Clasificacin de las memorias Memorias ROM Read only

Clasificación de las memorias • Memorias ROM (Read only memory) –Son memorias “no volátiles”, es decir sus datos almacenados se mantienen almacenados aunque se le quite la energía eléctrica, por eso se denominan memorias de lectura solamente. –Sirven para almacenar los programas fundamentales que deben ayudar al arranque de la máquina tal como la rutinas de ROM BIOS –Las unidades de control microprogramadas guardan la información de cada instrucción en este tipo de memoria • Memorias RAM (Random access memory) • Son memorias volátiles y por lo tanto de lectura-escritura Su función la veremos cuando estudiemos este tipo de 1 memoria en particular

Clasificación de las memorias ROM • ROM propiamente dichas • PROM , (Programable ROM) • EPROM, (Erasable Ultra Violet PROM) • EEPROM o E 2 PROM, (Erasable Electrical PROM) • FLASH RAM 2

ROMs propiamente dichas • Se construye con los datos cableado en el chip durante en proceso de fabricación – Se puede usar como circuito base un decodificador y una serie de compuertas OR para establecer los datos 3

Pasos para la construcción de una memoria ROM (1) • Se coloca un decodificador que tiene tantas entradas como líneas de dirección tenga la memoria • Se equiparan las entradas del decodificador con las de la memoria según su peso, A con A 0, B con A 1 4

Pasos para la construcción de una memoria ROM (2) Para implementar el circuito de la salida D 2 se coloca una compuerta OR de 2 entradas tal que las mismas se conectan a las salidas del decodificador cuyo subíndice coincida con el equivalente decimal de las direcciones en la cual D 2 vale “ 1” 5

Pasos para la construcción de una memoria ROM (3) Se completa el resto de las salidas siguiendo el mismo criterio 6

Memorias PROM Los datos de las ROMs propiamente dichas son cableados por el fabricante a pedido del usuario, Se creo una modificación de la misma tal que permite a los usuarios colocarle los datos. Esta se denomina PROM, (programable ROM). La misma presenta “ 1” en todos los bits de todas sus posiciones cuando viene de fábrica Internamente tiene fusible electrónicos que establecen los “ 1” los cuales deben quemarse para establecer los “ 0” en los bits de las posiciones deseadas. Dichos fusibles se quema aplicando una tensión alta al terminal VPP o de programación, (esta oscila entre 25 v y 12 v. 7

Circuito Interno de la PROM 8

Proceso de grabación de PROM Si nos equivocamos al quemar los fusible la memoria ya no sirve y hay que programa una nueva, por lo tanto esta memoria no se puede reprogramar 9

Memorias EPROM (1) • Debido al problema anterior se crearon una memorias especiales tal que se puedan reprogramar. Esta son las memorias Eprom. • Se escribe igual que la PROM • El la misma se reemplaza el fusible por un transistor que hace las veces de “llave electrónica” que se puede abrir y cerrar. El terminal de control de dicho transistor produce la apertura de la llave al colocarle una carga eléctrica que se almacena en una capa aislante. • Esta capa es fotosensible lo que permite que las cargas se pueda quitar sometiendo a la memoria con radiación de luz ultravioleta , (235, 7 nm de longitud de onda). La misma incide en una ventana que expone a todas las celdas de memoria 10

Memorias EPROM (2) Vista exterior de una EPROM 11

Circuito Interno de la EPROM 12

Borrado de una EPROM • Quitar las cargas eléctricas de la capa aislante de una EPROM se denomina “borrado de la EPROM –Cuando se somete la EPROM a radiación ultravioleta se borra completamente toda la memoria • Se puede usar un tubo germicida con fuente económica de luz ultravioleta. La memoria se coloca entre el tubo y el plafon u se borra en un tiempo que oscila entre los 5’ y 20’ 13

Memorias EEPROM o E 2 PROM (1) • Debido al problema de las EPROMS de borrarse completamente se creo una modificación de la misma de manera que se pueda borrar electricamente. Para poder lograr esto se reemplazo la capa aislante fotosensible por una capa aislante más fina y no fotosensible. 14

Características principales de las memorias EEPROM o E 2 PROM Con esto se logra las siguientes características: • Se escribe igual que en la EPROM • En la EEPROM cada celda de memoria se puede modificar eléctricamente en forma individual • El tiempo de escritura es muy grande, ( 100 u. Seg por byte) –Por eso se dice que esta memoria es mayoritariamente de lectura(pues no es práctico escribirla frecuentemente por el tiempo que esto llevaría –Debido a que la capa aislante es más fina cada celda de memoria se deteriora luego de muchas escrituras –(admite un número que oscila entre 10000 y 1000000 escrituras estadísticamente) 15

Memorias FLASH RAM Es otra modificación de las memorias EPROM que tiene como características más importantes: • Acceso a alta velocidad tanto en lectura como escritura • Se borran también electricamente • Se borran por bloques de memorias no permitiendo borrar bits individuales 16