Tecnologa Electrnica Universidad de La Laguna EL DIODO

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna EL DIODO INTRODUCCION El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. Resistencia nula

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna DIODO DE UNION PN Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el resto del circuito. Formación de la unión PN Se trata de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N.

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Zona P > átomos del grupo III ( Boro ). Zona N > átomos del grupo V ( Fósforo ). Mecanismo de difusión: Consiste en llevar partículas de donde hay más a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir: • Electrones de la zona N pasan a la zona P. • Huecos de la zona P pasan a la zona N.

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Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto: en la región de la zona P cercana a la unión: • El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa • Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. Carga positiva en la zona N y negativa en la zona P

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Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Aparece un campo eléctrico desde la zona N a la zona P que se opone al movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme pasan más cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. Finalmente: üZona P, semiconductora, con una resistencia RP. üZona N, semiconductora, con una resistencia RN. üZona de agotamiento (deplección): No conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una barrera de potencial. Polarización directa:

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Polarización directa (II): El potencial aumenta por encima del de barrera desaparece la zona de deplección. 1. 2. Electrones y huecos se dirigen a la unión. En la unión se recombinan. 3. 4. 5. La tensión aplicada se emplea en: Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Polarización inversa Tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión. Aumenta la anchura de la zona de deplección. Como en ambas zonas existen portadores minoritarios, su movimiento hacia la unión crea una corriente, aunque muy pequeña. Si aumenta mucho la tensión inversa, se produce la rotura por avalancha por ruptura de la zona de deplección. No significa la ruptura del componente.

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Característica tensión-corriente La figura muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real. • Región de conducción en polarización directa (PD). • Región de corte en polarización inversa (PI). • Región de conducción en polarización inversa. En el caso de los diodos de Silicio, VON está sobre los 0, 7 V.

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Principales características comerciales 1. Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. Tres límites: • Corriente máxima continua (IFM). • Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica también el tiempo que dura el pico. • Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia máxima del pico. 2. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. 3. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. 4. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 5. Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): A veces no es 0. 7 Volts.

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna MODELOS DEL DIODO DE UNION PN Modelos para señales continuas Válido tanto para señales contínuas como para de muy baja frecuencia. n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS. • VT, es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente expresión permite el cálculo de VT:

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna • R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensión que se está aplicando en la unión PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensión entre terminales externos. • IS, es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura. Modelo ideal del diodo de unión PN • Factor de idealidad como la unidad, n=1. • La resistencia interna del diodo es muy pequeña. la caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña, frente a la caída de tensión en la unión PN.

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Modelo lineal por tramos • En inversa, la corriente a través de la unión es nula. • En directa, la caída de tensión en la unión PN (VON) es constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo. Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio. El potencial térmico a esa temperatura (25 ºC) es VT=25. 7 m. V. Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuación ideal del diodo queda: Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 m. A < I < 1 A se tienen tensiones 0. 6 V <VDIODO< 0. 77 V. BIESTADO

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna ü Conducción o Polarización Directa "On“. La tensión es VON para cualquier valor de corriente. ü Corte o Polarización Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor de tensión menor que VON. Modelo para pequeñas señales de alterna Se aplica: La corriente:

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Modelo para pequeñas señales de alterna Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensión aplicada (VD) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El método de cálculo sería: Para obtener la solución al problema citado de una forma más simple se linealiza la curva del diodo en el entorno del punto de operación, es decir, se sustituye dicha curva por la recta que tiene la misma pendiente en el punto de operación, según se aprecia en la Figura

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Modelo para pequeñas señales de alterna A la derivada de la tensión con respecto a la corriente en el punto de operación se le llama resistencia dinámica del diodo r. D, y su expresión puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al término exponencial: Aproximación de Shockley Aproximación válida en la región de conducción en polarización directa del diodo.

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna DIODOS ZENER Se aprovecha la tensión inversa de ruptura mediante el control de los niveles de dopado. Se consiguen tensiones de ruptura de 2 – 200 Voltios y potencias máximas de entre 0. 5 W y 50 W. El diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene constante la tensión entre sus terminales (tensión zener, VZ). Estabilización de tensiones Corriente máxima en inversa Tensión Zener

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna EJEMPLO DE APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION La energía eléctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal. En ocasiones es necesario una tensión contínua. Esquema general de la rectificación. Vi: tensión de entrada. Vo: tensión de salida. RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna ESQUEMA BÁSICO. RIZADO DE LA ONDA DE SALIDA VO = Vi -VON Para Vi< 0 el diodo está en corte = no existe corriente Se intenta que esta onda de salida se parezca lo más posible a una línea horizontal. Siempre existe desviación de la ideal. Se cuantifica por el rizado de la onda de salida

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna EL CONDENSADOR EN LOS RECTIFICADORES Funcionamiento en vacío VD ≤ 0. El diodo nunca conducirá > C no descarga.

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Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Funcionamiento en carga I de carga del Condensador (muy pequeña). Para vi entre 0<wt< /2 I de la resistencia

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Mientras el diodo esté en corte, la parte derecha del circuito se comporta independientemente con respecto al generador. Descarga de C a través de RL

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Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Rectificador onda completa En semiciclo positivo de la señal: VA es mayor que VC: D 1 y D 3 no conducen Circuito equivalente

Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos Mejora con filtrado por condensador