Eletrnica II Germano Maioli Penello germano penellouerj br

Eletrônica II Germano Maioli Penello germano. penello@uerj. br gpenello@gmail. com www. lee. eng. uerj. br/~germano Aula 01 http: //goqr. me/

Pré-requisito • Eletrônica I • BJT e FET – circuitos de polarização http: //en. wikipedia. org/wiki/Field-effect_transistor http: //en. wikipedia. org/wiki/Bipolar_junction_transistor

Objetivos • Compreender o funcionamento dinâmico dos FETs e bipolares. http: //en. wikipedia. org/wiki/Field-effect_transistor http: //en. wikipedia. org/wiki/Bipolar_junction_transistor

http: //www. lee. eng. uerj. br/~germano/Eletronica. II_2016 -2. html

Aplicativos http: //jas. eng. buffalo. edu/ • • • Device Fabrication PNP or NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) FET Amplifier Circuits with BJT or MOSFET … http: //jas. eng. buffalo. edu/education/ckt/mosamp/index. html

Aplicativos http: //www. falstad. com/circuit/e-index. html Transistors (Bipolar) • NPN Transistor (Bipolar) • PNP Transistor (Bipolar) • Switch • Emitter Follower • Common-Emitter Amplifier • Unity-Gain Phase Splitter • Schmitt Trigger • Current Source Ramp • Current Mirror • … MOSFETs • n-MOSFET • p-MOSFET • Switch • Source Follower • Current Source • Current Ramp • Current Mirror • Common-Source Amplifier • …

Aplicativos http: //php. scripts. psu. edu/users/i/r/irh 1/SWF/Semiconductors. swf

MOSFET

MOSFET Dispositivo de 3 terminais • Amplificação de sinal • Lógica digital • Memória Largamente utilizado no design de CI

MOSFET Dispositivo de 3 terminais • Amplificação de sinal • Lógica digital • Memória Largamente utilizado no design de CI Fabricado em dimensões reduzidas Opera em baixa potência Utilizado em projetos de VLSI (microprocessadores atuais)

Fabricação do MOSFET http: //jas. eng. buffalo. edu/education/fab/NMOS/nmos. html

Operação do MOSFET http: //jas. eng. buffalo. edu/education/mosfet/mos_0. html http: //jas. eng. buffalo. edu/education/mosfet/mos_1. html http: //jas. eng. buffalo. edu/education/mosfet/mos_2. html

Operação do MOSFET Vgs < Vt - Região de corte (i. D = 0) Canal só é criado quando Vgs > Vt Vds < Vov (Região Triodo) (Vov < Vgs – Vt ) Vds < Vov (Região de saturação) Observe essas regiões no aplicativo do slide anterior

Característica de transferência de tensão (VTC) Q - ponto quiescente

Ganho de tensão de sinal pequeno

Amplificador - linearidade O amplificador não linear causa distorções na forma de onda do sinal. Sinal de saída é diferente do sinal de entrada! Indesejável quando queremos reproduzir fielmente o sinal de entrada. Utilizado em música para criar distorções e efeitos de som (ex. pedal de guitarrra elétrica) http: //www 2. hsu-hh. de/ant/webbox/Distortion. Applet. html

Modelo de circuito equivalente para sinais pequenos Fonte de corrente controlada por tensão

Amplificadores MOSFET http: //jas. eng. buffalo. edu/education/ckt/mosamp/index. html

BJT

BJT http: //jas. eng. buffalo. edu/education/fab/Bjt. Fet/index. html

BJT http: //jas. eng. buffalo. edu/

BJT http: //www. falstad. com/circuit/e-npn. html

Região ativa e de saturação Transistor npn com corrente IE constante. Atenção! Saturação em BJT é completamente diferente do MOSFET. A região de saturação do MOSFET corresponde à região ativa do BJT.

Região ativa

Amplificador de tensão http: //www. falstad. com/circuit/e-transswitch. html

Amplificação linear Ponto quiescente

Amplificação linear