Elektronika Tranzisztor BJT Bipolris tranzisztor PNP s NPN
Elektronika Tranzisztor (BJT)
Bipoláris tranzisztor
PNP és NPN
Kapcsolási lehetőségek
Normál aktív működési mód • UBE > 0 és az UBC < 0 • • • ICE = B*IBE IB = IBE − ICB 0 IC = ICB 0 + B*IBE IE = IBE + B*IBE = (B + 1)*IBE IE = IC + IB IBE = IB + ICB 0 IC = ICB 0 + B*( IB + ICB 0 ) = B*IB +(B+1)*ICB 0 IE = (B+1)*( IB + ICB 0 ) = (B+1)*IB +(B+1)*ICB 0 IC = B*IB IE = (B + 1)*IB
Telítési mód • • UBE > 0 és UBC > 0 A telítési tartomány határa az UBC = 0 – • UBE = UCEsat maradékfeszültség ≈ 0, 1 -3 V
Zárási mód • UBE < 0 és UBC < 0 • Közelítőleg szakadásként viselkedik • ICB 0 = IBE 0 = 0, 1. . 5 m. A
Tranzisztor karakterisztikái • Bemeneti • Kimeneti
Munkapont beállítás
Tranzisztor kapcsoló üzeme • Telítési vagy zárási tartomány • Vezérlőteljesítménye kicsi, nagy a teljesítményerősítése • Bekapcsolási és kikapcsolási ideje rövid, μs nagyságrendű, gyors, periodikus átkapcsolásra alkalmas • Hosszú élettartam, nagy megbízhatóság jellemzi • Bekapcsolt állapotban ellenállása kicsi (mΩ nagyságrendű) • Kikapcsolt állapotban ellenállása nagy (MΩ nagyságrendű)
Kollektoráram időfüggvény vezérlőjel hatására
Be- és kikapcsolási idők csökkentése
Veszteségszámítás • Energiaveszteség = WON+WCOND+WOFF
Veszteségszámítás
Veszteségszámítás
Veszteségszámítás
Darlington tranzisztor
FBSOA • • 1. a maximálisan megengedett kollektoráram 2. a maximálisan megengedhető hőveszteség 3. a másodlagos (szekunder) letörés tartománya 4. a maximálisan megengedett kollektor-emitter feszültség
- Slides: 18