Chemical Vapor Deposition CVD CVD 1 pressure vessel

화학 증착법 (Chemical Vapor Deposition, CVD) §원리 : 기체 상태의 출발 원료가 기판 표면에 흡착하여 화학 반응에 의해 고체 석출 물을 생성. CVD 장치 1. 원료가스 공급장치 pressure vessel (source precursor gas, carrier gas), regulator, mass flow controller, bubbler, valve (pneumatic, solenoid, check), purging system, , gas purifier, delivery line heating system. 2. 반응기 chamber, susceptor (with heater), substrate, cooling jacket, heating coil 3. 배기 장치 mechanical and high vacuum pumps, scrubber

4. 반응온도에 따른 분류 (Al 의 녹는점 : 660 ℃) high-temperature CVD low-temperature CVD 5. 반응기와 기체 흐름의 형상에 따른 분류 (a) horizontal type (b) pancake type (c) shower head type (d) barrel type

(b) gas flow (d) (c)

CVD 화학 반응 : 대부분 활성화 에너지를 필요로 한다. 1. 열분해 (pyrolysis) 2. 환원 (reduction) 3. 산화 (oxidation) 4. 질화 (nitridation) 5. 가수분해(hydrolysis) 6. 탄화 (carburization) 7. 합성반응 (synthesis reaction)

R. F. Reactant gas

반도체 집적회로 제작에서 CVD 공정의 응용 1. Epitaxial silicon growth - APCVD, LPCVD epi - on taxial - arrangement 2. Polysilicon growth - LPCVD gate electrode 3. Deposition of Si 3 N 4 - LPCVD a mask to block oxidation in LOCOS process 4. Growth of Si. O 2 PSG(phosilicate glass) - APCVD isolation of polysilicon from metal interconnections 5. Deposition of Si. Nx - PECVD passivation 6. Deposition of metals and silicides - APCVD, LPCVD, PECVD WSi 2, Co. Si 2, Ti. Si 2, W, Al