Photo Process OK Overlay Check Overlay check Rework

黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程 黃光 程 製版處理 對準檢查 重合檢查 Photo Process OK Overlay Check Overlay check Rework NG OK ADI 顯影後檢查 ADI 現像檢查(目視) (After Develop Inspection) NG OK 顯影後檢查 SEM ADI 現像檢查(SEM) CD Measurement (After Photo) SEM CD NG OK 5 MFG

光罩簡介 Mask = Reticle 光罩用途: 光罩上面有線路圖形，將光罩上之線路圖形轉移 到晶片的光阻上。 光罩外觀 Substrates：Quartz 石英(QZ) 6“ Size： Glass Surface 0. 25 “ Pattern Surface Pellicle Surface 7 MFG

光罩簡介 Mask Naming Rule S A 2 V 56 S 30 A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE Ø Aligner -combination code : byte 1 u Ø u u F: 6” Stepper S : 6” Scanner Major-reversion code : byte 2 A ~ Z (I, Q, O can’t be used ) , alphabet only A : with TEG, B : without TEG Ø Product name : max 14 characters Ø Reduction ratio : Y : 6” 5 X , P : 6” 4 X , T : 6” 2 X u Ø Fixed character Ø No. of process layer : byte 19 ~ 20 u 01 ~ 99, no alphabet u ex: 51=1 F, 54=TG…. . byte 3 ~ 18 11 MFG

光罩簡介 Mask Naming Rule S A 2 V 56 S 30 A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE Ø u u Minor reversion code : byte 21 A ~ Z (I, Q, O can’t be used ), alphabet only minor pattern or layout change Wafer process reversion code : byte 22 EB shield slit specification Q: N/A, S: 5 um, T: 10 um, R: 15 um, U: 20 um DUV pellicle不能跟 I line pellicle共用 否則會使pellicle霧 化 Aligner-TEG code : byte 23 Specify exposure tool related information ex : L, M, N, P-- DUV pellicle, G, H, J, K -- i-line pellicle ex : G -- for 5 X Nikon, H -- for 2 X Canon…. . . alphabet only 12 MFG

光罩簡介 Mask Naming Rule S A 2 V 56 S 30 A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE Ø Fixed character : byte 24 Ø Vendor code : byte 25 ~ 26 u alphabet only u DP : DNP, TP : Toppan, MH : Melco, TC : Toppan Chunghwa Ø TM : Taiwan Mask CORP. Ø u Series No. : byte 27 ~ 28 01 ~ 99, no alphabet u Mask writer : byte 29 ~ 30 EB : MEEBS, CE : ALTA, JX : JEOL Ø Ø Fixed character : byte 31 Ø Remark : byte 32 ~ 36 13 MFG

光阻簡介 n. Common Photo Resist n. ARC n. Relacs n. HMDS 15 MFG

光阻簡介 UV Light HMDS Resist λ Mask λ 1) Vapor prime 2) Spin coating 3) Soft bake 4) Alignment and exposure 5) Postexposure bake 6) Develop 7) Hard bake 16 8) Develop inspect MFG

光阻簡介-ARC抗反射層 黃光有上Barc的layer及使用機台及TC Tech Layer TC Tool 0. 18 um/0. 165 um TG/BS/1 B/BL/1 C 0. 25 hr PJ 202/PJ 203/PJ 204 0. 15 um BS/1 B/1 S/1 C 0. 25 hr PJ 202/PJ 203/PJ 204 ※上Barc應注意各道Layer的wip及機台狀況 ※所有BARC Q-time均為 72小時 ※ 程碼: P*8 B 1 21 MFG

光阻簡介-RELACS The Process Flow of RELACS Photoresist Hole pattern AZ R 200 coating Cross-linked layer Mixing bake H+ Developing & rinse 23 MFG

光阻簡介-RELACS 黃光有Relacs的layer及使用機台及TC Tech Layer TC 程碼: P*8 R 1 Tool 0. 18 um/0. 165 um 1 B/2 B 0. 59 hr PJ 101/PJ 102/PJ 103 0. 15 um 1 B/2 B 0. 59 hr PJ 101/PJ 102/PJ 103 各產品1 B/2 B relacs QTime時間表 　 NSC NSJ NST N 5 A S 9 Y S 9 D S 9 A S 9 B PH 8 R 1(1 B) Q-TIME 10 hrs 24 hrs 24 hrs PJ 8 R 1(2 B) Q-TIME 48 hrs 24 hrs 48 hrs 　 S 9 C S 9 E S 9 F S 9 G S 9 H S 9 I S 9 J S 9 L PH 8 R 1(1 B) Q-TIME 24 hrs 24 hrs PJ 8 R 1(2 B) Q-TIME 48 hrs 24 hrs 48 hrs 24 MFG

