TALLER ELECTRONICA DIGITAL RESUMEN GRAFICO LA ELECTRONICA ES

TALLER ELECTRONICA DIGITAL RESUMEN GRAFICO

LA ELECTRONICA ES LA TECNICA DE: §ALTAS FRECUENCIAS §BAJAS POTENCIAS

Campo de la ingeniería y de la física aplicada al diseño y aplicación de dispositivos, por lo general circuitos electrónicos, cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones para la generación, transmisión, recepción y almacenamiento de información. LA INFORMACION PUEDE CONSISTIR EN: • SEÑALES DE RADIO • IMÁGENES EN UNA PANTALLA • NUMEROS U OTROS DATOS EN UNA COMPUTADORA

PRIMERA COMPUTADORA DIGITAL ENIAC - 1946 CALCULADOR E INTEGRADOR NUMERICO ELECTRONICO CONSTRUIDO CON 18. 000 VALVULAS ELECTRONICAS

PRIMERA COMPUTADORA COMERCIAL UNIVAC 1 - 1951

TRANSISTOR 1948 - LABORATORIOS BELL (EE-UU) POR LOS FISICOS BRATTAIN – BARDEEN y SHOCKLEY PRECURSOR DE LA TECNOLOGIA ELECTRONICA A GRAN ESCALA

SEMICONDUCTORES §SILICIO §GERMANIO §SELENIO LAS PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES SE ESTUDIAN EN LA FISICA DEL ESTADO SOLIDO

SEMICONDUCTOR INTRINSECO Si Si Si 0 K Si Si: silicio Grupo IV de la tabla periódica Si Si Si

Si Si + Si Si 0 K Si Si 300 K Electrón Hueco Si Si Si

SEMICONDUCTOR INTRINSECO: acción de un campo eléctrico - + Si Si + + Si Si - + - Si Si Si +

LA CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR ES DEBIDA A DOS TIPOS DE PORTADORES DE CARGA: -ELECTRONES -HUECOS LA TEMPERATURA AFECTA DIRECTAMENTE A LAS PROPIEDADES ELECTRICAS DE LOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO : TIPO N Sb: antimonio Si Si Sb Si Si + Si Impurezas del grupo V de la tabla periódica Es necesaria muy poca energía para ionizar el átomo de Sb A temperatura ambiente todos los átomos de impurezas se encuentran ionizados

Sb + Electrones libres Sb + Sb + Sb + Impurezas grupo V Sb + 300 K Átomos de impurezas ionizados Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son electrones libres

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO : TIPO P Al: aluminio + Si Si Al Si Si - Si Impurezas del grupo III de la tabla periódica Es necesaria muy poca energía para ionizar el átomo de Al A temperatura ambiente todos los átomos de impurezas se encuentran ionizados

Al Al - Huecos libres Al Al - Al - Al Al - Impurezas grupo III Al - 300 K Átomos de impurezas ionizados Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son Huecos. Actúan como portadores de carga positiva.

UNION P-N UNION EN EQUILIBRIO - - - Semiconductor tipo P + + + - - + + + + Semiconductor tipo N + +

Zona de transición - - - - - Semiconductor tipo P - + + - - + + + + Semiconductor tipo N Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

UNION P-N POLARIZADA INVERSAMENTE P - - - - - + + - + N + + - - + + + + + La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay circulación de corriente.

UNION P-N POLARIZADA EN DIRECTA P - - - + + + - + N + + - - + + + + + La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.

P - - - Concentración de huecos + + + - + N + + - - + + + + Concentración de electrones + La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unión.

CIRCUITO INTEGRADO FINES DE LA DECADA DE LOS 50 s POR JACK KILBY y ROBERT NOYCE PRIMER CIRCUITO INTEGRADO DE LA HISTORIA

SILICON VALLEY (EE -UU)

SILICIO

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