PRIN 2005 linea Sistrip attivit di simulazione numerica

PRIN 2005 -linea Si-strip attività di simulazione numerica • Tipi di rivelatori: § strip ØFZ singola e doppia faccia ØEpitaxial ØThinned (backside etch) § 3 D § FZ/CZ, p-sub o n-sub ? ? ? § Singola o doppia colonna (n e p) ? ? ? § Buchi passanti vs buchi parziali ? ? ? § Active edge ? ? ?

• Attività strip: § Simulazione di Vdep, altezza di segnale, tempo di raccolta, CCE e risoluzione per MIP: Øimpatto dello spessore per i diversi tipi di rivelatori con geometrie standard Øottimizzazione geometrie: quali parametri? Ødipendenza dell’energy loss dallo spessore? § Simulazioni mixed-mode detector + preamplificatore: Øfront-end standard ibrido Øfront-end integrato: Jfet? Bjt? ? § Simulazione del danno da radiazione: Øquali particelle e quali fluenze? Øquali meccanismi? : oxide charges? type inversion? donor generation in epi-detectors? Øeffetti su Vdep, leakage current, carrier mean free path e CCE, isolamento lato ohmico, …

• Attività 3 d: § Simulazioni parametri elettrici (Vdep, campi elettrici, capacita’ parassite) al variare della tipologia, delle geometrie e del drogaggio (Spessori sottili ? ? ? ) § Simulazioni dinamiche con MIP: altezza di segnale, tempo di raccolta, CCE, risoluzione spaziale ? ? ? § Active edge: simulazione dead-area ? ? ? § Simulazioni mixed-mode detector + preamplificatore: Ø front-end standard ibrido § Simulazione del danno da radiazione: Øquali particelle e quali fluenze? Øquali meccanismi? : oxide charges? type inversion? Øeffetti su Vdep, leakage current, carrier mean free path e CCE, isolamento lato ohmico ? ? ?

PRIN 2005 -linea Si-strips attività di fabbricazione IRST + caratterizzazione elettrica • Fabbricazione: quanti batch (1 o 2 ? ) Per quali tipologie di rivelatori ? ? § strips ØFZ singola e doppia faccia ? ? ? ØEpitaxial ? ? ? ØThinned (backside etch) ? ? ? § 3 D ? ? ? • Caratterizzazione elettrica : test manuale + scan automatico

PRIN 2005 -linea Si-strips attività di progetto e caratterizzazione elettro-ottica • Layout: § Strips § 3 D ? ? ? • Caratterizzazione elettro-ottica: - test dinamico in risposta ad impulsi LASER veloci (980 nm, 1 ns) (per singolo canale)

Composizione gruppi Uni. TN: - 1 PA - 1 dottorando (dedicato) - 1 tecnico laureato (2 mesi uomo) - 1 persona a contratto sul progetto + personale IRST Uni. MO: - 2 PA - 1 persona a contratto sul progetto