ICPOES Si 1152020 Total Lab Service Trace Metals

ICP-OES를 이용한 고분자 물질의 Si분석 11/5/2020 Total Lab Service Trace Metals & Ionic Analysis - Chemical, Cleanroom Environment, Photomask, DIW, Graphite, Si. C Wafer, Si Wafer 1

고분자 화합물 중 Si 분석 STD readback 60 R 2 = 1. 0000 BEC = 14. 4 ppb LOD : 7. 58 ppb Blank 10 ppb 50 ppb 40 20 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 -20 replication ICP-OES 장비 condition 1. 장비 명 : ICP-OES(Thermo Scientific, i. CAP-7000) 2. RF power : 1350 w 3. Spray chamber : PTHE HF 내성 스프레이 챔버 4. Nebulizer : 400 ul/min PFA 5. Torch : 세라믹 재질의 D-torch 6. 측정 mode : Organic system 11/5/2020 Total Lab Service Blank 10 ppb 50 ppb Avg. -0. 96 9. 62 50. 05 STDEV 1. 18 0. 87 1. 01 Max 1. 13 10. 65 51. 67 Min -2. 67 8. 13 48. 51 편차 3. 80 2. 52 3. 16 Trace Metals & Ionic Analysis - Chemical, Cleanroom Environment, Photomask, DIW, Graphite, Si. C Wafer, Si Wafer 2

고분자 화합물 중 Si 분석 70 Si 분석 결과 1 st Con’c(ppb) 60 2 nd Avg. 50 40 30 20 06월 05월 04월 01월 10월 09월 26일 11일 16일 11일 04일 23일 02일 18일 11일 13일 05일 측정일 1’st 2’nd Avg. 54. 29 54. 56 54. 43 STDEV 0. 75 0. 69 0. 30 Max 55. 81 55. 84 54. 96 Min 53. 40 53. 38 54. 03 편차 2. 41 2. 46 0. 94 Test condition 1. 시료 정보 : 반도체용 negative PR(3. 3 cp) 2017년 9월부터 월 2회 정도 ICP-OES 안정성 평가를 위해 동일 시료를 reference로 측정함. 동일 시료를 총 2회 반복 측정하여 평균값을 구함. 2. 희석 배수 : NMP에 50배 희석 3. 검량선 범위 : 10 ppb, 50 ppb, 100 ppb 11/5/2020 Total Lab Service Trace Metals & Ionic Analysis - Chemical, Cleanroom Environment, Photomask, DIW, Graphite, Si. C Wafer, Si Wafer 3