DIODES DIODE A JONCTION PN DIODE ZENER DIODES

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DIODES Ø DIODE A JONCTION PN Ø DIODE ZENER Ø DIODES ELECTROLUMINESCENTES LED Ø

DIODES Ø DIODE A JONCTION PN Ø DIODE ZENER Ø DIODES ELECTROLUMINESCENTES LED Ø PHOTODIODE Ø AUTRES DIODES 1

DIODE A JONCTION PN Ø Création d’une jonction PN Ø Polarisation d’une jonction PN

DIODE A JONCTION PN Ø Création d’une jonction PN Ø Polarisation d’une jonction PN Ø Caractéristique statique d’une diode Ø Point de fonctionnement d’une diode Ø Limitation d’emploi d’une diode Ø Applications de la diode 2

CREATION D’UNE JONCTION PN ID ZCE Trous majoritaires Electrons majoritaires Im A l’équilibre: l

CREATION D’UNE JONCTION PN ID ZCE Trous majoritaires Electrons majoritaires Im A l’équilibre: l ID l = l I m l I = l ID l - l Im l = 0 I = l ID l - l Idrift l = 0 3

POLARISATION D’UNE JONCTION PN Sens passant Sens bloquant l ID l > l I

POLARISATION D’UNE JONCTION PN Sens passant Sens bloquant l ID l > l I m l l Im l > l I D l I = l ID l - l Im l I = l Im l - l ID l Courant important Courant faible diode à jonction PN ou diode semiconductrice 4

POLARISATION D’UNE JONCTION PN diode à jonction PN ou diode semiconductrice 5

POLARISATION D’UNE JONCTION PN diode à jonction PN ou diode semiconductrice 5

CARACTERISTIQUE STATIQUE I(V) Relation représentant les deux états de la diode SC anode +

CARACTERISTIQUE STATIQUE I(V) Relation représentant les deux états de la diode SC anode + Vd - cathode §Is est le courant inverse de saturation. §VT est la tension thermodynamique qui vaut VT = k. T/e (k est la constante de Boltzmann, T la température absolue en K et e la charge électrique élémentaire. A 25°C, VT = 25 m. V; §n est le coefficient d’émission. Il dépend du matériau, voisin de 1 dans les diodes au Ge, et compris entre 1 et 2 dans les diodes au Si. 6

CARACTERISTIQUE STATIQUE I(V) Relation représentant les deux états de la diode SC Polarisation directe

CARACTERISTIQUE STATIQUE I(V) Relation représentant les deux états de la diode SC Polarisation directe sens passant: Vd > 0 ; Vd >> VT sens bloquant: Vd < 0 ; Vd << VT Id = - I S Polarisation inverse 7

CARACTERISTIQUE STATIQUE I(V) Caractéristiques réelle et idéale d’une diode SC Polarisation directe i i

CARACTERISTIQUE STATIQUE I(V) Caractéristiques réelle et idéale d’une diode SC Polarisation directe i i i + Is v ideal v Caractéristique réelle d’une diode SC v Caractéristique idéale d’une diode SC 8

POINT DE FONCTIONNEMENT Polarisation d’une diode SC déterminer Id et Vd ? Droite de

POINT DE FONCTIONNEMENT Polarisation d’une diode SC déterminer Id et Vd ? Droite de charge Id f(Vd) Le pt. des 2 courbes est appelé le pt. de fonctionnement Q Rs I diode Vs (0, Vs/Rs) saturation Q (pt. de fonctionnement) blocage (? , ? ) (Vs, 0) V I + V - + - éq. droite de charge V s = R s. I + V 9

LIMITATION D’EMPLOI D’UNE DIODE Pour un fonctionnement normal d’une diode SC I A ne

LIMITATION D’EMPLOI D’UNE DIODE Pour un fonctionnement normal d’une diode SC I A ne pas dépasser: Courant maximal: I < IM IM Tension inverse maximale: ZF VIM VI < VIM VM ZF V Puissance maximale: (effet Joule) Hyperbole de dissipation maximale II Température de la jonction: Si tj = 200 °C Ge tj = 100 °C 10

APPLICATIONS DE LA DIODE Fonctionnement en redresseur Tension Alternative Adaptée Tension Variable A signe

APPLICATIONS DE LA DIODE Fonctionnement en redresseur Tension Alternative Adaptée Tension Variable A signe Constant Tension Continue Non Régulée Récepteur Dispositif de régulation Dispositif de filtrage Dispositif de redressement V(t)=Asinωt Transformateur Comment obtenir une tension continue à partir d’une tension alternative? Tension Continue Régulée 11

APPLICATIONS DE LA DIODE Fonctionnement en redresseur 12

APPLICATIONS DE LA DIODE Fonctionnement en redresseur 12

APPLICATIONS DE LA DIODE Fonctionnement en redresseur 13

APPLICATIONS DE LA DIODE Fonctionnement en redresseur 13

DIODES ELECTROLUMINESCENTES LED = Light Emitting Diodes Polarisation directe + p n _ recombinaison

DIODES ELECTROLUMINESCENTES LED = Light Emitting Diodes Polarisation directe + p n _ recombinaison électron-trou dans la jonction avec émission de lumière hn = DE La lumière émise dépend du gap Ga. X Eg (e. V) Ga. P 2, 25 vert Ga. As 1, 43 rouge Ga. Sb 0, 68 I. R. Ga. Asx. P 1 -x gap variable

DIODES ELECTROLUMINESCENTES Ga. P Eg = 2, 3 e. V vert (gap indirect) Ga.

DIODES ELECTROLUMINESCENTES Ga. P Eg = 2, 3 e. V vert (gap indirect) Ga. N Ga. As Eg = 1, 4 e. V rouge (gap direct) Ga. As 1 -x. Px 1, 4 ≤ Eg ≤ 2, 3 e. V

DIODES ELECTROLUMINESCENTES Diode bleue 1992 (Nichia Chemical - Japon) Ga. N - In. Ga.

DIODES ELECTROLUMINESCENTES Diode bleue 1992 (Nichia Chemical - Japon) Ga. N - In. Ga. N LED bleue : Ga. N 445 - 485 nm Nakamura

DIODES ELECTROLUMINESCENTES réflecteur

DIODES ELECTROLUMINESCENTES réflecteur

DIODES ELECTROLUMINESCENTES

DIODES ELECTROLUMINESCENTES

DIODES ELECTROLUMINESCENTES Décoration de Noël 2004 vitrine de ‘Sachs’ 5 th Avenue - N.

DIODES ELECTROLUMINESCENTES Décoration de Noël 2004 vitrine de ‘Sachs’ 5 th Avenue - N. Y. 50 flocons de neige géants 72. 000 LEDs 7 m

Diode Laser dopage ‘n’ >> dopage ‘p’ Inversion de population dans la zone dépeuplée

Diode Laser dopage ‘n’ >> dopage ‘p’ Inversion de population dans la zone dépeuplée au-delà d’une tension seuil Pierre Aigrain - 1958 p e- + p+ n

e- Diodes laser = hétérojonctions p n Ga. As 1, 4 e. V Eg

e- Diodes laser = hétérojonctions p n Ga. As 1, 4 e. V Eg = 1, 9 e. V émission dans la couche de Ga. As Alx. Ga 1 -x. As Guide d ’onde n 1 ≠ n 2 p+ n laser p + Alx. Ga 1 -x. As

Diode Laser face réfléchissante face semi-réfléchissante émission laser Jonction

Diode Laser face réfléchissante face semi-réfléchissante émission laser Jonction

Diode laser pointeur laser Imprimante laser compact disque

Diode laser pointeur laser Imprimante laser compact disque