黃光主機台生產簡介 生產流程 黃光 程 製版處理 對準檢查 重合檢查 Photo Process 程碼: P*811/P*81 A Photo Process OK Overlay Check Overlay check Rework NG OK ADI 顯影後檢查 ADI 現像檢查(目視) (After Develop Inspection) NG OK 顯影後檢查 SEM ADI 現像檢查(SEM) CD Measurement (After Photo) SEM CD NG OK 29 MFG

黃光主機台生產簡介 黃光主機台run貨流程 小姐依OPI lot priority選貨 Check機台 有無光罩 OK NG Check by前層 Feedback 有無過期或禁run OK 主機台release run NG 解FBS lock Pilot run 請光罩小姐 移光罩 Overlay check Rework ADI SEM 30 MFG

黃光主機台生產簡介 黃光主機台track及stepper處理程序 IN 去水烘烤 Dehydration Bake LHP OUT 硬烘烤 (Hard Bake) LHP 塗底 HMDS 曝前烤 光阻塗佈 (Pre-Exposure bake) Resist Coating ADH LHP COT 曝光後烘烤 顯影 Development DEV (Post Exposure Bake) PEB LHP Track 對準 (Alignment) 及 曝光 (Exposure) Stepper Scanner 一整台機台(PX/PU/PW): 還有區分為Track及Stepper 主機台 Track Stepper/Scanner PU*** PD*** PA*** PX 0*** PE*** PK*** PX 1*** PF*** PV*** PW*** PN*** PS*** 32 MFG

黃光主機台生產簡介 黃光主機台產能概況 廠商 型號 光源波長 使用光罩 大約產能 約23~26 L/day PU* Nikon I 11 D i-line: 365 nm 5 X(PU 031 4 x) PW* Cannon FPA 3000 IW i-line: 365 nm 2 X 約40 L/day PX 0* Nikon EX 12 B DUV: 248 nm 5 X 約25~28 L/day PX 1* Nikon EX 14 C: PX 101/102 EX 14 D: PX 103~105 DUV: 248 nm 5 X 約30 L/day PX 2* Cannon FPA 3000 EX 6 DUV: 248 nm 5 X 約45~50 L/day PX 3* PX 301(Cannon) PX 302/303(Nikon) FPA 5000 EX 4: PX 301 S 206 D: PX 302/PX 303 DUV: 248 nm 4 X 約55~60 L/day ■DUV光源為Kr. F ■黃光目前主機台都是以Semi-manual方式run貨(小姐放貨、小姐收貨) ■PU 031每日 50 L, PU* run 2 M每日 20 L, PX 006每日 20 L, PX 102 S 9 Y 1 S 每日 44 L 34 MFG

黃光Overlay生產簡介 35 MFG

黃光Overlay生產簡介 生產流程 黃光 程 製版處理 對準檢查 重合檢查 Photo Process OK Overlay Check Overlay check 程碼: P*KK 1 Rework NG OK ADI 顯影後檢查 ADI 現像檢查(目視) (After Develop Inspection) NG OK 顯影後檢查 SEM ADI 現像檢查(SEM) CD Measurement (After Photo) SEM CD NG OK 36 MFG

黃光Overlay生產簡介 Overlay 重合對準檢查概念 Layer 3 Layer 2 Contact Layer 1 上視圖 切割道上之 overlay mark 01 02 01 03 02層 與 01層 重合OK 03層 與 02層 重合OK 01 02 02層 與 01層 重合NG 01 03 02 03 01 02 01 03 02 03 03層 與 01層 重合NG 02層 與 01層 重合OK 03層 與 01層 重合NG 03層 與 02層 重合NG 39 03層 與 02層 重合OK MFG

黃光Overlay生產簡介 廠牌: KLA-Tencor q一廠已將5100/5200升級為 5100 XP/5200 XP ※ 5200/5300 performance較佳 QX high wip 注意事項 40 MFG

黃光PQC生產簡介 生產流程 黃光 程 製版處理 對準檢查 重合檢查 Photo Process OK Overlay Check Overlay check 程碼: P*K 1*(ADI)/P*K 3*(SEM) Rework NG OK ADI 顯影後檢查 ADI 現像檢查(目視) (After Develop Inspection) NG OK 顯影後檢查 SEM ADI 現像檢查(SEM) CD Measurement (After Photo) SEM CD NG OK 42 MFG

黃光PQC生產簡介 黃光的QA機台: QA 001/QA 004/QA 005/QA 006/QA 007/QA 009/QA 010/QA 012 QA* ADI 檢查機台 ※QA 001具有翻晶背的功能 Stage檢查 目視檢查 44 MFG

