Coupler la rflectivit avec dautres techniques danalyse Ecole

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Coupler la réflectivité avec d’autres techniques d’analyse Ecole de réflectivité 10 -12 octobre 2018

Coupler la réflectivité avec d’autres techniques d’analyse Ecole de réflectivité 10 -12 octobre 2018

2 Caractérisation des couches minces et des surfaces ? Rugosité Composition chimique Morphologie /

2 Caractérisation des couches minces et des surfaces ? Rugosité Composition chimique Morphologie / Topologie Densité Structure Porosité Propriétés mécaniques Epaisseur des couches

3 Caractérisation des couches minces et des surfaces ? 1 - Etude structurale –

3 Caractérisation des couches minces et des surfaces ? 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude de la morphologie et de la topologie – AFM, XRR, MEB 3 - Porosimétrie – BET, Interférométrie, ellipsométrie, XRR 4 - Caractérisation des propriétés mécaniques - AFM Nano-Indentation, XRR 5 – Analyse chimique et structure locale – IR, Raman, XPS, EXAFS, XRR anomale

4 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude

4 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude de la morphologie et de la topologie – AFM, XRR, MEB 3 - Porosimétrie – BET, Interférométrie, ellipsométrie, XRR 4 - Caractérisation des propriétés mécaniques - AFM, Nano-Indentation, XRR 5 – Analyse chimique et structure locale – IR, Raman, XPS, EXAFS, XRR anomale

La réflectivité sert à : Caractériser les surfaces et les couches minces z -

La réflectivité sert à : Caractériser les surfaces et les couches minces z - Rugosité s Densité r E Epaisseur des couches E Structuration dans la direction z z. A z. B r 2 r 1 substrat Mais : - nécessite surface plane, suffisamment lisse, et assez grande, - pas d’information latérale, - pas d’analyse de la structure locale, - pas d’infos sur les propriétés poreuses, mécaniques, Quoique …

6 1 - Etude structurale – XRR, DRX incidence rasante, GISAXS 2 - Etude

6 1 - Etude structurale – XRR, DRX incidence rasante, GISAXS 2 - Etude de la morphologie et de la topologie – AFM, XRR, MEB 3 - Porosimétrie – BET, Interférométrie, ellipsométrie, XRR 4 - Caractérisation des propriétés mécaniques - AFM, Nano-Indentation, XRR 5 – Analyse chimique et structure locale – IR, Raman, XPS, EXAFS, XRR anomale

DRX en incidence rasante – GISAXS Carte du réseau réciproque Espace réel espace réciproque

DRX en incidence rasante – GISAXS Carte du réseau réciproque Espace réel espace réciproque GI-XRD / GISAXS ? Mêmes méthodes mais gammes d’angles de diffusions différentes Distances sondées différentes d = 2 p/q q = 4 psin /l DRX : 2 max = 80° qmax = 8 A-1 GISAXS : 2 max = 5° qmax = 0. 7 A-1 d=1 A d=1 nm Ø Couches minces ou extrême surface : Incidence rasante

Incidence rasante – Profondeur de pénétration - angle critique L’onde est absorbée dans le

Incidence rasante – Profondeur de pénétration - angle critique L’onde est absorbée dans le matériau décroissance en exp – z du faisceau transmis Profondeur de pénétration < C très faible qq nm > C reliée au coefficient d’absorption du matériau : Maximum : qq dizaines de mm Ø Incidence rasante – i proche de l’angle critique

GISAXS Facteur de forme et de structure Orientation des structures Pics de Bragg comme

GISAXS Facteur de forme et de structure Orientation des structures Pics de Bragg comme en DRX

GISAXS – Nano objets sur une surface, monocouches Ajustement des données GISAXS Rémi Lazzari

GISAXS – Nano objets sur une surface, monocouches Ajustement des données GISAXS Rémi Lazzari – Logiciel Is. GISAXS

