EMOSFET Ex9 8 1 Transient Analysis Probe VGS

E-MOSFET 증폭기 Ø Ex)9 -8 1. Transient Analysis 와 Probe를 이용하여 다음 회로의 VGS, VDS, Vout, ID를 측정하고 전압이득과 전달컨덕턱스를 구하시오. 2. Oscilloscope를 이용해 입/출력 파형을 측정하시오. Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 2

시뮬레이션 결과 Ø Probe Measurement 전압이득(Av) Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 측정 전압이득(Av) 3

시뮬레이션 결과 Ø Ex)9 -8 Oscilloscope(Tektronix) Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 4

시뮬레이션 결과 Ø Transient analysis Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 5

JFET 공통드레인 증폭기 Ø Ex)9 -9 1. Transient Analysis 와 Probe를 이용하여 다음 회로의 VGS, VDS, Vout, ID를 측정하고 전압이득과 전달컨덕턱스를 구하시오. 2. Oscilloscope를 이용해 입/출력 파형을 측정하시오. Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 6

시뮬레이션 결과 Ø Probe Measurement 이론 전압이득(Av) Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 측정 전압이득(Av) 7

시뮬레이션 결과 Ø Ex)9 -9 Oscilloscope(Tektronix) Oscilloscope Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 8

시뮬레이션 결과 Ø Transient analysis Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 9

JFET 공통게이트 증폭기 Ø Ex)9 -10 1. Transient Analysis 와 Probe를 이용하여 다음 회로의 Vin , Vout를 측정하고 이득 값 을 구하시오. (gm=0. 8 m. S이다. ) 2. Oscilloscope를 이용해 입/출력 파형을 측정하시오. Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 10

시뮬레이션 결과 Ø Probe Measurement 이론 전압이득(Av) Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 측정 전압이득(Av) 11

시뮬레이션 결과 Ø Ex)9 -10 Oscilloscope(Tektronix) Oscilloscope Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 12

시뮬레이션 결과 Ø Transient analysis Wonkwang University Power Electronic Energy Conversion 13