nv SRAM SPI nv SRAM I 2 C

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nv. SRAM系列 大容量 | 高速度 SPI nv. SRAM I 2 C nv. SRAM CY

nv. SRAM系列 大容量 | 高速度 SPI nv. SRAM I 2 C nv. SRAM CY 14 V 116 F/G 16 Mb; 3. 0, 1. 8 V I/O 30 ns;ONFI 3 1. 0 x 8, x 16;Ind 1 CY 14 B 116 R/S 16 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 32;Ind 1 RTC 2 CY 14 B 108 K/L 8 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 8;Ind 1 RTC 2 CY 14 B 108 M/N 8 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 16;Ind 1 RTC 2 CY 14 B 116 K/L 16 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 8;Ind 1 RTC 2 CY 14 B 116 M/N 16 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 16;Ind 1 RTC 2 CY 14 B 104 K/LA 4 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 8;Ind 1 RTC 2 CY 14 V 104 LA 4 Mb; 3. 0,1. 8 V I/O 25, 45 ns;x 8;Ind 1 CY 14 B 104 M/NA 4 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 16;Ind 1 RTC 2 CY 14 V 104 NA 4 Mb; 3. 0,1. 8 V I/O 25, 45 ns;x 16;Ind 1 CY 14 B 101 P 1 Mb; 3. 0 V 40 MHz SPI; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 101 I 1 Mb; 3. 0 V 3. 4 MHz I 2 C; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 101 KA/LA 1 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 8;Ind 1 RTC 2 CY 14 V 101 LA 1 Mb; 3. 0, 1. 8 V I/O 25, 45 ns;x 8;Ind 1 CY 14 B 101 MA/NA 1 Mb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 16;Ind 1 RTC 2 CY 14 V 101 NA 1 Mb; 3. 0, 1. 8 V I/O 25, 45 ns;x 16;Ind 1 CY 14 B 512 P 512 Kb; 3. 0 V 40 MHz SPI; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 512 I 512 Kb; 3. 0 V 3. 4 MHz I 2 C; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 256 KA/LA 256 Kb; 3. 0 V 25, 45 ns;x 8;Ind 1 RTC 2 CY 14 V/U 256 LA 256 Kb; 3. 0, 1. 8 V I/O 35 ns;x 8;Ind 1 CY 14 E 256 LA 256 Kb; 5. 0 V 25, 45 ns;x 8;Ind 1 STK 14 C 88 -5 256 Kb; 5. 0 V 35,45 ns;x 8;Mil 4 CY 14 B 256 P 256 Kb; 3. 0 V 40 MHz SPI; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 256 I 256 Kb; 3. 0 V 3. 4 MHz I 2 C; Ind 1 RTC 2 STK 11 C 68 -5 64 Kb; 5. 0 V 35, 55 ns;x 8;Mil 4 STK 12 C 68 -5 64 Kb; 5. 0 V 35, 55 ns;x 8;Mil 4 CY 14 B 064 P 64 Kb; 3. 0 V 40 MHz SPI; Ind 1 RTC 2 CY 14 B 064 I 64 Kb; 3. 0 V 3. 4 MHz I 2 C; Ind 1 RTC 2 64 Kb - 256 Kb 512 Kb - 16 Mb 并行nv. SRAM 1 业范围:− 40ºC 至 +85ºC 4 5 2 实时时钟 估计用于QSPI 5 nv. SRAM 受保密协议(NDA) 保护 军用级别:− 55ºC 至 +125ºC 四路串行外设接口 3 开放式NAND闪存接口标准 001 -92035 版本*B 演示者:RHOE 技��� 人:TUP 16 Mb nv. SRAM新�品介�( 程�� ) 生产 开发/概念 最新 10

nv. SRAM产品选择器指南 16 Mb nv. SRAM 器件型号 CY 14 B 116 L-ZS 25 XI

nv. SRAM产品选择器指南 16 Mb nv. SRAM 器件型号 CY 14 B 116 L-ZS 25 XI CY 14 E 116 L-ZS 25 XI 异步并行 访问 时间 25 ns x 8 接口 3. 0 V I/O 电压 3. 0 V 总线 宽度 电源 电压 RTC 无 温度 -40至 85°C 封装 44 -TSOP II 异步并行 25 ns x 8 5. 0 V 无 -40至 85°C 44 -TSOP II CY 14 B 116 K-ZS 25 XI 异步并行 25 ns x 8 3. 0 V 有 -40至 85°C 44 -TSOP II CY 14 B 116 N-Z 30 XI 异步并行 30 ns x 16 3. 0 V 无 -40至 85°C 48 -TSOP I CY 14 B 116 N-Z 45 XI 异步并行 45 ns x 16 3. 0 V 无 -40至 85°C 48 -TSOP I CY 14 E 116 N-Z 30 XI 异步并行 30 ns x 16 5. 0 V 无 -40至 85°C 48 -TSOP I CY 14 B 116 N-ZSP 25 XI 异步并行 25 ns x 16 3. 0 V 无 -40至 85°C 54 -TSOP II CY 14 V 116 F 7 -BZ 30 XI 异步并行 ONFI 1. 0 45 ns 30 ns x 8 3. 0 V 1. 8 V 无 -40至 85°C 165 -FBGA CY 14 V 116 G 7 -BZ 30 XI ONFI 1. 0 30 ns x 16 3. 0 V 1. 8 V 无 -40至 85°C 165 -FBGA CY 14 B 116 N-BZ 25 XI 异步并行 25 ns x 16 3. 0 V 无 -40至 85°C 165 -FBGA CY 14 B 116 M-BZ 45 XI 异步并行 45 ns x 16 3. 0 V 有 -40至 85°C 165 -FBGA CY 14 B 116 S-BZ 25 XI CY 14 B 116 N-ZSP 45 XI 异步并行 25 ns x 32 3. 0 V 无 -40至 85°C 165 -FBGA CY 14 B 116 S-BZ 45 XI 异步并行 45 ns x 32 3. 0 V 无 -40至 85°C 165 -FBGA CY 14 E 116 S-BZ 25 XI 异步并行 25 ns x 32 5. 0 V 无 -40至 85°C 165 -FBGA 16 Mb nv. SRAM器件型号解码器 CY 14 X 116 X X – XXX XX X X 温度范围:I = 业 铅含量:X = 无铅 访问时间: 25 = 25 ns、30 = 30 ns、45 = 45 ns 封装:ZS = 44 -TSOP II、Z = 48 -TSOP I、ZSP = 54 -TSOP II、BZ = 165 -FBGA 接口:空 = 异步并行,7 = ONFI 1. 0 总线宽度:L = x 8、N = x 16、S = x 32、F = x 8 NAND、G = x 16 NAND 密度: 116 = 16 Mb nv. SRAM 电压:B = 3. 0 V、E = 5. 0 V、V = 3. 0 V、1. 8 V I/O 市场代码: 14 = nv. SRAM 公司ID:CY = 赛普拉斯 001 -92035 版本*B 演示者:RHOE 技��� 人:TUP 16 Mb nv. SRAM新�品�介( 程�� ) 16