LED Substrate EPI Wafer COW Chip COT MO

LED上游廠製程說明 Substrate 磊晶 EPI Wafer 晶粒前段 COW 晶粒後段 Chip COT

磊晶製程說明 ¡ ¡ ¡ MO MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition ) 一般指磊晶機台 EPI Epitaxy 磊晶片(外延片) LED材質與發光範圍

磊晶製程說明 ¡ ¡ ¡ PL (光激光量測儀器) WLP avg, WLP std, HW avg EL (電激光量測儀器) WLP avg, IV/PO avg, VF avg PR (反射率量測儀器) PRA, PRR WLP (Peak Wave Length) (峰波長) WLD (Dominant Wave Length) (主波長) HW (Spectrum Line Half Width) (半高寬) IV (Luminous Intensity) (亮度單位) PO (Radiant Power) (亮度單位) VF (Forward Voltage) (順向 作電壓) PRA (PR average) PRR (PR range) CP% IV & WLD透過公式計算所得的值，用以介定磊晶亮度等 級

PR(P) P-Ga. N N-Ga. N ICP黃光 PR(P) P-Ga. N N-Ga. N 曝光顯影 P-Ga. N N-Ga. N PR(P) P-Ga. N N-Ga. N 去PR P-Ga. N N-Ga. N ITO蒸鍍 P-Ga. N N-Ga. N ICP蝕刻 ITO PR(P) P-Ga. N PR(P) N-Ga. N 曝光顯影 P-Ga. N N-Ga. N ITO蝕刻 P-Ga. N N-Ga. N PR(N) P-Ga. N NP pad 黃光 P-Ga. N N-Ga. N 曝光顯影 P-Ga. N NP pad蒸鍍

Si. O 2 P-Ga. N N-Ga. N 浮離 去PR P-Ga. N N-Ga. N Si. O 2沉積 P-Ga. N N-Ga. N Si. O 2黃光 PR(P) P-Ga. N N-Ga. N 曝光顯影 P-Ga. N N-Ga. N Si. O 2蝕刻 P-Ga. N N-Ga. N Si. O 2 P Pad N Pad ITO P-Ga. N N-Ga. N 去PR

亮度提升方法 ¡ ¡ ITO 透明電極 Current spreading CB Current Blocking DBR (distributed Bragg reflector 分布布拉格反射) PSS Pattern Sapphire Substrate l l 外購 自製 ¡ ¡ Side wall etching l l ¡ 必備機台：Stepper / Overlay / CDSEM / Etcher 側蝕壁 SD Laser (隱形切割Stealth Dicing) Vertical structure