Su objetivo es conseguir el rendimiento de una

Su objetivo es conseguir el rendimiento de una memoria de gran velocidad al costo de una memoria de baja velocidad Los puntos básicos relacionados con la memoria pueden resumirse en: *Cantidad *Velocidad *Costo

La cuestión de la cantidad es simple, cuanto más memoria haya disponible, más podrá utilizarse. La velocidad óptima para la memoria es la velocidad a la que el procesador puede trabajar, de modo que no haya tiempos de espera entre cálculo y cálculo, utilizados para traer operandos o guardar resultados.

Los niveles que componen la jerarquía de memoria habitualmente son: Nivel 0: Nivel 1: Nivel 2: Nivel 3: virtual) Nivel 4: Registros Memoria caché Memoria principal Disco duro (con el mecanismo de memoria Cinta Magnética, Memorias Extraíbles, Redes.

REGISTROS un registro es una memoria de alta velocidad y poca capacidad, integrada en el microprocesador, que permite guardar transitoriamente y acceder a valores muy usados, generalmente en operaciones matemáticas.

Tipos de registros Los Los Los registros registros de datos de memoria de propósito general de coma flotante constantes de propósito específico

Memoria CACHE Usada por la unidad central de procesamiento de una computadora para reducir el tiempo de acceso a la memoria. La caché es una memoria más pequeña y rápida, la cual almacena copias de los datos ubicados en la memoria principal utilizados con más frecuencia.

Memoria CACHE

Memoria CACHE Memoria de tipo SRAM (Estática) no necesita refresco. Normalmente hay dos niveles: L 1 (Level 1): integrada dentro del microprocesador y funciona a la misma velocidad de este. L 2 (Level 2): que puede estar integrada en la placa o en el micro. En las nuevas arquitecturas se agrega un nivel: L 3 (Level 3): o smart cache

Memoria CACHE Ej. : Los procesadores Core i 3, Core i 5, Core i 7 y Pentium así como Celeron basados en la arquitectura del Core i 7 cuentan con: Memoria cache de primer nivel (L 1) de 32 KB por cada núcleo. Memoria cache de segundo nivel (L 2) de 256 KB por cada núcleo Memoria cache de tercer nivel (L 3) 3 Mb, 6 Mb y 8 Mb para los modelos i 3, i 5 e i 7 respectivamente.

Memoria principal Es una unidad dividida en celdas que se identifican mediante una dirección. Está formada por bloques de circuitos integrados o chips capaces de almacenar, retener o "memorizar" información digital, es decir, valores binarios; a dichos bloques tiene acceso el microprocesador de la computadora.

Memoria principal Memoria de tipo DRAM (Dinámica. Necesita refresco continuamente. Más lenta que la SRAM, pero más barata.

Módulos de memoria: SIMM (Single In-Line Memory): Tenían 72 contactos. Eran memorias FPM y EDO. Trabajaban a velocidades de hasta 66 MHz. El primer Pentium tenían este tipo de memoria. Fast Page Mode (FPM): Divide la memoria en páginas y dispone de un mecanismo que automatiza la lectura de posiciones de memoria consecutivas. Extended Data Out (EDO): Similar a la anterior pero permiten iniciar un ciclo de acceso cuando aún no ha concluido el anterior. Supone una mejora del 5% aprox.

Módulos de memoria: DIMM (Dual In-Line Memory) 168 contactos. Para memoria SDRAM. Trabajaban a velocidades 66, 100 y 133 MHz. Fueron usados por Pentium, Pentium II y III. 184 contactos. Para memoria DDR. 240 contactos. Synchronous DRAM (SDRAM): Las transferencias de información tienen lugar de forma síncrona. Mejora del 25% sobre la anterior. Ej. : PC 100: 8 bytes x 100 Hz = 800 MB/s; PC 133: 8 bytes x 133 Hz = 1066 MB/s Double Data Rate (DDR): Es una evolución de la SDRAM. Dobla la transferencia de datos al permitir dos transferencias en un sólo ciclo de reloj.

Módulos de memoria:

Módulos de memoria: Para Memorias DDR 2 y DDR 3: Los DIMMs DDR 3 tienen 240 contactos, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.

Módulos de memoria: Double Data Rate II (DDR 2): Se realizan cuatros accesos por ciclo de reloj.

Módulos de memoria: Double Data Rate III (DDR 3): Permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR 2 anteriores. Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800 -2600 MHz, comparado con el rango actual del DDR 2 de 400 -1200 MHz ó 200 -533 MHz del DDR.

Módulos de memoria:

Actualidad Actualmente se está diseñando la DDR 4 y se prevé que estará disponible en 2014.

Memoria ROM Utilizada para almacenar el programa de arranque y la BIOS (Sistema Básico de Entrada/Salida) Tipos: PROM EPROM UVEPROM EEPROM (Flash BIOS)

DISCO DURO Es un dispositivo de almacenamiento de datos no volátil que emplea un sistema de grabación magnética para almacenar datos digitales