykłady OB i OE) OB OE
![Tranzystor bipolarny w konfiguracji OE obszary pracy Tranzystor bipolarny w konfiguracji OE – obszary pracy](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-31.jpg)
Tranzystor bipolarny w konfiguracji OE – obszary pracy
![Parametry graniczne tranzystora przekroczenie grozi uszkodzeniem UCE 0 max maksymalne dopuszczalne napięcie kolektoremiter Parametry graniczne tranzystora przekroczenie grozi uszkodzeniem UCE 0 max - maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-32.jpg)
Parametry graniczne tranzystora przekroczenie grozi uszkodzeniem UCE 0 max - maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter UEB 0 max - dopuszczalne napięcie wsteczne baza-emiter UCB 0 max - dopuszczalne napięcie wsteczne kolektor-baza ICmax - maksymalny prąd kolektora IBmax - maksymalny prąd bazy Pstrmax - maksymalna dopuszczalna moc strat
![Parametry tranzystora BC 211 Parametry tranzystora BC 211](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-33.jpg)
Parametry tranzystora BC 211
![Parametry tranzystora BC 211 Parametry tranzystora BC 211](https://slidetodoc.com/presentation_image_h/214dd4ff8660b8eec4ded3230f6731cb/image-34.jpg)
Parametry tranzystora BC 211
Ergonomia korekcyjna
Vodní pták s bílým čelem a bílým zobákem
Zaproszenie na przedstawienie szkolne dla kolegi
Gdzie duch pana jest obecny tam jest wolność
Kurz w przyblizeniu
Cele 8 minuni ale lumii
Cele 7 minuni ale naturii
Cele mai mari aglomerari de stele se numesc
Cele 4 componente ale metodei clil
Muntii iordaniei
Metoda clil componente
Raspunderea in afaceri educatie antreprenoriala
Cele szczegółowe przykłady
Cele marketingowe przykłady
Care dintre cele patru semne folosite pe parcursul lecturii
Anna negacz
Sabina cisek
Na czym polega diagnoza edukacyjna
Etapele procesului de ingrijire
Dziedziny wychowania
Cele 14 nevoi
Facultad de lenguas ccia registro
Se da textul
Taifunul nina
Cele 6 tipuri de personalitate process communication model
Cele 10 valuri de persecutie
Ocenianie kształtujące informacja zwrotna przykłady
Cele 7 ceruri
Cele szczegółowe przykłady
Misja i wizja przykłady
Cele popisowe
Cele wycieczek
Plan de ingrijire cu cele 14 nevoi fundamentale
Cele gimnastyki korekcyjnej
Cele 66 de carti ale bibliei