11 GISAXS - Caractérisation des films mésostructurés Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering (GISAXS)

11 GISAXS - Caractérisation des films mésostructurés Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering (GISAXS) faisceau incident qz(Ǻ-1) Diagramme de phase des films mésostructurés par le tensioactif P 123 : qz faisceau diffusé qy dé te Couche mince Micelle qz(Ǻ-1) qx ct eu r qz(Ǻ-1) Substrat 0. 2 0. 15 20% 45% 50% 65% 67. 5% 70% 80% 0. 1 0. 05 0 0. 2 0. 15 0. 1 0. 05 0 -0. 2 -0. 1 0 qy(Ǻ-1) 0. 1 0. 2 -0. 1 qz(Ǻ-1) Diagramme de phase des films mésostructurés par le tensioactif CTAB : 0. 3 0. 25 0. 2 0. 15 0. 1 0. 05 0 -0. 3 -0. 2 -0. 1 0. 2 0. 3 qy(Ǻ-1) 3 D hex P 63/mmc -0. 2 -0. 1 0 0. 1 qy(Ǻ-1) cubique Pm 3 n 0. 2 0. 3 -0. 2 -0. 1 0 0 qy(Ǻ-1) 0. 1 0. 2 0. 3 qy(Ǻ-1) 2 D hex P 6 m 0. 1 0. 2

12 GISAXS – Mesures in situ Paramètres clés au cours de l’élaboration (a) HR=37%

12 GISAXS – Mesures in situ Paramètres clés au cours de l’élaboration (a) HR=37% (b) HR=43% (c) HR=47% Humidité Relative (d) HR=52% (d) (c) (b) (a) Sur le type de structure pendant les premières minutes : 0. 15 0. 1 0. 2 -0. 1 0 qy(Ǻ-1) 0. 1 0. 2 0 -0. 2 t=2 min HR=80% 0. 15 0. 05 0 -0. 2 t=1 min HR=40% qz(Ǻ-1) 0. 1 0. 2 qz(Ǻ-1) t=5 s HR=40% 0. 15 qz(Ǻ-1) Mesures in situ 0. 2 0. 1 0. 05 -0. 1 0 qy (Ǻ-1) 0. 1 0. 2 0 -0. 2 -0. 1 0 qy (Ǻ-1) 0. 1 0. 2

GISAXS - Information sur les distances latérales b t 2 2 t 1 1

GISAXS - Information sur les distances latérales b t 2 2 t 1 1 Résultats obtenus pour le film structuré en 2 D hexagonal (P 123) 1 2 = murs t 1 (nm) t 2 (nm) (e-/Å3) 5. 3 3. 2 0. 16 0. 5 Résultats obtenus pour le film structuré en 3 D hexagonal (CTAB) t 1 (nm) t 2 (nm) 1 2 (e-/Å3) 2. 5 1 0. 24 0. 56 t 2 , ρ2 t 1 , ρ1 tl 1 z y b x Distorsion des pores : = 4. 7 nm

14 Caractérisation des couches minces et des surfaces 1 - Etude structurale – XRR,

14 Caractérisation des couches minces et des surfaces 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude de la morphologie et de la topologie – AFM, MEB 3 - Porosimétrie – BET, Interférométrie, ellipsométrie, XRR 4 - Caractérisation des propriétés mécaniques - AFM, Nano-Indentation, XRR 5 – Analyse chimique et structure locale – IR, Raman, XPS, EXAFS, XRR anomale

AFM – Topologie et rugosité Nanotechnology 23, 30 2012 Nanolithography through mixture of block

AFM – Topologie et rugosité Nanotechnology 23, 30 2012 Nanolithography through mixture of block copolymer micelles - AFM : Résolution latérale et de la rugosité limitées par la taille de la pointe (nm) Champ étroit (100 - 1000 nm²) - XRR : Résolution de la rugosité de l’ordre de l (A) Champ large - moyenné sur toute la surface (cm²)

Microscopie électronique - MEB (a) (b) - Topologie de surface - Topologie de la

Microscopie électronique - MEB (a) (b) - Topologie de surface - Topologie de la section - Contrôle de l’épaisseur (c) (d) (a) MEB FEG Zeiss, pas de métallisation (b) (c) Ø D’autant plus sensible que le matériaux est conducteur Ø Silices poreuses : impossible de voir des pores de diamètre < 3 nm

