BGO Cs ITl Cs INa Cs I Cd

섬광체의 특성 비교 BGO Cs. I(Tl) Cs. I(Na) Cs. I Cd. WO 4 Density[g/cm 3] 7. 13 4. 51 7. 9 Cleavage plane none <010> Hardness 5 2 2 2 4 -4. 5 Hygroscopic no slightly yes slightly no 방출파장[nm] 480 550 420 315 470/540 방출파장에서 굴절율 2. 15 1. 79 1. 84 1. 95 2. 2 -2. 3 초기 섬광 붕괴 시간[ns] 300 1 0. 63 0. 016 20/5 Afterglow(after 3 ms)[%] 0. 005 0. 5 -50 0. 5 -5. 0 Light yield[photons/Me. Vg] 8 -10 x 103 52 -56 x 103 38 -44 x 103 2 x 103 1. 2 -1. 5 x 103 Photoelectron yield[%of Na. I] (for g-rays) 15 -20 45 85 4 -6 25 -30 방사선 손상 시작점[rad] 102 -103 >105 106 Korea Institutes of Geology, Mining and Materials - 0. 1

광다이오드의 특성 비교 S 3590 -8 S 3071 S 5668 -1 S 1337 -1010 BR Window material resin borosilicate resin package ceramic To-8 ceramic Active area [mm] 10 x 10 Dia. 5. 0 1. 175 x 2(16 ) 10 x 10 대응파장영역[nm] 320 -1100 320 -1060 320 -1100 Photo sensitivity[A/w]at 480 nm 0. 3 0. 28 0. 29 0. 3 Dark current[n. A] : Max 6 10 0. 01 0. 2 Terminal Capacity[p. F]s=1 MHz 48 18 300 350 NEP(w/Hz 0. 5) 3. 8 x 10 -14 (70 V) 2. 1 x 10 -14 (24 V) 4. 0 x 10 -15 (10 m. V) 1. 5 x 10 -14 Absolute max. ratings[RVM] 100 50 1 5 Korea Institutes of Geology, Mining and Materials

감마선 어레이 검출기 구성 crystal : BGO 5 directions : < 0. 15 mm white reflectors 6 directions : polishiing 2. 1 mm 2. 85 mm 8. 5 mm 섬광체 광다이오드 photo diode 1. 175 mm x 2. 0 mm pitch : 0. 4 mm 8개 BGO섬광체 5 면 Al 2 O 3로 coating S 5668 -1 photodiode MC nylon을 이용한 housing Resin 을 이용한 고정점 형성 Korea Institutes of Geology, Mining and Materials

전치 증폭기 및 주증폭기 회로 전치증폭도 : 12, 000배 OP Amp 111 A 이용 주 증폭도 : 최대 252 배 OP Amp LM 3140 이용 Korea Institutes of Geology, Mining and Materials

Data acquisition card 특성 Nu. DAQ 사의 8112 PG card 이용 12 bit input resolution 100 k. Hz sampling rate Software VB 이용 data taking program 구성 digital out 이용 : 수송 모타 조정 Korea Institutes of Geology, Mining and Materials

검출기 시험용 측정 장치도 감마선 선원 : 137 Cs 500 m. Ci Stainless steel of 5 mm thickness 선원과 검출기까지의 거리 : 4 cm step motor 이용 step motor controller : pulse mode Korea Institutes of Geology, Mining and Materials