Elektrische und Thermische Leitfhigkeit von Metallen Virtueller Vortrag

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Elektrische und Thermische Leitfähigkeit von Metallen Virtueller Vortrag von Andreas Kautsch und Andreas Litschauer

Elektrische und Thermische Leitfähigkeit von Metallen Virtueller Vortrag von Andreas Kautsch und Andreas Litschauer im Rahmen der VO Festkörperphysik Grundlagen

Outline § elektrische Leitfähigkeit § Gründe für den elektrischen Widerstand § Umklapp-Streuung § Bewegung

Outline § elektrische Leitfähigkeit § Gründe für den elektrischen Widerstand § Umklapp-Streuung § Bewegung in Magnetfeldern – Hall Effekt § Thermische Leitfähigkeit von Metallen 2

2. Newtonsches Gesetz für ein freies Elektron § § F. . . Kraft auf

2. Newtonsches Gesetz für ein freies Elektron § § F. . . Kraft auf das Elektron E. . . elektrisches Feld B. . . magnetisches Feld c. . . Konstante im CGS-System 3

Fermi-Kugel im elektrischen Feld § das elektrische Feld E bewirkt im k-Raum eine Verschiebung

Fermi-Kugel im elektrischen Feld § das elektrische Feld E bewirkt im k-Raum eine Verschiebung der gesamten Fermi-Kugel: 4

Bewegung der Elektronen ohne äußeres Magnetfeld § Driftgeschwindigkeit der Elektronen: § elektrische Stromdichte in

Bewegung der Elektronen ohne äußeres Magnetfeld § Driftgeschwindigkeit der Elektronen: § elektrische Stromdichte in einem konstanten E-Feld: § wegen (Ohmsches Gesetz): § ergibt sich die elektrische Leitfähigkeit zu: 5

elektrische Leitfähigkeit am Beispiel Kupfer § Leitfähigkeit von reinen Kupferkristallen bei 4 K fast

elektrische Leitfähigkeit am Beispiel Kupfer § Leitfähigkeit von reinen Kupferkristallen bei 4 K fast 105 mal größer als bei Raumtemperatur (283, 15 K) § daraus folgt für die mittlere freie Weglänge: l(4 K) ≈ 0, 3 cm wohingegen l(283, 15 K) ≈ 3*10 -6 cm § maximal beobachtete mittlere freie Weglänge bei Temperaturen von flüssigem Helium: 10 cm 6

Experimente zum elektrischer Widerstand von Metallen bei der Temperatur von fl. He (4 K)

Experimente zum elektrischer Widerstand von Metallen bei der Temperatur von fl. He (4 K) Stöße der Leitungselektronen mit Verunreinigungen bzw. mechanischen Gitterfehler - Korngrenzen und Versetzungen Fremdatome Leerstellen Zwischengitteratome Konzentrationsschwankungen Isotopenschwankungen bei höheren Temperaturen (Zimmertemperatur) Stöße der Leitungselektronen mit Gitterphononen - im Bild rechts sind die Phononen durch unterschiedliche Abstände der Netzebenen symbolisiert 7

Relaxationszeit § bei Abschaltung von E geht Impulsverteilung wieder in Grundzustand zurück nach: §

Relaxationszeit § bei Abschaltung von E geht Impulsverteilung wieder in Grundzustand zurück nach: § τL. . . Stoßzeit mit Phononen § τi. . . Stoßzeit mit Gitterfehlern § daraus resultiert der Widerstand im Metall § ρL. . . spezifischer Widerstand durch thermische Phononen § ρi. . . spezifischer Widerstand durch Streuung der Elektronenwellen an statischen Defekten 8

Matthiessensche Regel § Matthiessensche Regel: ρ(T) = ρPhononen(T) + ρDefekte § wenn die Temperatur

Matthiessensche Regel § Matthiessensche Regel: ρ(T) = ρPhononen(T) + ρDefekte § wenn die Temperatur bzw. die Konzentration der Defekte klein ist, können die spezifischen Widerstände unabhängig von diesen sein § ρi(0) ist der auf 0 K extrapolierte spezifische Widerstand; ρL verschwindet mit T 0 § Gitterwiderstand ρL(T) = ρ - ρi(0) ist derselbe für verschiede Proben aus dem gleichen Metall § Widerstandsverhältnis= ρ(293, 15)/ ρ(0) Maß für Reinheit 9

Debyetemperatur § Die Kollisionsrate von Elektronen mit Phononen ist proportional zur Konzentration d. thermischen

Debyetemperatur § Die Kollisionsrate von Elektronen mit Phononen ist proportional zur Konzentration d. thermischen Phononen § Über der Debyetemperatur Θ ist die Phonoenkonzentration proportional zur Temperatur ρ ~ T für T > Θ § Beispiele für Debyetemperaturen in K: Cs 38 Pb 105 Na. Cl Cu 343 Al Fe 321 428 467 C 2230 10

Umklapp-Streuung (Stöße an Phononen) § bei niedrigen Temperaturen: Änderung des Elektronenimpulses viel größer als

Umklapp-Streuung (Stöße an Phononen) § bei niedrigen Temperaturen: Änderung des Elektronenimpulses viel größer als bei normaler Elektron-Phonon Streuprozess bei dieser Temperatur § Erklärung: reziproker Gittervektor beteiligt Normalprozess (Kleinwinkelstreuung) Umklapp-Prozess (starke Streuzentren) k‘ = k + q + G k: Elektronenimpuls vor Stoß; k‘: Elektronenimpuls nach Stoß q: Phononenimpuls; G: reziproker Gittervektor 11

Ergebnis von Bloch § analytisches Ergebnis für die normale Streuung bei sehr tiefen Temperaturen:

