POLUVODIKI ELEMENTI DIODE TRANZISTORI Materijali Germanij Ge 0

POLUVODIČKI ELEMENTI DIODE – TRANZISTORI

• Materijali • Germanij (Ge) – 0, 0007 % • Silicij (Si) – 27% SVOJSTVO Atomska težina Germanij Silicij 72. 6 28, 09 985, 5 2700 1415 2600 Toplinska vodljivost (W/m °C) 58, 6 83, 7 Širina zabranjenog prostora (e. V) 0, 68 1, 21 60 -65 63600 75 150 32 14 Talište (°C) Vrelište (°C) Specifični elek. otpor Postaje vodič kod (°C) Redni broj

• Dioda • Poluvodička komponenta • Propušta struju u jednom smjeru • Ispravlja izmjeničnu struju – simbol • Dva načina rada : 1. PROPUSNO POLARIZIRANA 2. REVERZNO POLARIZIRANA

1. Propusno polarizirana • Smjer u kojemu dioda provodi el. struju • Napon u propusno polarizirano smjeru naziva se NAPON KOLJENA

2. Reverzno polarizirana • Smjer u kojem dioda ne provodi el. struju • UB – PROBOJNI NAPON (-50 V) napon pri kojemu dioda probija malu struju u reverzno polariziranom smjeru

• Poluvalno ispravljanje • Ispravljanje izmjenične struje pomoću diode

• Vrste dioda • SIGNALNE DIODE – Koriste se za demodulaciju, mješanje i obradu VF signala • DIODE ISPRAVLJAČICE – Koriste se za ispravljanje izmjenične struje u istosmjernu u ispravljačima

• ZENEROVA DIODA – Koristi se kao referentni element u stabilizatoru napona – Imaju oštro izraženo koljeno • FOTO DIODE – Vrlo brzo reagiraju na promjenu svijetla – Koriste kao indikatori osvjetljenja • LED DIODE – Koriste se kao indikatori u raznim uređajima

• Tranzistor • • El. elementa koja omogućuje prijenos struje iz kruga malog otpora u krug velikog otpora bez promjene Dvije podjele tranzistora : a) Bipolarni b) Uniplarni

a) Bipolarni • Građeni su od 3 poluvodička spoja od kojih su vanjski istoga tipa – PNP – NPN

b) Unipolarni • Osnovnu funkciju izvode osnovni nosioci od elektriciteta • Zbog načela djelovanja zovemo ih tranzistori s efektom polja • Razlikujemo dva tipa: – JFET – MOSFET

• JFET • Princip rada temelji se na promjeni vodljivosti materijala tj. na promjeni širine prijelaznog PN spoja • Promjena širine se izvodi pomoću promjene el. polja

• MOSFET • Koristi efekt poprečnog polja za promjenu vodljivosti površinskog sloja • To se postiže stvaranjem kanala

Prezentaciju izradio Petar Krešimir Tauš Tehnička Škola Požega