stav experimentlnej fyziky SAV Oddelenie fyziky nzkych teplt

  • Slides: 35
Download presentation
Ústav experimentálnej fyziky SAV Oddelenie fyziky nízkych teplôt Štúdium prechodu supravodič-izolant v homogénnych polykryštalických

Ústav experimentálnej fyziky SAV Oddelenie fyziky nízkych teplôt Štúdium prechodu supravodič-izolant v homogénnych polykryštalických tenkých filmoch v špinavej limite Doktorandský seminár ÚEF 2018 Košice 2018 Michal Kopčík

S-I prechod Kvantový fázový prechod zmena základného stavu systému (T=0) v dôsledku kvantových fluktuácií

S-I prechod Kvantový fázový prechod zmena základného stavu systému (T=0) v dôsledku kvantových fluktuácií Supravodi č Riadiace parametre • neusporiadanosť (prímesi, poruchy mriežky) • nízkorozmernosť • koncentrácia nosičov náboja • vonkajšie magnetické pole • . . . Izolant Bozónový scenár • • • fluktuácie fázy Δ postupná strata makroskopickej fázovej koherencie priamy prechod do izolačného stavu Fermiónový scenár • • • S-I prechod vyvolaný prechodom z 3 D do kvázi-2 D systému v tenkých filmoch bizmutu fluktuácie amplitúdy Δ postupný pokles amplitúdy parametra usporiadania Δ na nulu prechod cez stav zlého kovu

Neusporiadanosťou indukovaný SIT Fermiónový scenár Bozónový scenár Sacepé et al. , Phys. Rev. Lett.

Neusporiadanosťou indukovaný SIT Fermiónový scenár Bozónový scenár Sacepé et al. , Phys. Rev. Lett. 2008 Szabó et al. , Phys. Rev. B 2016

Magneticky indukovaný SIT • • • polykryštalické filmy Mo. Ge poľom indukovaná lokalizácia Cooperových

Magneticky indukovaný SIT • • • polykryštalické filmy Mo. Ge poľom indukovaná lokalizácia Cooperových párov indikácie výrazných fázových fluktuácií Gantmakher et al. , Sov. Phys. JETP Lett. 2000 • • Yazdani & Kapitulnik. , Phys. Rev. Lett. 1995 • Hsu et al. , Phys. Rev. Lett. 1995 amorfné filmy In. O atypické teplotné závislosti odporu v poli reentrantný prechod v blízkosti T=0 odráža dominantný fluktuačný príspevok

Tenké filmy Mo. C 3 nm S. J. Lee, J. B. Ketterson, PRL 1990

Tenké filmy Mo. C 3 nm S. J. Lee, J. B. Ketterson, PRL 1990

Tenké filmy Mo. C 3 nm S. J. Lee, J. B. Ketterson, PRL 1990

Tenké filmy Mo. C 3 nm S. J. Lee, J. B. Ketterson, PRL 1990 • • • polykryštalický film „bumerangové“ zrná s veľkosťou 20 -40 nm korugácia povrchu ~1 nm

Tenké filmy Mo. C 3 nm S. J. Lee, J. B. Ketterson, PRL 1990

Tenké filmy Mo. C 3 nm S. J. Lee, J. B. Ketterson, PRL 1990

Tenké filmy Mo. C 3 nm S. J. Lee, J. B. Ketterson, PRL 1990

Tenké filmy Mo. C 3 nm S. J. Lee, J. B. Ketterson, PRL 1990 Intrinzická neusporiadanosť - k. Fl = 1. 3 Blízkosť prechodu SupravodičIzolant Magnetickým poľom indukovaný SIT?

Tenké filmy Mo. C 3 nm Teplotná závislosť tunelových spektier energetická medzera Δ= 0.

Tenké filmy Mo. C 3 nm Teplotná závislosť tunelových spektier energetická medzera Δ= 0. 66 me. V kritická teplota Tc = 3. 95 K sila väzby 2Δ/k. Tc = 3. 85

Tenké filmy Mo. C 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier H [T]

Tenké filmy Mo. C 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier H [T]

Tenké filmy Mo. C 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier H [T]

Tenké filmy Mo. C 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier H [T]

Tenké filmy Mo. C 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier H [T]

Tenké filmy Mo. C 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier H [T]

Tenké filmy Mo. C 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier H [T] Altshulerov-Aronovov jav?

Tenké filmy Mo. C 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier H [T] Altshulerov-Aronovov jav? poľová závislosť iba v prípade paramagnetickej limity

Tenké filmy Mo. C 3 nm Kolmé horné kritické pole Hc 2

Tenké filmy Mo. C 3 nm Kolmé horné kritické pole Hc 2

Tenké filmy Mo. C 3 nm Kolmé horné kritické pole Hc 2

Tenké filmy Mo. C 3 nm Kolmé horné kritické pole Hc 2

Tenké filmy Mo. C 3 nm Kolmé horné kritické pole Hc 2

Tenké filmy Mo. C 3 nm Kolmé horné kritické pole Hc 2

Tenké filmy Mo. C 3 nm Kolmé horné kritické pole Hc 2 paramagnetická limita?

