P S P I C E q SPICE

입력형식 q 저항 Rxxxxx N 1 (EX) R 1 11 0 1 k N

독 립 신 호 원 q 펄스형(pulse) PULSE ( V 1 V 2 TD

독 립 신 호 원 q 정현파( SINUSOIDAL ) 형 SIN ( VO VA

독 립 신 호 원 q 지수형(exponential) exp ( VINI VPUL TD 1 TCR

독 립 신 호 원 q PIECE-WISE LINEAR형 PWL ( T 1 V 1

독 립 신 호 원 q 다이오드 D<이름> 예> <-마디> [(모델)명] [(규모)값] D 1

독 립 신 호 원 q JFET J<이름> <drain마디> <gate마디> <source마디> [(모델)명] [(규모)값] 2

예 제 [ subcurcuit ] R 1 10 10 k ~ 30 20 Vin

Simulation Example q Mos를 사용한 Inverter spec : mosfet의 length는 0. 5 u, pulse

Simulation Example q Mos를 사용한 Inverter spice simulation 결과

Simulation Example q Mos를 사용한 AND, OR gate AND gate OR gate

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P S P I C E q SPICE Simulation Program for Integrated Circuit Emphasis 비선형 회로의 직류응답, 과도응답, 선형 교류 해석 BJT, MOSFET, JFET, DIODE ect. AC, DC, Transient Simulation RLC, 독립전압원과 전류원, Transmission Line, 스위치 1

입력형식 q 저항 Rxxxxx N 1 (EX) R 1 11 0 1 k N 2 val 11 0 q 커패시터 Cxxxxx N+ N- val < IC= 초기조건> (EX) CIN 1 2 10 UF IC=3 V q 인덕터 Lxxxxx N+ N- (EX) L 1 5 6 1 U val < IC= 초기조건> 1 2

독 립 신 호 원 q 펄스형(pulse) PULSE ( V 1 V 2 TD TR TF PW PER ) (EX) V 1 1 2 PULSE 0 5 10 N 20 N 100 N 300 N Amplitude v 2 v 1 td tr pw per tf td t

독 립 신 호 원 q 정현파( SINUSOIDAL ) 형 SIN ( VO VA FREQ TD THETA ) VO : Offset (v or i) VA( amplitude) FREQ (Hz) TD( time delay ) THETA

독 립 신 호 원 q 지수형(exponential) exp ( VINI VPUL TD 1 TCR TD 2 TFR ) (EX) VIN 1 0 EXP 0 5 1 U 10 U 50 U 10 U Aplitude VPUL TCR TFR VINI TD 1 TD 2 t

독 립 신 호 원 q PIECE-WISE LINEAR형 PWL ( T 1 V 1 <T 2 V 2 <T 3 V 3. . > > >) (EX) VIN 1 0 PWL 1 U 2 2 U 3 4 U 6 6 U 1 Aplitude v 4 v 2 v 3 v 1 t 2 t 3 t 4 t

독 립 신 호 원 q 다이오드 D<이름> 예> <-마디> [(모델)명] [(규모)값] D 1 3 2 DIODE DCLAMP 10 20 : DCLAMP 10 20 DIN 914 q BJT Q<이름> <collector마디> <base마디> <emitter마디> [(모델)명] [(규모)값] 2 Q 1 2 N 2222 1 0 : Q 1 2 1 0 2 N 2222. Model 2 N 2222 NPN (IS=3. 1 e-1 bf = 200)

독 립 신 호 원 q JFET J<이름> <drain마디> <gate마디> <source마디> [(모델)명] [(규모)값] 2 JIN 모델: JMOD 1 : J 1 N 2 1 0 JMOD. Model JMOD NJF (IS=100 e-14 RD=10 RS=10 VTO=-5) 0 q MOSFET M<이름> <drain마디> <gate마디> <source마디> <bulk/substrate마디> 4 [(모델)명] + [L=값] [W=값] [AD=값] [AS=값] [PD=값] [PS=값] [NRD=값] + [NRS=값] [NRG=값] [NRB=값] [M=값] M 1 NMOD L=1 u W= 20 u 3 M 1 4 3 5 5 NMOD L=1 u w= 20 u. Model NMOD NMOS (VTO=2 RD=10 RS=10 RB=0 RG=0) 5

예 제 [ subcurcuit ] R 1 10 10 k ~ 30 20 Vin =0. 5 sin R 2 1 k CLOAD 0. 1 u. F . subckt eqsub 10 30 VIN 10 30 SIN (0 0. 5 1 K) R 1 10 20 10 k R 2 20 30 1 k CLOAD 20 30 0. 1 u ; ends eqsub

How to use Pspice

Simulation Example q Mos를 사용한 Inverter spec : mosfet의 length는 0. 5 u, pulse input (delay 10 n, period 20 n, duty 1: 1)

Simulation Example q Mos를 사용한 Inverter spice simulation 결과

Simulation Example q Mos를 사용한 AND, OR gate AND gate OR gate