Elektronika 7 Diode Proizvodnja dioda Dioda je poluprovodniki

Elektronika 7. Diode. Proizvodnja dioda

Dioda je poluprovodnički PN spoj sa metalnim priključcima, smještena u kućište. Struktura diode A ANODA K Simbol diode KATODA Kroz direktno polarisanu diodu (+ na anodi i – na katodi) protiče struja nakon napona praga provođenja. Kroz inverzno polarisanu diodu (- na anodi i + na katodi) ne protiče struja tj. protiče veoma mala struja. Ta struja se zove inverzna struja zasićenja i potiče od sporednih nosioca naelektrisanja. Proboj diode podrazumijeva nagli skok struje koji može razoriti diodu, ako se prethodno ne zaštiti. Može biti toplotni, lavinski i cenerov proboj.

Proizvodnja dioda Diode se izrađuju u planarnoj planarno-epitaksijalnoj i meza tehnologiji. 1. Planarna (ravna) tehnologija Planarna tehnologija podrazumijeva da se dioda izrađuje na ravnoj podlozi koja može biti P ili N tipa. Kao prvo uzima se pločica sa podlogom npr. N tipa N podloga Na podlogu se nanosi sloj Si. O 2 N podloga Na sloj Si. O 2 nanosi se maska sa otvorima za difuziju N podloga Na nju se hemijski djeluje da se skine sloj Si. O 2 i napravi prozorčić kroz koji se ubacuju trovalentne primjese

trovalentne primjese npr. aluminijum P Difuzija primjesa se obavlja na vrlo visokim temperaturama oko 10000 C. Si. O 2 Trovalentne primjese (u vidu pare) prodiru u podlogu. Formira se poluprovodnik P tipa tj. PN spoj N podloga N+ P N podloga Sledeći korak je nova difuzija N+ sloja neophodnog za katodu. N+ poluprovodnik je poluprovodnik sa velikom koncentracijom petovalentnih primjesa. Postupci su slični kao kod difuzije P tipa tj. maska pa hemijsko skidanje sloja Si. O 2 i ubacivanje petovalentnih primjesa. Naparavanjem i sublimacijom nanose se metalni kontakti na otvore. K N+ A Sublimacija je direktan prelazak iz gasovitog u čvrsto stanje, bez prolaska kroz tečnu fazu. Na metalne kontakte se leme nožice. P N podloga Anoda na P tip i katoda na N+ tip. Na kraju sve smjestimo u kućište i gotova dioda!

2. Planarno – epitaksijalna tehnologija Na N+ podlogu se nanosi tanak sloj, skoro čistog silicijuma epitaksijalni sloj trovalentne primjese npr. aluminijum A N P Difuzijom, na visokim temperaturama, ubacuju se trovalentne primjese u epitaksijalni sloj. Nastaje poluprovodnik P tipa tj. PN spoj. N+ podloga K Naparavanjem i sublimacijom se nanose metalni kontakti za anodu i katodu. Sublimacija je direktan prelazak iz gasovitog u čvrsto stanje, bez prolaska kroz tečnu fazu. Na metalne kontakte lemimo nožice. Na kraju diodu smjestimo u kućište! Anoda na P tip Katoda na N+ tip

3. Meza tehnologija ima iste korake izrade kao i planarno – epitaksijalana tehnologija. A N P N+ podloga Zbog jakog polja na šiljatim dijelovima i lakšeg proboja, hemijski se skida diode. K Dobijena dioda, sa zakrivljenim dijelovima, podsjeća na Mesa Verde visorovan, pa je po tome ova tehnologija i dobila ime.