MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET Berdasarkan mode operasinya
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) Berdasarkan mode operasinya MOSFET dapat dibedakan menjadi 2 yaitu : • D-MOSFET yang dapat bekerja pada mode operasi depletion-enhancement. • E-MOSFET yang hanya dapat bekerja pada mode operasi enhancement. 1
Struktur MOSFET VG = 0 METAL OXIDE SOURCE CHANNEL OXIDE DRAIN L 2
+VD VG > VTH ID METAL OXIDE n+ electrons OXIDE n+ p 3
Struktur D-MOSFET Saluran/kanal-N Deplesi-MOSFET Kanal-N (panjang kanal (L) & lebar channel (W) 4
Tipe D-MOSFET Saluran/kanal-N 5
Aliran Arus D-MOSFET Saluran/kanal-N 6
Karakteristik D-MOSFET 7
Simbol D-MOSFET 8
Enhancement MOSFET (E-MOSFET) • E-MOSFET juga mempunyai oksida logam tapi drain dan source tidak terhubung dalam satu kanal melainkan dipisahkan oleh substrat. • Untuk mendapatkan arus, maka harus diberikan tegangan yang cukup ke gerbang (VG). • Untuk EMOSFET kanal N, dimana tegangan antara gate dan source (VGS) minimum (menyebabkan mengalirnya arus disebut tegangan ambang batas Vth). 9
Tipe E-MOSFET 10
Struktur E-MOSFET Tidak ada Saluran-N Enhancement MOSFET Kanal-N: Panjang kanal L & lebar kanal W 11
Simbol 12
Karakteristik E-MOSFET 13
PRINSIP KERJA For v. GS < Vth, maka hubungan pn antara drain & source adalah reverse biased (kaki Drain dan source belum tehubung) 14 artinya arus drain i. D=0.
v. GS >Vth ----> terbentuk saluran n. v. GS bertambah----> saluran membesar, v. DS mengecil, Besarnya I D sebanding dengan v. DS. 15
v. DS bertambah, saluran mengecil di drain dan Laju pertambahan i. D : melambat Saat v. DS> v. GS -Vth, ----> i. D tetap (daerah saturasi) 16
PEMBIASAN MOSFET PERTEMUAN KE-2 17
Pembiasan pada D-MOSFET 18
1. Pembiasan Nol (Zero Bias) 19
2. Pembiasan pembagi Tegangan (Voltage Divider Bias) 20
Soal: 21
Pembiasan pada E-MOSFET 22
v Proses pembiasan E-MOSFET 23
v Proses pembiasan E-MOSFET (2) Rangkaian E-MOSFET 24
Soal: 25
Hasil simulasi: 26
selesai………. . 27
- Slides: 27