For the Pioneer Plasma surface treatment modification system

For the Pioneer Plasma surface treatment &modification system miniplasma -station

miniplasma Plasma surface treatment &modification system station Plasma surface engineering 분야의 Pioneer를 위한 다양한 plasma 환경 제공 High density plasma source (ICP) 장착 가능한 chamber interface (option) Convertible electrode - 하나의 장비로 RIE type 과 Remote plasma 기능 - remote plasma 와 PE type plasma를 동시에 구 현! Direct plasma의 손쉬 운 전환! Plasmart 사의 다양 한 계측장비를 용이 하게 설치 운영할 수 있는 호환성 Pulse operation pulse operation에 의 한 다양한 신공정 개 발 가능 For the pioneer

miniplasma Plasma sources Plasma surface treatment &modification system station PE type과 RIE type을 쉽고 빠르게 전환 가능 Convertible electrode - 하나의 장비로 RIE type 과 PE type plasma를 동시에 구현! Electrode 가 상하부에 설치되어 있고 RF feed를 쉽게 상하 전극에 교체 장착할 수 있어 PE type과 RIE type의 plasma를 하나의 장비로 구현할 수 있음 convertible PE type RIE type Plasma density, electron temperature Ion assist effect application ~ 1010/cm 3, 1~ 2 e. V Large Reactive Ion Etching (anisotropic etching) RIE type 높은 에너지를 가진 이온들이 시료 표면에 입사하므로 이온의 포격 효과가 요구되는 공정에 유리한 구조 (대표적 예, RIE) ~ 1010/cm 3, 1~ 2 e. V Small PE CVD, Plasma etching (isotropic etching) PE type 시료에 입사하는 이온의 에너지가 높지 않으며 이온의 포격 효과가 적게 요구되는 공정에 적합한 구조 (대표적 예, PECVD) [mini-plasma의 plasma source (convertible CCP를 기본형으로 탑재)]

ICP module 적용 가능 [Do. SATM antenna including] (optional) High density plasma source (ICP) 장착 가능 (optional) 기본형인 CCP type의 plasma source 이외에도 Plasmart 사의 plasma source 기술에 의해 구현된 고밀도 플라즈마 발생장치인 ICP source (Do. SA antenna) 장착이 가능하여 연구 개발의 범위를 극대화 시켰음 Plasma density, electron temperature Ion assist effect application CCP ~ 1010/cm 3, 1~ 2 e. V Large RIE, PECVD, Plasma etching ICP ~ 1011/cm 3, 3~5 e. V Small HDP CVD, etching ashing [Do. SATM ICP source] [Do. SATM ICP의 pressure에 따른 Plasma uniformity 특성] 뛰어난 plasma uniformity와 넓은 process window는 Do. SATM ICP의 특징으로 국내외에 약 30여건의 특허가 출원되었으며 현재 다양한 양산 공정에 사용되고 있 는 가장 진보된 ICP source 임

Pulse operation Flexible accessories Plasma source에 인가되는 RF power를 pulse 로 인가할 경우 continuous plasma와 다른 특성을 지닌 plasma 가 형성된다. 이 러한 pulse operation 기능은 새로운 공정을 개발할 수 있도록 장 비의 능력을 한층 강화시켰다. Pulse Plasma의 경우 pulse on time 때의 plasma 특성과 pulse off일 떄의 plasma 특성에 많은 차이가 있다. 예를 들어 pulse off일 경우는 전자온도와 전자 밀도가 낮아 져 gas 의 해리 특성과 이온화 특성에 차이 가 있다. 낮은 전자온도는 식각시 선택비를 높이는 기능을 하며 plasma on/off의 duty ratio를 조절함으로써 다양한 pulse plasma 를 형성할 수 있다. [Pulse operation diagram] [ICP source를 Pulse operation할 경우 plasma의 특성, miniplasma-station ICP, SLP 2000로 측정] Application process PEALD (plasma enhanced Atomic Layer Deposition) Selective etching Nano particle generation [size controllable]

재현성 및 안정성 (reliability) 실험의 재현성 확보를 위해 보강된 hardware / software Smart RF matching system - advanced linearized algorithm에 기반한 micro-stepping motor control - 우수한 matching performance 자동 압력 제어시스템 - 다중 PID 제어를 통한 고성능 자동 압력 제어 - 손쉬운 공정조건 유지, 재현 (CDG) capacitance diaphragm gauge 적용 - 공정개스, 증착등에 영향을 받지않음 - no-filament Auto-dry N 2 vent system - 시료 수납시 쳄버환경 유지 - one-touch vent operation Wall condition 유지를 위한 liner (option) - (공정에 큰 영향을 미치는) wall condition을 liner 교체하여 유지 - 쳄버 클리닝 주기를 연장 Chamber cleaning recipe 제공 - 손쉬운 chamber, pumping system 클리닝 Plasma monitoring system 장착 - plasma 계측장치 장착가능 - 실시간 박막측정장치등의 설치가 용이한 포트구성 - Ion energy analyzer 장착 가능