Dtermination des conditions depitaxie Couche mince de Mn

Détermination des conditions d’epitaxie Couche mince de Mn. As/Ga. As produite par Epitaxie par Jets Moléculaires et observée par Microscopie Electronique à Balayage.

Motivations de Mn. As/Ga. As MMn. As Ga. As

Construction de la maille de Ga. As Multiplicité de la maille cubique ? Réseau de Bravais ? Motif ? Réseau réciproque? Orientation de la maille par rapport à l’image MEB ?

Construction de la maille de Ga. As

Réseau réciproque de Ga. As

Réseau réciproque de Ga. As h, k et l ont la même parité.

Construction de la maille de Ga. As Multiplicité de la maille cubique ? 4 Réseau de Bravais ? c. F Cubique à faces centrées Motif ? Ga (0, 0, 0) et As (¼, ¼, ¼) Réseau réciproque? Cubique centrè de paramètre : 2/a Orientation de la maille par rapport à l’image MEB ?

Ga. As : Réseau direct et réseau réciproque

Orientation par rapport au MEB

Orientation par rapport au MEB

Ga. As : plan (1, 1, 1) d 111 = 1/ d*111 = a/√(1+1+1) = 5, 65/ √ 3 = 3, 26 Å

Plan (1, 1, 1) : surface du substrat de Ga. As

Ga. As : plan (4, -2) d 4, -2 -2 = 1/ d*4, -2 -2 = a/√(16+4+4) = 5, 65/ √ 24 = 1, 15 Å

Ga. As : plan (2, 0, 0) d 2, 0, 0 = 1/ d*2, 0, 0 = a/√(4) = 5, 65/ √ 4 = 2, 83 Å

Ga. As : plan (-1, 3, 3) d-1, 3, 3 = 1/ d*1, 3, 3 = a/√(19) = 5, 65/ √ 19 = 1, 30 Å

Image du réseau réciproque par diffraction d’électrons Cliché de diffraction = contributions de Ga. As + Mn. As car epitaxié

Mn. As : On remarque la symétrie hexagonale.

Mn. As : réseau direct et réciproque

Mn. As : réseau direct et réciproque

Orientation rélative Mn. As Ga. As 0 0 0 00 0 0 0 + 0 Mn. As RR à trouver

Orientation rélative Mn. As Ga. As

Orientation rélative Mn. As Ga. As 0 0 00 0 0 00 + 0

Conditions d’épitaxie (-1 -1 -1)Ga. As// (001)Mn. As [0 -11]Ga. As // [100] Mn. As

-112 Ga. As // 120 Mn. As