Tenké filmy Mo. C 3 nm Kolmé horné kritické pole Hc 2 paramagnetická limita?

Fluktuačná vodivosť Teplotná závislosť odporu v poli 0 -8 T

Fluktuačná vodivosť Teplotná závislosť odporu v poli 0 -8 T

Fluktuačná vodivosť Teplotná závislosť odporu v poli 0 -8 T

Fluktuačná vodivosť Teplotná závislosť odporu v poli 0 -8 T

Fluktuačná vodivosť Teplotná závislosť odporu v poli 0 -8 T príspevok supravodivých fluktuácií k

Fluktuačná vodivosť Teplotná závislosť odporu v poli 0 -8 T príspevok supravodivých fluktuácií k vodivosti Aslamazov-Larkin Maki-Thompson Density-of-states

Fluktuačná vodivosť Teplotná závislosť odporu v poli 0 -8 T Re-entrantný prechod príspevok supravodivých

Fluktuačná vodivosť Teplotná závislosť odporu v poli 0 -8 T Re-entrantný prechod príspevok supravodivých fluktuácií k vodivosti Aslamazov-Larkin Maki-Thompson Density-of-states

Fluktuačná vodivosť Model Galitski-Larkin kovová vodivosť V. M. Galitski and A. I. Larkin, PRB

Fluktuačná vodivosť Model Galitski-Larkin kovová vodivosť V. M. Galitski and A. I. Larkin, PRB 63 (2001) fluktuačná vodivosť

Fluktuačná vodivosť Model Galitski-Larkin kovová vodivosť fluktuačná vodivosť + Altshulerov-Aronovov príspevok V. M. Galitski

Fluktuačná vodivosť Model Galitski-Larkin kovová vodivosť fluktuačná vodivosť + Altshulerov-Aronovov príspevok V. M. Galitski and A. I. Larkin, PRB 63 (2001)

Fluktuačná vodivosť Model Galitski-Larkin

Fluktuačná vodivosť Model Galitski-Larkin

Fluktuačná vodivosť Model Galitski-Larkin Altshulerov-Aronovov príspevok

Fluktuačná vodivosť Model Galitski-Larkin Altshulerov-Aronovov príspevok

Altshulerov-Aronovov jav A-A príspevok k hustote stavov v paramagnetickej limite A-A Maki - de

Altshulerov-Aronovov jav A-A príspevok k hustote stavov v paramagnetickej limite A-A Maki - de Gennes + A-A BCS Dynes

Tenké filmy Mo. N 30 nm energetická medzera Δ= 0. 89 me. V kritická

Tenké filmy Mo. N 30 nm energetická medzera Δ= 0. 89 me. V kritická teplota Tc = 5. 1 K sila väzby 2Δ/k. Tc = 3. 99 10 nm energetická medzera Δ= 0. 47 me. V kritická teplota Tc = 2. 72 K sila väzby 2Δ/k. Tc = 3. 9 3 nm energetická medzera Δ= 0. 46 me. V kritická teplota Tc = 2. 93 K sila väzby 2Δ/k. Tc = 3. 53

Tenké filmy Mo. N 3 nm Teplotná závislosť tunelových spektier energetická medzera Δ= 0.

Tenké filmy Mo. N 3 nm Teplotná závislosť tunelových spektier energetická medzera Δ= 0. 46 me. V kritická teplota Tc = 2. 98 K sila väzby 2Δ/k. Tc = 3. 53

Tenké filmy Mo. N 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier

Tenké filmy Mo. N 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier

Tenké filmy Mo. N 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier poľovo nezávislý A-A jav?

Tenké filmy Mo. N 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier poľovo nezávislý A-A jav?

Tenké filmy Mo. N 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier poľovo nezávislý A-A jav?

Tenké filmy Mo. N 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier poľovo nezávislý A-A jav? Teplotná závislosť v poli 7 T

Tenké filmy Mo. N 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier Štatistický priemer 16384 tunelových

Tenké filmy Mo. N 3 nm Poľová závislosť tunelových spektier Štatistický priemer 16384 tunelových spektier na ploche 100 x 100 nm 2 v poli 5 – 7, 5 T Fity na A-A príspevok k hustote stavov 5 T 6, 5 T 7, 5 T

Ciele ďalšieho štúdia

Ciele ďalšieho štúdia

Konferencie a publikácie 2017/2018 Konferencie: 1. SURFINT-SREN, Progress in Applied Surface, Interface and Thin

Konferencie a publikácie 2017/2018 Konferencie: 1. SURFINT-SREN, Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2017, 20. 11. 201723. 11. 2017, Firenze, prezentovaný poster 2. 1 st edu. QUTE school on quantum technologies, 19. 2. 2018 -22. 2. 2018, Bratislava, účasť 3. International Conference on Multi-Condensate Superconductivity and Superfluidity in Solids and Ultra-cold Gases, 14. 5. 2018 -18. 5. 2018, Trieste, prezentovaný poster Publikácie: 1. „On the origin of in-gap states in homogeneously disordered ultrathin films. Mo. C case. “ prijatý do Applied Surface Science, jún 2018

Ďakujem za pozornosť

Ďakujem za pozornosť