Manual for OLED Team Related project Kyonghwan Oh

Manual for OLED Team Related project: Kyonghwan Oh OLED team IELAB Updated: Oct. 30, 2012

Contents v v v Objectives Revision history Material creation Simulation Measurement Appendix • • • Graph creation using Origin Graph creation using Excel Drawing creation using Visio 오경환, 10/30/2012 2

Revision History v Creation: 10. 30. 2012 v Revision • 11. 12. 2012, Measurement 부분 추가. 오타 수정. 4

Material Creation

Simulation

Crosstalk Simulation (예) v 시뮬레이션 목적 • • T 2 leakage에 의한 crosstalk 정도 확인. 인접 화소간 data line 사이 coupling에 의한 crosstalk 정도 확인 ― Line 1 to Line 2 • VDD-IR drop에 의한 simulation 확인. v Note • SD 6 T 1 C 화소 구조와 비교할 예정. v Conditions 005. OLED_team0. Notice ManualBlock_5 T 2 C. vsd Netlist 위치 Schematic diagram Index Value T 0 4 μm/ 12 μm ELVDD 4. 6 V T 1, T 2 3 μm/ 3 μm (dual) ELVSS -5. 4 V T 3, T 4 3 μm/ 3 μm Vinit -2 V C 1, C 2 0. 1 p. F Scan, em, comp, init -7 V ~ 7 V Simulation: 금낙현, 장유나, 10/19/2012 오경환, 10/30/2012 005. OLED_team 0. Notice ManualBlock_5 T 2 C. vsd Crosstalk pattern 11

T 2 Leakage Induced Crosstalk (예) v Description • • Node A 발광 도중 다른 라인의 data 전압으로 인해 Node A 전압이 변함. Node A 전압 변화에 의해 T 2의 leakage current의 변화가 발생하여 T 0 gate 전압에 변화를 일으켜 cross talk 발생. v Results • Single gate T 2 ― Region 1이 Region 2에 비해서 R, G, B 픽셀 별로 각 각 2. 16%, 3. 12%, 1. 87% 더 밝게 나타남. R WS 라이브러리 위치 WS 시뮬레이션 위치 및 파일명 • G B Current (n. A) Error (%) 6. 91 ref. 3. 94 ref. 15. 41 ref. 7. 06 2. 16 4. 06 3. 12 15. 69 1. 87 Dual gate T 2 ― Region 1이 Region 2에 비해서 R, G, B 픽셀 별로 각 각 0. 09%, 0. 06%, 0. 11% 더 밝게 나타남. ― 기존에 T 2를 single gate로 사용 했을 때 보다 crosstalk에 대한 영향이 줄어듦. R WS 라이브러리 위치 WS 시뮬레이션 위치 및 파일명 G 6. 62 ref. 3. 87 ref. 14. 92 ref. 6. 62 0. 09 3. 87 0. 06 14. 93 0. 11 오경환, 10/30/2012 Schematic diagram 005. OLED_team0. Notice ManualBlock_5 T 2 C. vsd 127 B Current (n. A) Error (%) Simulation: 금낙현, 장유나, 10/19/2012 005. OLED_team0. Notice ManualBlock_5 T 2 C. vsd 255 Crosstalk pattern 12

Measurement

OLED Initial IV Curve (예) v 측정 목적 • • OLED에 stress를 가하기 전에 초기 IV 정보를 획득하기 위함. 초기 OLED 특성이 열화 후 어떤 영향을 줄기 알아보기 위함. v 측정 방식 • • OLED가 증착된 glass의 온도를 settling 시킨 후, 항온이 유지된 상태에서 OLED의 IV 를 측정. 온도를 증가 시켜 가며 OLED IV curve를 측정함. v Note • • 온도를 증가 시킬 때 thermo coupler 를 glass에 대고 glass의 온도가 settling 될때 까 지 충분한 시간을 기다림. 경험적으로 온도 controller로 3°C 증가 시키면 glass 온도가 settling 될때 까지 약 15 min. 이 걸림. v Conditions • Equipment ― SUMMIT 12971 B probe station, Temtroniks thermo chuck, Agilent E 5280 B, Fluke 51 K/J thermo coupler • DUT ― OLED TEGs from Samsung Display in 8/2/2012 오경환, 11/12/2012 15

DUT Description (예) v OLED TEG • • • 2 mm x 2 mm OLED Emission type: bottom emission Fabrication: fine metal mask (FMM) Supplier: Samsung Display Received date: 8/2/2012 v Received samples Excel sheet 위치 Index Total Measured Remain Under stress test RED 20 10 10 4 GREEN 20 5 15 0 BLUE 20 5 15 0 Total 60 20 40 4 OLED TEG Cell 005. OLED_team0. Notice Manual121030_OLED_TEG. vsd Measurement preparation : 김기한, 나준석, 9/16/2012 오경환, 11/12/2012 16

Measurement Procedure (예) v 측정시 • • SUMMIT 12971 B Prove Station으로 Voltage를 0 V 부터 5 V 까지 변화시키며 IV Curve 측정 이때, Temptronics TPO 3000 Thermal Chuck을 이용하여 Glass가 올려져 있는 Chuck의 온도를 27°C 로 유지함 v 측정방법 • • • Initial은 장비 초기 setting ( 27°C ) 후 약 30분 이후에 측정 이전에 측정 시 사용된 2개의 OLED(R 1_1, R 1_2)를 27°C 에서의 5번씩 IV curve 측정 ( initial ) 매 1시간마다 측정을 반복 Measurement preparation : 김기한, 9/16/2012 오경환, 11/12/2012 17