MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET Berdasarkan mode operasinya

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) Berdasarkan mode operasinya MOSFET dapat dibedakan menjadi 2 yaitu : • D-MOSFET yang dapat bekerja pada mode operasi depletion-enhancement. • E-MOSFET yang hanya dapat bekerja pada mode operasi enhancement. 1

Struktur MOSFET VG = 0 METAL OXIDE SOURCE CHANNEL OXIDE DRAIN L 2

+VD VG > VTH ID METAL OXIDE n+ electrons OXIDE n+ p 3

Struktur D-MOSFET Saluran/kanal-N Deplesi-MOSFET Kanal-N (panjang kanal (L) & lebar channel (W) 4

Tipe D-MOSFET Saluran/kanal-N 5

Aliran Arus D-MOSFET Saluran/kanal-N 6

Karakteristik D-MOSFET 7

Simbol D-MOSFET 8

Enhancement MOSFET (E-MOSFET) • E-MOSFET juga mempunyai oksida logam tapi drain dan source tidak terhubung dalam satu kanal melainkan dipisahkan oleh substrat. • Untuk mendapatkan arus, maka harus diberikan tegangan yang cukup ke gerbang (VG). • Untuk EMOSFET kanal N, dimana tegangan antara gate dan source (VGS) minimum (menyebabkan mengalirnya arus disebut tegangan ambang batas Vth). 9

Tipe E-MOSFET 10

Struktur E-MOSFET Tidak ada Saluran-N Enhancement MOSFET Kanal-N: Panjang kanal L & lebar kanal W 11

Simbol 12

Karakteristik E-MOSFET 13

PRINSIP KERJA For v. GS < Vth, maka hubungan pn antara drain & source adalah reverse biased (kaki Drain dan source belum tehubung) 14 artinya arus drain i. D=0.

v. GS >Vth ----> terbentuk saluran n. v. GS bertambah----> saluran membesar, v. DS mengecil, Besarnya I D sebanding dengan v. DS. 15

v. DS bertambah, saluran mengecil di drain dan Laju pertambahan i. D : melambat Saat v. DS> v. GS -Vth, ----> i. D tetap (daerah saturasi) 16

PEMBIASAN MOSFET PERTEMUAN KE-2 17

Pembiasan pada D-MOSFET 18

1. Pembiasan Nol (Zero Bias) 19

2. Pembiasan pembagi Tegangan (Voltage Divider Bias) 20

Soal: 21

Pembiasan pada E-MOSFET 22

v Proses pembiasan E-MOSFET 23

v Proses pembiasan E-MOSFET (2) Rangkaian E-MOSFET 24

Soal: 25

Hasil simulasi: 26

selesai………. . 27