Commande embarque de moteurs 2 Commande des transistors

Commande embarquée de moteurs 2 Commande des transistors Christian Koechli

Objectifs du cours • Fonctionnement d’un Mosfet de puissance • Problématique du Low-Side • Problématique du High-Side – Découplage – Bootstrap – Utilisation de P-MOS

Structure

Principe

Enclenchement

Enclenchement 2

Effets des inductances parasites

Déclenchement

Précautions • • Surtension GS (souvent 20 V max) Pics de courant Phénomènes transitoires DS Limitations du pouvoir de coupure de la diode de roue libre

Pics de tensions sur la grille

Changements DS

Limitation du pouvoir de coupure de la diode

Les 10 choses à faire ou à ne pas faire avec les MOS de puissance 1. Attention à la manipulation 2. Attention aux pics de VGS 3. Attention aux pics de tension sur le drain ou la source dus à la commutation 4. Ne pas dépasser la valeur de crête du courant 5. Rester dans les limites thermiques 6. Attention au layout 7. Attention aux performances de la diode de roue libre 8. Attention en comparant les performances (courant) de différents MOSFETs

Calcul des pertes • Pertes en conduction: Pcd=RDSon I 2 t. ON • Pertes en commutation: Pcom=f

Caractéristiques de l’étage « driver » • Limiter les pertes de commutation – Source de courant idéale pour une commutation rapide • Éviter les pics de tension – Attention à la commutation rapide. – Éviter les inductances de fuites (Condensateur et diode de roue libre le plus proche du transistor)

Transistor Low Side

Transistor High Side

Découplage Vcc (12 V) DSP TLP 250 R UDC (24 V) (0 V) Rmesure_courant

Alimentation unipolaire UDC (24 V) Vcc (12 V) DSP R Level shifter

Décalage de niveau (+bootstrap)

Utilisation d’un transistor à canal P

Schéma Labo