Introduksjon til utleggsregler Enkle utleggsregler 2008 Inverter INF
- Slides: 17
Introduksjon til utleggsregler Enkle utleggsregler: 2008 Inverter INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Enkle MOS kapasitans modeller Gatekapasitens: der 2008 der INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Oppgave 2. 4 En transistor med lengde 90 nm har en tykkelse på gateoksid(tox) lik 16Å. Hva blir gatekapasitans per mikrometer? Løsning: 2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Gatekapasitans detaljer Ubiasert gatekapasitans: Operasjonsområde AV: Operasjonsområde LINEÆR: Overlappskapasitanser (statiske): Gatekapasitans: INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler 2008 Operasjonsområde METNING:
2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Diffusjonskapasitans detaljer Diffusjonskapasitans source: der: 2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Oppgave 2. 5 Beregn diffusjonskapasitans Cdb for en transistor med en (minimum) kontakt på drain i en 0. 6μm prosess når drainspenningen er 0 V og VDD = 5 V. Anta at substratet er jordet. Parameterverdier er CJ = 0. 42 f. F/μm 2, MJ = 0. 44, CJSW = 0. 33 f. F/μm, MJSW = 0. 12 og Ψ 0 = 0. 98 V ved romtemperatur. Løsning: 2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
ENKLE RC modeller Motstand i transistor: 2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Transmisjonsport: 2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
RC forsinkelsesmodeller 2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Seriekobling av transistorer: Eksempel NAND 3: INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler 2008 Parallellkobling av transistorer:
2008 Transisjon fra 0 til 1: Transisjon fra 1 til 0: INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
RC modell 2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Oppgave C Tegn transistorsjematikk for en toinngangs NOR port med transistor bredder slik at effektiv motstand i nedtrekket blir lik en enhetsinverter. Beregn stige og fall forsinkelse når porten skal drive h identiske NOR porter ved å bruke enkle RC modeller. Løsning: 2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
Hastighetsmetning Hastigheten til ladningsbærere: AV LINEÆR der: 2008 Metning Transistormodeller: AV Metningsspenning LINEÆR Metning INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
2008 INF 3400/4400 Del 4 Moderne MOS transistor modeller, transient simulering og enkle utleggsregler
