Hyper FlashHyper RAM Hyper Flash S 26 KSS

Hyper. Flash和Hyper. RAM的产品系列 Hyper. Flash S 26 KS-S 1 65 nm，1. 8 V Hyper. Flash S 26 KL-S 1 65 nm，3. 0 V Hyper. RAM™ S 27 KS-12 65 nm，1. 8 V Hyper. RAM™ S 27 KL-12 65 nm，3. 0 V 64 -128 Mb ≥ 256 Mb 容量 初始访问/ DDR时钟 *温度范围 1 Gb 3 96 ns / 166 MHz * I，A，V，B，N，M Q 315 512 Mb 96 ns / 166 MHz * I，A，V，B，N 4，M 4 Q 315 512 Mb 96 ns / 100 MHz * I，A，V，B，N 4，M 4 512 Mb 3 联系销售人员 Q 415 256 Mb 96 ns / 166 MHz * I，A，V，B，N 4，M 4 Q 315 256 Mb 96 ns / 100 MHz * I，A，V，B，N 4，M 4 256 Mb 3 联系销售人员 Q 315 128 Mb 96 ns / 166 MHz * I，A，V，B，N 4，M 4 Q 315 128 Mb 96 ns / 100 MHz * I，A，V，B，N 4，M 4 128 Mb 联系销售人员 Q 415 64 Mb 36 ns / 166 MHz * I，A，V，B * C = 商业级范围：-0º C到+70º C I = 业级范围：-40º C到+85º C A = 业级的AEC-Q 100标准：-40º C到+85º C V = 扩展的 业级范围：− 40º C到 +105º C B = 扩展的 业级范围，AEC-Q 100标准： − 40º C到 +105º C 001 -98727 版本** 1 Gb 3 96 ns / 100 MHz * I，A，V，B，N，M 所有者：RYSU/HIIN 技术负责人：MAMC N = 扩展的温度范围：-40º C到+125º C M = 扩展的AEC-Q 100：-40º C到+125º C 1 S 26 = Hyper. Flash 2 S 27 = Hyper. RAM 3 S 70串行（堆栈芯片） 4 联系销售人员 状态 可用性 EOL （最后一次转移） 128 Mb~512 Mb KL-S/KS-S Hyper. Flash™系列新产品介绍 Q 315 64 Mb 36 ns / 100 MHz * I，A，V，B 量产 样片 QQYY 开发 概念 QQYY 产品路线图 12

附录 001 - 98727 版本** 所有者：RYSU/HIIN 技术负责人：MAMC 128 Mb~512 Mb KL-S/KS-S Hyper. Flash™系列新产品介绍 附录 14

赛普拉斯 3 V 512 Mb（KL 512 S） Hyper. Flash存储器与竞争对手方案的比较 特性 S 26 KL 512 S S 79 FL 512 S S 25 FL 512 S MT 25 QL 512 AB MX 25 L 51245 F 接口 Hyper. Bus 双Quad SPI I/O引脚计数 8 8 4 4 4 时钟频率（DDR） 100 MHz 80 MHz 66 MHz 100 MHz DDR的读带宽（最大值） 200 MBps 160 MBps 1 80 MBps 1 67 MBps 1 100 MBps 1 编程时间（512 B）2 0. 475 ms 0. 25 ms 0. 34 ms 0. 4 ms 3 0. 5 ms 3 扇区擦除时间（256 KB）2 930 ms 520 ms 600 ms 4 1, 120 ms 4 芯片擦除时间 2 220 s 66 s 103 s 153 s 200 s 温度范围 -40º C到+125º C -40º C到+105º C -40º C到+85º C 1 使用带有QIO的DDR时钟频率进行计算 2 条件： 25ºC和V CC 3. 0 V，擦写次数通常为十万次 3 不支持512 B编程的器件。通过执行两个 256 B编程操作可以计算编程时间。 4 不支持256 KB扇区擦除的器件。通过执行四个 64 KB扇区擦除可以计算擦除时间 001 -98727 版本** 所有者：RYSU/HIIN 技术负责人：MAMC 128 Mb~512 Mb KL-S/KS-S Hyper. Flash™系列新产品介绍 竞争力比较 27