HSPICE Transmission Line Signal Intergrity Monte Carlo Worst

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HSPICE功能 Transmission Line Signal Intergrity Monte Carlo Worst Case Analysis Photocurrent Cell Radiation Effects

HSPICE功能 Transmission Line Signal Intergrity Monte Carlo Worst Case Analysis Photocurrent Cell Radiation Effects Characterization Circuit Cell Incremental Optimization

元件對應關係 常用的元件介紹. . val為該元件之大小值 電阻or電容 Rname 1 2 val Cname 3 4 val Rname=val

元件對應關係 常用的元件介紹. . val為該元件之大小值 電阻or電容 Rname 1 2 val Cname 3 4 val Rname=val 1 2 3 4 Cname=val 金氧半場效電晶體(MOSFET) Mname D G S B xch L=val W=val G . model xch xmos 獨立電壓源or電流源 Vname 5 6 DC val I name 7 8 DC val (若為交流訊號把DC改成AC即可) 5 v name=val V 6 D Mname S 7 I name=val 8

1. PWL(piece wise linear waveform) 片段線性波形的描述方式 pwl( t 1 v 1 t 2 v

1. PWL(piece wise linear waveform) 片段線性波形的描述方式 pwl( t 1 v 1 t 2 v 2 t 3 v 3 ………. . ) Ex: pwl (2 s 1 v 3 s 3. 5 v 4 s 2. 5 v + 4. 5 s 0. 5 v 6 s 5 v )

2. PULSE(pulse periodic waveform) 週期脈波的描述方式 pulse( v 1 v 2 td tr tf pw

2. PULSE(pulse periodic waveform) 週期脈波的描述方式 pulse( v 1 v 2 td tr tf pw per ) Ex: pulse ( 2 v 5 v 1 s 1 s 1 s 5 s 10 s) 波寬 pw 延遲 td 上升 tr 週期 per 下降 tf

3. SIN(sinusoidal waveform) 弦式波型態的描述方式 Sin ( v 1 v 2 freq ) Ex: sin

3. SIN(sinusoidal waveform) 弦式波型態的描述方式 Sin ( v 1 v 2 freq ) Ex: sin ( 0 v 4 v 0. 5 k) 頻率 freq

執行Hspice 1 開始 > 程式集 > HSPICE U-2003. 03

執行Hspice 1 開始 > 程式集 > HSPICE U-2003. 03

基本的RC充電. option 1 Vs 1 0 pwl(0 0 0. 01 ms 5 v) R

基本的RC充電. option 1 Vs 1 0 pwl(0 0 0. 01 ms 5 v) R 1 1 2 1 k Vs=1 v +C 1 2 0 1 uf. tran 0. 01 m 6 m 0. 01 m. print v(1) v(2). end 電容大約4 RC=4 ms 充滿 5 v R=1 K 2 C=1 uf

一階高通濾波器 程式部份. option C 1 1 2 15. 9 u R 1 2 0

一階高通濾波器 程式部份. option C 1 1 2 15. 9 u R 1 2 0 5 Vs 1 0 ac 1. ac dec 5 100 k. print ac vdb(2). end 1 Vs C 1 =15. 9 uf R=5 2 Vo

低通濾波器 一階低通濾波器 程式部份. option C 1 2 0 15. 9 u R 1 1

低通濾波器 一階低通濾波器 程式部份. option C 1 2 0 15. 9 u R 1 1 2 5 Vs 1 0 ac 1. ac dec 10 10 10 k. print ac vdb(2). end 1 Vs R 1= 5 C 1 =15. 9 uf 2 Vo

帶通濾波器 二階帶通濾波器 程式部份. option R 1 1 2 5 C 1 2 0 10

帶通濾波器 二階帶通濾波器 程式部份. option R 1 1 2 5 C 1 2 0 10 u C 2 2 3 25 u R 2 3 0 20 Vs 1 0 ac 1. ac dec 10 10 k. print vdb(3) vp(3). end 1 Vs 2 R 1 C 2 R 2 3 Vo

系統設計者使用環境範例方塊圖 Input Requests Analysis Requests Model/Lib Selections . circuit parameters . dc sweep .

系統設計者使用環境範例方塊圖 Input Requests Analysis Requests Model/Lib Selections . circuit parameters . dc sweep . circuit marco def . circuit temp . transient . asic vendor lib . circuit stimulus . ac pole zero . memory vendor lib . noise distortion . processor vendor lib. pcb & mcm vendor Spice Execution. circuit simulation. ground bounce, crasstalk. Line termination. Optimzation Result analysis. post graphical processing Fineal design review/Modification

MOSFET特性曲線 以下為增強型FET輸出特性曲線, 假設參數為 (kp=10 u Vto=1 v lambda=0. 01), VGS. VDS為 調整的電壓範圍, 使用. DC來作直流掃描分析

MOSFET特性曲線 以下為增強型FET輸出特性曲線, 假設參數為 (kp=10 u Vto=1 v lambda=0. 01), VGS. VDS為 調整的電壓範圍, 使用. DC來作直流掃描分析 . option m 1 2 1 0 0 n l=0. 1 u w=3 u. model n nmos (kp=10 u Vto=1 v lambda=0. 01) Vds 2 0 10 Vgs 1 0 4. dc vds 0 10 10 m vgs 1 5 1. print i(m 1) VDS由 0 V至 10 V. end VGS由 1 V至 5 V掃描

VGS=5 v VGS=4 v VGS=3 v VGS=2 v VGS=1 v=Vt 如圖為增強型輸出特性曲線

VGS=5 v VGS=4 v VGS=3 v VGS=2 v VGS=1 v=Vt 如圖為增強型輸出特性曲線

IR=IM 1=IM 2 = ( W/L )2 ( W/L )1 = 0. 5 m.

IR=IM 1=IM 2 = ( W/L )2 ( W/L )1 = 0. 5 m. A x 2 = 1 m. A

VDD MOSOP頻率響應

VDD MOSOP頻率響應