MEB - Ouverture des pores en surface 17 100 nm Gravure par faisceau d’ions

MEB - Ouverture des pores en surface 17 100 nm Gravure par faisceau d’ions (Ar) (Ion Beam Etching, PTA) 100 nm Nouveaux masques pour la lithographie : Cylindres (symétrie hexagonale) 100 nm Masques inorganiques Motifs mono-disperses (2 -20 nm) et organisés. Ø Surfaces nano-structurées inorganiques Sphères (symétrie cubique)

18 MEB - Fonctionnalisation sélective des pores + gravure en incidence rasante : Substrat

18 MEB - Fonctionnalisation sélective des pores + gravure en incidence rasante : Substrat Localisation de nano-objets sur une surface Greffage de nanoparticules, nanofils… NPs in pores NPs in NPs out of pores aggregates Ø Nanoparticules de Fe. Pt : disque dur de stockage 1000 fois plus grand

XRR – MEB : Irradiation des films mésoporeux Kiessig fringes total thickness T Bragg

XRR – MEB : Irradiation des films mésoporeux Kiessig fringes total thickness T Bragg reflections periodicity d of the stacking of pores §After irradiation : first Bragg reflection remains visible mesopores are still present and organized in the z direction. Decrease of intensity and shift to the higher Q values the organisation of the pores is altered. T=82 nm d=8. 2 nm N=T/d=10 T=78 nm d=7. 6 nm N=10 §Qc : Qc 1 : average electron density of the film, Qc 2 : silicon substrate (~0. 032 Å− 1) Qc 1 = 0. 026 Å− 1 = 0. 48 e−/Å3 Porosity : =0. 66 e−/Å3 Qc 1 = 0. 023 Å− 1 = 0. 375 e−/Å3 Ø Porosity increase of 36% SEM Tracks formation

20 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude

20 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude de la morphologie et de la topologie – AFM, XRR, MEB 3 - Porosimétrie – BET, Interférométrie, ellipsométrie, XRR 4 - Caractérisation des propriétés mécaniques - AFM, Nano-Indentation, XRR 5 – Analyse chimique et structure locale – IR, Raman, XPS, EXAFS, XRR anomale

Le problème de la mesure de porosité sur les films minces Ø Paramètre essentiel

Le problème de la mesure de porosité sur les films minces Ø Paramètre essentiel car il détermine les propriétés du matériau. Pour les poudres et les matériaux massifs : Porosité (micro et méso) et Surface spécifique méthodes d’adsorption gazeuse (mesures BET) basées sur une mesure volumétrique du gaz adsorbé dans les pores. Pour les films minces : constitués d’une très faible quantité de matière, le volume adsorbé est très faible, difficile à mesurer précisément BET sur 100 couches minces ou BET Kripton Ø De nouvelles méthodes sont nécessaires 21

Porosimétrie par ellipsométrie / Interférométrie Périodicité reliée à l’épaisseur à l’indice de réfraction de

Porosimétrie par ellipsométrie / Interférométrie Périodicité reliée à l’épaisseur à l’indice de réfraction de la couche Ø Information sur le couple (n, e)

Porosimétrie par ellipsométrie / Interférométrie Isothermes d’adsorption gazeuse (H 2 O, ou autre )

Porosimétrie par ellipsométrie / Interférométrie Isothermes d’adsorption gazeuse (H 2 O, ou autre ) en reliant l’indice de réfraction : à la densité de la couche à la quantité de gaz adsorbé Exemple V. Rouessac IEM

< > 24 Mesure de la porosité par XRR murs Porosité : Méthodes de

< > 24 Mesure de la porosité par XRR murs Porosité : Méthodes de diffusion des rayons X dépendent du : Contraste de densité électronique murs : densité électronique des murs de silice < > : densité électronique moyenne des films poreux Porosité :

25 Mesure de la porosité par XRR Réflectivité Plateau de réflexion totale des courbes

25 Mesure de la porosité par XRR Réflectivité Plateau de réflexion totale des courbes de réflectivité Angle critique de réflexion totale c relié à la densité électronique r : qc(film) c 2 = rel 2 /p qc(substrat) où re=2. 8. 10 -15 m est le rayon classique de l’électron Analyse du plateau de réflexion totale estimation de : < c(film) R(q) est maximum > c(film) < c(substrat) - densité électronique du substrat r (substrat) - densité électronique moyenne du film <r> (film) > c(substrat) R(q) diminue Porosité totale

