GEM Chamber n Beam induced electron GEM geometry

GEM Chamber n決めるべきパラメータ ①. Beam induced electron 収 集部 -長さ -電場 ②電子増幅部 -GEM geometry １ ２ ３ XPI ③ 2次元ストリップ読み出し部 double-side single-side 350μ m 700μ m XC u 700μ m D X width：表 70μm 裏 290μm pitch: ： 350μm 　 KEK宇野さんのアイデア D XPI XCu D 70 ~90 50 45 75 X D 70 50 50 70 10 0 - gas: P 10 or Ar 70% CO 230% 4

ビームテスト解析手順 Hit position determined by Silicon Strip Detector(SSD) GEM SSD beam Hit position determined by GEM chamber Center Of Gravity Q 3 Q 1 Q 2 残差 Events SSD difference mm -Multiple scattering -Tracking Accuracy Q 4 Q 5 X 1 X 2 X 3 X 4 X 5 位置分解能 6

テストしたセットアップ GEM 読み出し gas d. D mm ① (XPI 70, XCu 90, D 50) 3 枚 Single-side 700 P 10 11 mm 0, 15 ② (X 70, D 100)+(X 70, D 50) ③ (XPI 45, XCu 75, D 50) 3 枚 Double-side 700 入射角度 3 mm 0, 15, 30, 45 6 mm 0, 15, 30, 45 ④ 3 mm 0, 15, 30, 45 ⑤ Ar. CO 2 3. 5 m m 0, 15, 30, 45 ⑥ 11 mm 0, 15, 30, 45 先 週 7

セットアップ②　 P 10 3 mm 1500 V/cm 100μm+50μm (gain ~6000) single-side 700μm n結果 0 15 30 160μ m 270μ m 470μ m Et: 3400 V/cm Ei: 3400 V/cm nななめ入射の改善 n正面入射の悪化 • 種の数の見積もり　~3個 (Collection Effiiciency 0. 15) ダメ OK • collection efficiency (Egem/Ed, Geometry) • GEM 1枚あたりにかける電圧 50μm 100μm 340 V → 285 V(/50 μm) 50μm. GEMのほうが有利 9

n以下先週のテスト P 10 Et: 3400 V/cm Ei: 3400 V/cm Ar. CO 2 Et: 3800 V/cm Ei: 3800 V/cm Raytech 穴の小さ い GEM ガス • Ar. CO 2 • P 10 X 読み出し • Double-side 700μm • Double-side 350μm Drift gap X • 1 mm • 3 mm • 6 mm • 11 mm 10

時間情報を用いた解析(一例) n. Ar. CO 2 double-side 700μm d. D=11 mm　ED=500 V/cm　　入射角 15度 ①signalが来たタイミングを決める 1 ch=4 m. V preliminary Thalf vd=1. 3 cm/μsec。Magboltzとconsistent な値。 1 ch=10 nsec ②最小 2乗フィット x vd x Thalf x Xtiming ドリフト方向の 位置 x 時間情報による Residual preliminary x ADC情報による Residual 17

Backups 19

Magboltz Simulation Ar 70% CO 2 30% 拡散定数(μm/sqrt(cm)) ドリフト速度 cm/μsec P 10 22