Sample Cleaner Chamber Cleaner 1 OVERVIEW Plasma Cleaning
Sample Cleaner / Chamber Cleaner 예안통상
1. OVERVIEW Plasma Cleaning System 1. Sample 표면의 각종 오염 제거 2. Beam Damage의 최소화 3. SEM/FIB/TEM등의 Resolution 개선 4. EDXS 분석 신뢰도 개선 5. Sample Edge Effect의 효과적 생성 6. Contamination을 방지
2. Development Object FIB SEM TEM AES Chamber / Sample 표면 오염에 의한 현상 Beam Damage 증가로 생산성 감소 Chamber 오염 증가 : Native Oxide, Hydro Carbon : Contamination 발생 : Beam Damage 발생
3. Equipment Introduction 오염 물질 유기물 Sample의 각종 오염물질을 제거 Hydro Carbon Sample Outgas Oil & Grease Surface Native Oxide ØUltra High Resolution의 실현 Ø Beam Damage의 최소화 Ø 반도체 Pattern의 Shrink 최소화 Ø 효과적인 Edge Effect 생성 Ø EDAXS 분석 신뢰도 개선
1. Equipment Application Sample Cleaner SEM TEM FIB AES Dual Beam 적용장비 EDAX
2. Equipment Characteristic Sample Cleaner 기대 효과 Characteristic 1. SEM/TEM Chamber 오염 억제 효과 1. 쉬운 Operation 2. Hydro Carbon Peek 제거 효과로 2. 1 min ~ 5 min의 짧은 Cleaning EDAXS 분석 Data 정확도 향상 3. Sample Surface Native Oxide 제거로 고분해능 Image 실현 4. DUV, EUV Optic Parts Cleaning 효과 5. 염료반응 태양전지 친수성 효과 ( DSSC Hydrophobic ) 3. Gas의 공급이 필요 없는 일반 대기 주입의 방식 (Option – O 2, H 2 가능) 4. Sample에 Damage가 전혀 없음 5. Sample 제한이 없는 In-Lens Type과 Semi-In Lens Type 가능
3. Equipment Specification MODEL PI-6000 LCD Display Touch Screen Process Timer 0 ~ 99 min Process Gas Flow Range 0 ~ 100 sccm Process Vacuum Range 3. 0 ~ 6. 0 x E-1 torr Process RF Power 0 ~ 100 W Chamber size ¢ 105 x D 150 Stage size ¢ 70 Rotary Vacuum pump W 2 V 20 / 2 OO ℓ/min / 220 V Weight 12 kg Power AC 220 V, 0. 4 KW Dimension ( W x D x H ) 380 x 200 x 500
1. Overview Chamber Cleaner SEM / TEM / FIB Chamber Cleaning
2. Chamber 오염 Contamination 현상 q Chamber an inert Gas q q q 대기오염물질 Sample Exchange Chamber 불활성 Gas Electron Beam Refraction SEM/TEM Low Resolution Pattern Damage / Shrink Measurement Error Chamber Vacuum Lowering Noise 발생
3. Chamber Contamination 해결 방법이 없음. Contamination 원인 불활성 Gas가 Electron Beam의 열 에너지에 의하여 Scan하는 Sample에 반응, Hydro Carbon 생성에 의한 Sample Surface Contamination 현상 Contamination 의한 EDS 분석 불활성 Gas SEM Electron Scan 이 현상은 Electron Beam을 사용하는 분석장비에 (SEM. TEM. FIB등) 치명적인 분석 오류를 발생시키며, 현재 기술로 Contamination는 Plasma Cleaning외에는 해결 방법이 없음.
4. Chamber 오염원 제거 Plasma 방출 불활성 Gas Chamber 내에 Plasma에 의한 활성산소를 공급하여 불활성Gas와 결합하여 Pump로 Exhaust 하여 오염원을 제거한다 주기적 Chamber Cleaning은 High Resolution Image 유지 Chamber에 공존하는 불활성 Gas O 2: 산소 N 2: 질소 CO 2: 이산화 탄소 C: 탄 소 Cn. Hm: Hydro Corbon H 2 O: 수분 Oil Hum & Chamber Outgas
5. Chamber Cleaner Configuration MODEL PI-300 LCD Display Touch Screen 5. 7” Process Timer 0 ~ 99 min Process Gas Flow Range 0 ~ 200 sccm Process Vacuum Range 3. 0 ~ 6. 0 x E-1 torr Process RF Power 0 ~ 100 W Weight 7 kg Power AC 220 V, 0. 4 KW Plasma Clean Chamber & Controller Connection
1. Test Data Wafer P. R Fume 에 의한 Image Beam 산란 Chamber Cleaning 30 min 실시 ( Before ) S-5500 Sample Contamination (Before) S-5500 Chamber Cleaning 30 min 실시
1. Test Data ( Before ) ( After )
2. TEM image Si. OC/Si specimen (As-grown) 185 n m 20 nm Plasma cleaner처리 후 185 n m 20 nm EDS • Plasma 처리 후 전체적인 Carbon atomic %가 낮아 지는 것을 확인. • 시편의 Carbon오 염이 plasma cleaner에 의해서 감소하는 것을 확 인할 수 있었음.
3. 개선 효과 Analysis System & Solution SEM UP-GRAIDE 이미지 향상 최고의 Image 구현 결 2 과 q q 3 q 정확한 Date 확보 q 최종적인 이미지에 향상 q Electron Beam 량 증가로 작업이 편함. ( 이미지 밝기가 좋아짐 ) sample contamination 제거. Pattern Shrink 현상제거. Pattern Damage 현상제거. High Resolution 실현. q Electron Beam 증가 1 q Electron Beam 굴절 방지 q Operation 속도 향상. 쳄버 진공도 향상 쳄버 오염 제거 선명한 이미지 Pattern Damage 제거
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