26 Micro – Mésoporosité ? Calcul et ajustement des courbes de réflectivité … Couche

26 Micro – Mésoporosité ? Calcul et ajustement des courbes de réflectivité … Couche 2 Couche 1 t 2, 2 = murs t 1 , 1 Le film mésostructuré est constitué d’un empilement de couches 1 et 2. Substrat Profil de densité électronique (e-/Å3) 2 1 Ø Paramètres Ajustés : t 1, t 2, z(Å) t 1 taille des pores t 2 épaisseur des murs 1 , 2

27 Méso, Micro porosité et surface spécifique XRR - GISAXS Surface spécifique : t

27 Méso, Micro porosité et surface spécifique XRR - GISAXS Surface spécifique : t 2 2 t 1 1 Mésoporosité : Microporosité = porosité des murs : murs ~ 0. 5 e-/Å3 < silice= 0. 66 e-/Å3 SS = Résultats obtenus pour les films P 2 D (P 123) et C 3 D (CTAB) : méso micro SS (m²/g) 2 D 43% 12% 258 3 D 41% 9% 446

Isothermes d’adsorption par XRR comme en BET, éllipsométrie, interférométrie Mesures in situ : Cellules

Isothermes d’adsorption par XRR comme en BET, éllipsométrie, interférométrie Mesures in situ : Cellules d’humidités GISAXS X 22 B Réflectivité Remplissage de deux types de mésostructures : Structure 2 D hexagonale Structure 3 D hexagonale 28

Isothermes d’adsorption par XRR comme en BET, éllipsométrie, interférométrie Basse humidité Haute humidité Intensité

Isothermes d’adsorption par XRR comme en BET, éllipsométrie, interférométrie Basse humidité Haute humidité Intensité du premier pic de Bragg : Intensité intégrée et distribution de tailles de pores : Equation de Kelvin Distribution de tailles de pores 0. 8 nm < r < 1. 3 nm 29

Isothermes d’adsorption par XRR comme en BET, éllipsométrie, interférométrie Analyse du plateau de réflexion

Isothermes d’adsorption par XRR comme en BET, éllipsométrie, interférométrie Analyse du plateau de réflexion totale : Basse humidité Haute humidité Même isotherme de sorption que celle obtenue en BET : Couplage avec Interférométrie : - Distribution de tailles des pores - Micro, méso porosité - Surface spécifique 30

31 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude

31 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude de la morphologie et de la topologie – AFM, XRR, MEB 3 - Porosimétrie – BET, Interférométrie, ellipsométrie, XRR 4 - Caractérisation des propriétés mécaniques - AFM, Nano-Indentation, XRR 5 – Analyse chimique et structure locale – IR, Raman, XPS, EXAFS, XRR anomale

AFM Nano indentation – Propriétés mécaniques Selon raideur du cantilever et résistance mécanique de

AFM Nano indentation – Propriétés mécaniques Selon raideur du cantilever et résistance mécanique de la couche Détermination du module d’Young et de la dureté Mais selon épaisseur et composition des couches Valeur parfois surestimée à cause de la dureté du substrat

XRR – Propriétés mécaniques Adsorption d’eau dans les pores : Basse humidité Haute humidité

XRR – Propriétés mécaniques Adsorption d’eau dans les pores : Basse humidité Haute humidité Intensité du premier pic de Bragg : 33

34 XRR – Propriétés mécaniques Détermination du module d’Young des films d Pc =

34 XRR – Propriétés mécaniques Détermination du module d’Young des films d Pc = RT ln(HR) V L 0. 17 0. 18 0. 19 E= Pc s (contrainte) = 0 e (déformation) d d d 0

Quelques propriétés mécaniques des films mésoporeux Méthode de détermination du « module d’Young »

Quelques propriétés mécaniques des films mésoporeux Méthode de détermination du « module d’Young » des films Influence du type de surfactant structurant Structure 2 D hexagonale : Influence du type de structure poreuse Tensioactif CTAB : CTAB 1. 1 < E < 1. 4 GPa P 123 0. 4 < E < 1. 2 GPa 3 D hexagonale 2. 5 < E < 5. 6 GPa 1. 1 < E < 1. 4 GPa Influence des conditions de synthèse Traitements favorisant la condensation de la silice implique de plus grandes valeurs de E : - traitement acide - traitement de séchage et de calcination

