GEM l GEM Edrift1 k VcmEtransfer3 k VcmEinduct3

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GEM中子束监测器的模拟—增益 l GEM监测器的增益 ü Edrift=1 k. V/cm,Etransfer=3 k. V/cm,Einduct=3 k. V/cm ü Drift:transfer:induct=5: 2:

GEM中子束监测器的模拟—增益 l GEM监测器的增益 ü Edrift=1 k. V/cm,Etransfer=3 k. V/cm,Einduct=3 k. V/cm ü Drift:transfer:induct=5: 2: 2 (mm) 不同气体比例与模拟方法对GEM监测器增益的影响 10/22

GEM中子束监测器的模拟—单电子 l GEM监测器的参数 ü Edrift=1 k. V/cm,Etransfer=3 k. V/cm,Einduct=3 k. V/cm ü v. GEM

GEM中子束监测器的模拟—单电子 l GEM监测器的参数 ü Edrift=1 k. V/cm,Etransfer=3 k. V/cm,Einduct=3 k. V/cm ü v. GEM 1=v. GEM 2=380 V ü Drift:transfer:induct=5: 2: 2 (mm) 电子雪崩位置 电子终止位置 较多的电子被GEM 2下表层Cu膜吸收。 13/22

GEM中子束监测器的模拟—单电子 l GEM监测器的参数 ü Edrift=1 k. V/cm,Etransfer=3 k. V/cm,Einduct=3 k. V/cm ü v. GEM

GEM中子束监测器的模拟—单电子 l GEM监测器的参数 ü Edrift=1 k. V/cm,Etransfer=3 k. V/cm,Einduct=3 k. V/cm ü v. GEM 1=v. GEM 2=380 V ü Drift:transfer:induct=5: 2: 2 (mm) 单点电子在收集板上的扩散σ约 200μm。 14/22