黃光PQC生產簡介 N 5* NS* S 9*程式對照表 層次 程碼 代號 ADI程式 1 F P 1 K 11 51 1 1 B PHK 11，3 90 1 2 F P 1 K 12 58 3 1 B(2) PHK 12 78 3 1 I P 2 K 11 85 3 BL PIK 11 91 1 2 I P 3 K 11 72 3 2 B PJK 11，2 75 1 3 I P 4 K 11 73 3 1 S PLK 11 76 1 4 I P 4 K 1 A 64 3 2 S PLK 12 92 1 1 D P 5 K 11 63 3 CP PNK 11 53 3 2 D P 6 K 11 64 3 1 C PSK 11 55 1 TG P 8 K 11 54 1 1 M PVK 11 56 1 2 N PFK 11 79 3 1 T PWK 11 61 1 2 P PGK 11 67 3 2 M PXK 11 62 1 BS PHK 1 A 83 1 　 　 ■ 程碼未註明在上，請用程式 1 Run貨 ■程式 1: 目視全檢，stage看３片 ■程式 031: 目視及stage下全檢 ■程式 3: 目視 3抽 1，stage看３片 ■程式 030: 目視 3抽 1，stage全檢 45 MFG

黃光PQC生產簡介 顯影後檢查(After Develop Inspection， ADI) 顯微鏡目檢 WEE 邊界 顯影 NG 光阻洗邊 PIX pattern crack 47 底層異常 Scratch MFG

黃光PQC生產簡介 機台 廠商 型號 QW 003 Hitachi 8820 QW 005 Hitachi 8820 QW 006 Hitachi 8820 QW 007 Hitachi 8840 QW 009 Hitachi 8840 QW 010 Hitachi 8840 SEM run貨模式為semi-manual: 小姐放貨， 小姐run貨，小姐收貨 49 MFG

黃光Polymide生產簡介 50 MFG

黃光Polymide生產簡介 Polyimide Process Flow Process Code Process Name Machine No. P 08 P 1 Coating Process PI P 0811 Exposure PS P 08 Q 1 Develop PL P 0 KQ 1 ADI QA 51 MFG

黃光Polymide生產簡介 Equipment Configuration Waiting time(40 min) PI* Wafer in Coati ng 5片以下1 hr Q-time 4 hr PS* 5片以下等15 min PL* Q-time 4 hr Exposure Development MK 7 -E type Canon FPA-3000 IW MK 7 -E type ( Track ) 2 X mask( Stepper ) ( Track ) P 08 P 1 P 0811 P 08 Q 1 膜厚: 9 um/18 um 52 MFG

黃光Polymide生產簡介 Polymide機台run貨配對組合 PI 601 PI 602 PL 601 PS 601 配對組合 PS 603 PL 602 PL 603 PI 603 PW 005 支援PS PI Polymide run 貨時間 PS PL 9 um TC 0. 77 hr/L 0. 9 hr/Lot 18 um 1. 13 hr/Lot Polymide因膜厚的不同影響整個run貨流程 53 MFG

黃光Polymide生產簡介 Polymide Rework Flow Rework 106液 (剝離劑) 30 min IPA(100%) 20 min 10 min DI Water 10 min WZ 601 旋乾機 10 min Ashing (EJ) Scrubber (PH) 54 Curing (EF) 350 C MFG

黃光生產特色及注意事項 1. 黃光run貨分類: Type Use Flag Feedback By前層機台 Feed. Back SGS Layer Barc/Relacs/PI/PL 1 V 2 V 3 V V 4 V V 2 F/IMP/2 N/2 P/1 B-2/2 S/CP(不 含S 9*) V 1 S/1 C/1 M/1 T/2 M/CP(S 9*) V 1 F/TG/BS/1 B(不含NS*)/BL/2 B 2. Pilot run: (雷同擴散test run) a. 黃光有feedback過期限制的因素，如過期需pilot run，pilot run ok才可下貨。 b. 禁run後pilot run 3. 光罩共用因素: 會影響機台配置 56 MFG

黃光生產特色及注意事項 4. 黃光SGS(Stepper Grouping System) 在Critical Layer因為考慮overlay的精確性及機台機差的因素必需採用SGS的 機制才能確保產品品質，亦即在SGS Layer從頭到尾必需採用同一台機台生 產，對製造來說限制比較多 Light Source PHOTO SGS Layer: 第一段 第二段 S 9* 1 F~1 B BL~2 B N 5*, NS* 1 F~BS BL~2 B Fly eyes Lens matching NG SGS Ratio: Condenser Lens Reticle Mask Projection Reduction Lens 在可用的SGS機台中，決定每台要投多少比重 的lot，目前在 1 F/BL有採用 SGS Grouping Change: 將在SGS區間的lot，從原本的SGS機台轉到其 它SGS機台(目前1 F/TG/BL可以轉SGS) 每一台機台 Lens condition 不同 光阻 晶片 平台 SGS loading balance控制很重要，會影響 到產品的cycle time 57 MFG

Q&A 59 MFG