36 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude

36 1 - Etude structurale – XRR, GISAXS, DRX incidence rasante 2 - Etude de la morphologie et de la topologie – AFM, XRR, MEB 3 - Porosimétrie – BET, Interférométrie, ellipsométrie, XRR 4 - Caractérisation des propriétés mécaniques - AFM, Nano-Indentation, XRR 5 – Analyse chimique et structure locale – IR, Raman, XPS, EXAFS, XRR anomale

Spectrométrie Infra Rouge : Rasant, ATR, MIR Spectroscopie d’absorption : Modes de vibrations de

Spectrométrie Infra Rouge : Rasant, ATR, MIR Spectroscopie d’absorption : Modes de vibrations de liaisons chimiques Bandes absorption à des fréquences caractéristiques Rasant IR Peu sensible ATR (Attenuated Total reflection) Onde évanescente : sensible aux premières couches IR Augmentation du signal : plusieurs réflexions à l’interface entre l’échantillon et un cristal parallélépipédique MIR (Multiple Internal Reflection) IR Mesure MIR sur couche mince fonctionnalisée avec des groupements cyanopropyles Très sensible

Spectrométrie Raman Spectroscopie d’absorption : Modes de vibrations de liaisons chimiques Bandes absorption à

Spectrométrie Raman Spectroscopie d’absorption : Modes de vibrations de liaisons chimiques Bandes absorption à des fréquences caractéristiques Fonctionnalisation de couches minces Substrat Analyse qualitative et semi quantitative Couches minces : Raman en microscopie confocale Focalise le laser et réduit la zone analysée à un volume de l’ordre du µm 3

XPS - X ray Photo electron Spectrocopy Principe : RX e- Mesure de l'énergie

XPS - X ray Photo electron Spectrocopy Principe : RX e- Mesure de l'énergie cinétique des électrons émis - Analyse élémentaire : qualitative et quantitative, position et hauteur des pics - Environnement chimique : léger déplacement des pics: changements d’états électroniques, nature des liaisons chimiques, variation de degrés d'oxydation Ø Sonde l’extrême surface des couches : 2 à 10 nm

GI - EXAFS Principe : XANES EXAFS RX d’énergie modifiée par absorption Rayons X

GI - EXAFS Principe : XANES EXAFS RX d’énergie modifiée par absorption Rayons X --> Échantillon RX E variable On se place en énergie autour du seuil de l’élément qu’on veut regarder Quand l’énergie des RX = énergie de transition entre un niveau du cœur et un niveau du continuum seuil d'absorption = éjection d’un électron - Proche du maximum d'absorption : XANES Etat électronique de l'élément - Loin du seuil d’absorption : EXAFS Oscillations : Distance entre l'atome et ses premiers voisins Nature de ces premiers voisins XANES: X ray Absoprtion Near Edge Spectroscopy EXAFS: Extended X ray Absorption Fine Structure !! En incidence rasante !! Ø Apporte des informations sur l'environnement atomique d'un élément donné

XRR anomale Principe : Comme XRR classique, mais sur un synchrotron pour faire varier

XRR anomale Principe : Comme XRR classique, mais sur un synchrotron pour faire varier l’énergie du faisceau (énergie-l) Comme pour l’EXAFS, on se place autour du seuil d’absorption d’un élément Modification des constrastes observés Ø Permet de déterminer la présence et la localisation d’un élément dans la couche

42 Caractérisation des couches minces et des surfaces Morphologie / Topologie AFM, MEB Rugosité

42 Caractérisation des couches minces et des surfaces Morphologie / Topologie AFM, MEB Rugosité AFM, XRR Composition chimique IR, Raman, XPS, EXAFS, XRR anomale Structure XRR, GISAXS, DRX incidence rasante Propriétés mécaniques AFM – Nano. Indentation, XRR Densité XRR Epaisseur des couches XRR, MEB, AFM Porosité BET Kr, Interférométrie, éllipsométrie, XRR Mais aussi …