Ergebnis von Bloch § analytisches Ergebnis für die normale Streuung bei sehr tiefen Temperaturen: § konnte noch nicht nachgewiesen werden, weil zu viele konkurrierende Effekte wie: - Störstellenstreuung - Elektron-Streuung - Umklapp-Streuung 12

Bewegung in Magnetfeldern 13

Bewegung in Magnetfeldern 13

Lorentzkraft auf ein Elektron in einem homogenen Magnetfeld B § Im CGS-System: § Im

Lorentzkraft auf ein Elektron in einem homogenen Magnetfeld B § Im CGS-System: § Im SI-System: 14

Hall-Effekt Das Hall-Feld: § elektrisches Feld in Richtung j x B § Strom j

Hall-Effekt Das Hall-Feld: § elektrisches Feld in Richtung j x B § Strom j senkrecht zu Magnetfeld B § Größe der Spannung: § wobei als Hall-Konstante bezeichnet wird und d die Dicke der Probe parallel zu B ist 15

Hall-Konstante § Mit und erhalten wir für die Hallkonstante § Dieser Ausdruck ist negativ

Hall-Konstante § Mit und erhalten wir für die Hallkonstante § Dieser Ausdruck ist negativ für freie Elektronen, denn e ist laut Definition positiv § Ladungsträgerkonzentration klein => Betrag der Hall-Konstante groß 16

Standardgeometrie für den Hall-Effekt § Ein stabförmiger Körper mit rechteckigem Querschnitt wird in ein

Standardgeometrie für den Hall-Effekt § Ein stabförmiger Körper mit rechteckigem Querschnitt wird in ein Magnetfeld B gebracht 17

§ Ein elektrisches Feld E an die Elektroden angelegt, verursacht eine Stromdichte j in

§ Ein elektrisches Feld E an die Elektroden angelegt, verursacht eine Stromdichte j in Stabrichtung § Ablenkung in y-Richtung von Magnetfeld erzeugt § Schnitt senkrecht zur z-Achse, Driftgeschwindigkeit der Elektronen setzt gerade ein 18

§ Elektronen auf der einen, positiver Ionen-Überschuss auf der anderen Seite bis das Hallfeld

§ Elektronen auf der einen, positiver Ionen-Überschuss auf der anderen Seite bis das Hallfeld (transversale elektrische Feld) die Lorentz-Kraft durch das Magnetfeld gerade aufhebt § Schnitt senkrecht zur z-Achse, Driftgeschwindigkeit im stationären Zustand 19

§ Tabelle: Vergleich zw. beobachteten Werten und direkt aus der Konzentration der Ladungsträger berechneten

§ Tabelle: Vergleich zw. beobachteten Werten und direkt aus der Konzentration der Ladungsträger berechneten Werten der Hall-Konstante 20

Thermische Leitfähigkeit von Metallen 21

Thermische Leitfähigkeit von Metallen 21

Wärmeleitzahl K § Vermögen des Stoffes, thermische Energie zu transportieren: § Wärmeleitzahl § v.

Wärmeleitzahl K § Vermögen des Stoffes, thermische Energie zu transportieren: § Wärmeleitzahl § v. . . Teilchengeschwindigkeit § C. . . spezifischen Wärme pro Volumeneinheit § l. . . mittlere freie Weglänge 22

Wärmeleitfähigkeit von Cu § In unten stehendem Graph ist die Wärmeleitfähigkeit von Kupfer nach

Wärmeleitfähigkeit von Cu § In unten stehendem Graph ist die Wärmeleitfähigkeit von Kupfer nach Berman und Mac. Donald zu sehen 23

Verhältnis aus thermischer und elektrischer Leitfähigkeit Wiedemann-Franzsche Gesetz: § Das Wiedemann-Franzsche Gesetz zeugt von

Verhältnis aus thermischer und elektrischer Leitfähigkeit Wiedemann-Franzsche Gesetz: § Das Wiedemann-Franzsche Gesetz zeugt von der Tatsache, dass in Metallen die Ladungsträger auch Träger von Wärmeenergie sind § Für alle Metalle bei nicht zu tiefen Temperaturen ist das Verhältnis aus thermischer Leitfähigkeit K und elektrischer Leitfähigkeit σ direkt proportional zur Temperatur 24

Zusammenfassung § das elektrische Feld bewirkt im k-Raum eine Verschiebung der gesamten Fermi-Kugel §

Zusammenfassung § das elektrische Feld bewirkt im k-Raum eine Verschiebung der gesamten Fermi-Kugel § Ohmsches Gesetz: § elektrische Leitfähigkeit: § bei der Temperatur von fl. He (4 K) Stöße der Leitungselektronen mit Verunreinigungen bzw. mechanische Gitterfehler § bei höheren Temperaturen (Zimmertemperatur) Stöße der Leitungselektronen mit Gitterphononen § Matthiessensche Regel: ρ(T) = ρPhononen(T) + ρDefekte § Umklapp-Streuung bei niedrigen Temperaturen: Änderung des Elektronenimpulses viel größer als bei normaler Elektron-Phonon Streuprozess bei dieser Temperatur 25

Zusammenfassung § Lorentzkraft auf ein Elektron in einem homogenen Magnetfeld B § Hall Konstante:

Zusammenfassung § Lorentzkraft auf ein Elektron in einem homogenen Magnetfeld B § Hall Konstante: § Wärmeleitzahl: § Wiedemann-Franzsche Gesetz: in Metallen Ladungsträger auch Träger von Wärmeenergie 26

Wir bedanken uns fürs Zuhören! 27

Wir bedanken uns fürs Zuhören! 27